【突破】工信部推广国产重大技术装备突破,套刻精度≤8nm的光刻机...

1.工信部推广国产重大技术装备突破,套刻精度≤8nm的光刻机在列为促进首台(套)重大技术装备创新发展和推广应用,加强产业、财政、金融、科技等国家支持政策的协同,工信部于9月9日印发《首台(套)重大技术装备推广应用指导目录(2024年版)》(以下简称《目录》)通知,在文件列表包含国产氟化氪光刻机(110nm),和氟化...

力合科创:臻像科技研发高精度光刻机对准系统,董秘确认公司涉及光...

董秘您好!根据网上搜索臻像科技研发的高精度光刻机对准系统利用光场显示进行高精度测量,这一系统包括掩模边框、工件台、投影物镜、离轴对准系统以及同轴对准系统等组成部分。该系统通过上对位显示器和下对位显示器产生高精度对准图案,配合控光组件和采集装置,能够纳米级的对准精度。请问臻像科技股份有限公司确实涉及光刻机...

禁令方向反了?国产光刻机获突破,套刻精度小于8nm

目前而言，光刻机禁令只能用“疯狂”来形容，从原来的EUV禁令到如今的DUV禁令，其跨越高端、中端、中低端、低端等多个级别，去年年末2000i及以上先进设备被停止供货，如今1980i及以下型号的旧款光刻机的售卖也被限制了，更离谱的是断供设备还不够，美还督促荷兰ASML对华断供光刻机零部件、配件，甚至连售后维修服...

上海光刻机研发成功!阿斯麦股价下跌,美荷两国“酸得要命”?

想象一下，如果把一个现代芯片放大到和北京城一样大，那么光刻机的精度就相当于能在其中画出一根头发丝那么细的线条。这种精度，已经达到了人类科技的极限。正是因为如此，光刻机成为了芯片产业中最昂贵、最核心的设备之一。长期以来，全球高端光刻机市场一直被荷兰的阿斯麦公司所垄断。这家成立于1984年的公司，凭借...

全球光刻机市场竞争加剧,ASML财报引发关注...

公开资料显示,纳米压印与光刻是两种不同的技术路线。两者的目标相同,简单描述就是将设计好的集成电路图“复制粘贴”到硅片上。而实现方法却大有不同,形象地比喻类似“照相”与“盖印章”。传统的光刻机通过将电路图案投影到涂有光刻胶的晶圆上来转移电路图案,佳能的设备则是通过将“印有电路图案的掩模像印章一样...

台北记者盛赞:中国光刻机大突破,这次精度真的很高!

速度洗脑循环Error:Hlsisnotsupported.视频加载失败说故事的阿袭5611粉丝伊说历史,妙悟国学(www.e993.com)2024年11月2日。传播中国传统文化,分享国学知识!06:07中国与八个国家已断交,你知道都是哪些国家吗?01:14在北京被抓获的五位明星,从此娱乐圈中再无他们的立足之地!

国产光刻机“套刻≤8nm”意味着什么

作为光刻机的一个重要技术指标,套刻精度通常指的是“多重曝光能达到的最高精度”,它决定了每次曝光之间物理位移的最小误差,直接影响着多层曝光工艺的质量和效率。随着工艺节点不断缩放至14nm、10nm、7nm,多重曝光成为必要手段。那么,通知文件中的ArF光刻机(光源波长193nm,分辨率≤65nm,套刻≤8nm)极限能做到多少...

工信部推广国产DUV光刻机,最小套刻精度≤8nm

大半导体产业网消息,自中华人民共和国工业和信息化部官网获悉,日前,工信部宣布印发《首台(套)重大技术装备推广应用指导目录(2024年版)》。本文引用地址:其中,在《首台(套)重大技术装备推广应用指导目录(2024年版)》电子专用装备目录下,集成电路设备方面包括:氟化氩光刻机,光源193纳米,分辨率≤65nm,套刻≤...

国产氟化氩光刻机实现8纳米以下的套刻精度

氟化氩光刻机作为集成电路生产的关键设备,其光源波长为193纳米,能够实现65纳米以下的分辨率和8纳米以下的套刻精度。这不仅意味着中国芯片制造商将能够使用更先进的国产设备,还有助于推动芯片产业链的国产化进程,增强国内芯片产业的竞争力。工信部发布《指引目录》,旨在促进首台(套)重大技术装备的创新发展和推广应用,...

国产光刻机官宣后,一个奇怪现象:国外网友沸腾,美荷却沉默了

首先,国产光刻机技术突破或在美荷的预期之内,从这次“氟化氩光刻机”的参数来看,300mm晶圆、193nm波长,其分辨率≤65nm,套刻≤8nm。这只是ArF的DUV光刻机,用来加工12寸晶圆,按套刻精度与量产工艺1:3的关系,这个光刻机大概可以量产28nm工艺的芯片,这说明,这是一款相对初级的DUV光刻机,没法用来加工7nm...