国产光刻机突破28nm了吗?
CD是线宽,即可实现的最小特征尺寸,λ是光刻机使用光源的波长,NA代表光刻机物镜的数值孔径,也就是镜头收集光的角度范围,K1是一个系数,取决于芯片制造工艺有关的众多因素。按照公式,如果芯片制造要实现更小的线宽,即CD值越小,主要就是透过使用波长更短的光源、更大数值孔径(NA)的物镜,以及想办法降低K1。比如...
日立推出CD-SEM新品GT2000,满足高NA值EUV器件开发和量产需求
注:CD-SEM(特征尺寸测量用扫描电子显微镜):一种设计用于对晶圆上形成的精细半导体电路图案的尺寸进行高精度测量的设备。High-NA(数值孔径)EUV(极紫外):与传统设备相比,具有改进的数值孔径的极紫外(13.5nm波长)光刻设备。研发背景随着半导体器件制造工艺的发展,N2(2nm制程节点)和A14(14埃制程节点)的研发正在...
光刻胶的主要技术参数
指光刻胶从曝光区到非曝光区过渡的陡度。对比度越好,形成图形的侧壁越陡峭,分辨率越好。3)敏感度(Sensitivity)。光刻胶上产生一个良好的图形所需一定波长光的最小能量值(或最小曝光量)。单位:毫焦/平方厘米或mJ/cm2。光刻胶的敏感性对于波长更短的深紫外光(DUV)、极深紫外光(EUV)等尤为重要。4)粘滞...
下一代EUV光刻,关键技术
旋涂化学放大光刻胶是193nmimmersion(193i)和EUV图案化中的主力材料,但近年来,干式光刻胶以新的化学配方出现,即所谓的金属氧化物光刻胶(MOR)。JSR(前身为Inpria)以旋涂形式提供MOR,LamResearch则以干式系统提供MOR。干法(基于CVD)光刻胶工艺的性能优势包括比有机材料更高的吸收率和图案坍塌...
国产破局现曙光:半导体专用电镜CD-SEM市场与企业盘点
1、CD-SEM照射样品的一次电子束能量较低,为1keV或以下。这是由于光刻胶或其他微结构很脆弱,降低CD-SEM电子束的能量可以减少电子束照射对样品的损伤,这样有利于晶圆进行下一步工序。2、CD-SEM注重于高精度和高速度的尺寸测量,通常配备有专门设计的电子枪、透镜和检测器,以实现在高吞吐率和高重复性下获得精确的...
三大产品线全力升级,东方晶源引领国内电子束量测检测发展
12英寸CD-SEM新一代机型SEpA-c430经过2年的迭代,在量测性能和速度上实现全面提升,目前也在多个客户现场完成验证(www.e993.com)2024年9月19日。该产品的量测重复精度达到0.25nm,满足28nm产线需求;通过提升电子束扫描和信号检测,产能提高30%;新推出的晶圆表面电荷补偿功能,可以提高光刻胶量测的能力。新机型还增加了自动校准功能,可确保较高的量...
EUV光刻机,大结局?
其中,CD是光刻图形的特征尺寸,光学系统在晶圆上可实现的最小线宽,即光刻机的分辨率,k1是工艺因子,DoF是光刻焦深,k2是工艺因子。至此,瑞利判据是波长和数值孔径的表达式,它描述了光刻机衍射极限系统中的分辨率极限,成为了光刻机发展的基础,近60年来,一直被光刻产业界奉为“金科玉律”。
【科普】芯片制造工艺:光刻(上)
光学光刻-掩膜、光刻胶光学光刻-曝光(设备、原理)光学光刻-提高分辨率:3.1减小λ:从436nm到13.5nm3.2增大NA:浸没式光刻机3.3减小K1:相移掩膜、光学邻近效应矫正、离轴照明、双重曝光1.光学光刻-掩膜、光刻胶1.1洁净室由于空气中的尘埃粒子会落到半导体晶圆和光刻掩模上,致使器件中产生缺陷,导致集...
沪市上市公司公告(11月6日)
彤程新材(603650)11月5日晚间公告,公司全资子公司彤程电子在上海化学工业区投资建设的年产1.1万吨半导体、平板显示用光刻胶及2万吨相关配套试剂项目工程阶段已竣工,目前已逐步进入试生产阶段。上海化学工业区工厂设计能力年产1千吨半导体光刻胶、1万吨显示用光刻胶和2万吨高纯EBR试剂(光刻胶去边剂)。
一周涨了11%的光刻胶到底是什么?
市场需求向高端光刻胶转移市场需求向高端光刻胶转移,KrF、ArF半导体光刻胶为短期竞争焦点。摩尔定律趋近极限,半导体制造制程进步使得所对应的光刻加工特征尺寸(CD)不断缩小,配套光刻胶也逐渐由G线(436nm)→I线(365nm)→KrF(248nm)→ArF(193nm)→F2(157nm)的方向转移,从而满足IC芯片制造更高集成...