【中原电子】半导体行业月报:半导体行业24Q3延续复苏趋势,关注...

以及工业、汽车等领域需求复苏进展;随着美国大选的落定,以及未来外部环境的预期变化,半导体产业链卡脖子核心环节自主可控需求迫切,国产替代有望加速推进,建议关注先进制造、先进封装、半导体设备及零部件、半导体材料、AI算力芯片等方向。

华虹半导体“闪存存储器版图、闪存存储器及其制作方法”专利公布

本发明提供了一种闪存存储器版图、闪存存储器及其制作方法,应用于半导体制造技术领域。在本发明中,其在不增大闪存存储器版图的端头区的面积的基础上,通过在每一所述端头区内的第二浮栅图形的下方添加两个第二有源区图形的方式,增大端头区中有源区的图形密度,优化有源阵列区最边缘有源区的制作工艺环境,进而避免...

长鑫存储申请半导体结构及其制作方法专利,保证半导体结构的传输性能

该半导体结构的制作方法包括:在基底上形成多个阵列排布且间隔设置的掩膜图形;在掩膜图形的侧壁形成第一导电层,邻行相邻的两个掩膜图形侧壁的第一导电层均相接触,同行相邻的两个掩膜图形和隔行相对的两个掩膜图形侧壁的第一导电层围合成填充孔;在填充孔内形成第二导电层,第二导电层的掺杂浓度大于第一导电层的掺杂...

上海新微半导体申请多沟道HEMT器件及其制作方法专利,有效提高器件...

专利摘要显示，本发明提供一种多沟道HEMT器件及其制作方法，该器件包括半导体基底、源极区及漏极区，其中，半导体基底包括多个层叠且形成有二维电子气的异质结构层，源极区及漏极区形成于半导体基底中，源极区包括多个间隔排列的源极注入区，漏极区包括多个间隔排列的漏极注入区，在源极区指向漏极区的方向上，多个源...

合肥晶合集成电路取得一种半导体结构及其制作方法专利 快报

合肥晶合集成电路取得一种半导体结构及其制作方法专利快报2024-11-0611:11:21金融界灵通君北京举报0分享至0:00/0:00速度洗脑循环Error:Hlsisnotsupported.视频加载失败金融界灵通君75粉丝金融界旗下账号00:26康宁杰瑞制药-B(09966.HK):于2024年SITC年会呈列的JSKN033...

福建省晋华集成电路申请半导体器件及其制作方法专利,提升位线结构...

福建省晋华集成电路申请半导体结构专利,有效提升半导体结构均匀性来源:金融界联华电子申请半导体结构及其制作方法专利,提高半导体性能来源:金融界合肥晶合集成电路申请一种半导体器件制作方法专利,提高半导体器件的电学性能来源:金融界合肥晶合集成电路申请一种半导体器件的制作方法专利,能够提高半导体器件的性能来源...

长鑫存储申请半导体结构制作方法及装置专利,提升半导体结构的灵敏...

专利摘要显示,本公开提供一种半导体结构的制作方法及制作装置,涉及半导体技术领域,半导体结构的制作方法包括:提供衬底,衬底上设置叠层结构;形成至少一个开口,开口贯穿叠层结构并延伸到衬底中,开口暴露出部分衬底;在还原性气体环境中对衬底进行热处理,以去除开口中的残留物,在热处理的过程中,从开口中抽出残留物和还原性...

晶合集成申请一种半导体结构的制作方法及动态调整系统专利,提高...

专利摘要显示，本发明提供一种半导体结构的制作方法及动态调整系统，属于半导体制造技术领域。制作方法包括：提供一衬底，其上依次形成垫氧化层和垫氮化层；在衬底内形成浅沟槽并沉积绝缘介质；平坦化绝缘介质至与垫氮化层齐平；测量绝缘介质的厚度，与目标值进行比对；绝缘介质的厚度大于目标值，调节绝缘介质的起始厚度，...

三环集团:从小作坊到国产电子陶瓷龙头,这家企业经历了什么?

◆三星电机:世界上营收最大的电子工业制造商之一,未来重点布局车载MLCC三星电机(SamsungElectro-Mechanics)是韩国最大的企业集团三星集团旗下的旗舰子公司,也是世界上营收最大的电子工业制造商之一。三星电机的产品广泛应用于电信、电视、半导体、计算机等领域,主要产品类别包括但不限于多层陶瓷贴片电容(MLCC)、印刷电路...

长鑫存储取得半导体结构及半导体结构的制作方法专利

长鑫存储取得半导体结构及半导体结构的制作方法专利金融界2024年9月30日消息,国家知识产权局信息显示,长鑫存储技术有限公司取得一项名为“半导体结构及半导体结构的制作方法”的专利,授权公告号CN115565978B,申请日期为2021年7月。本文源自:金融界