朱永法教授团队Chem:可见光诱导价带内强氧化空穴产生

Side-CB和Side-VB分别表示导带最低点和价带最高点,分别对应LUCO和HOCO。Intra-VB指的是内部价带,本研究特别关注HOCO-1轨道。基于实验测定了PTCDA光催化剂的side-CB为-0.32V,side-VB的氧化电位为1.65V,HOCO-1的位置为2.98V。考虑到从HOCO-1到LUCO的电子跃迁需要高能激发(E≥3.30eV,λ≤376nm)以及HO...

可见光下从价带内产生空穴以增强氧化电位

Side-CB和Side-VB分别表示导带最低点和价带最高点,分别对应LUCO和HOCO。Intra-VB指的是内部价带,本研究特别关注HOCO-1轨道。基于实验测定了PTCDA光催化剂的side-CB为-0.32V,side-VB的氧化电位为1.65V,HOCO-1的位置为2.98V。考虑到从HOCO-1到LUCO的电子跃迁需要高能激发(E≥3.30eV,λ≤376nm)以及HOCO...

光催化半导体中的缺陷态和极化子的时间分辨光谱研究 | 进展

一般来讲,半导体导带和价带相对于标准氢电极的电势,是一项设计相应的光催化氧化-还原反应的判断标准。然而,在半导体纳米光催化材料的制备过程中不可避免地会引入大量的缺陷态,包括表面和体相的缺陷态。表面缺陷工程作为光催化领域一种重要的材料调控手段,可以帮助拓展光催化半导体材料在可见光范围内吸收,也可以帮助构建大...

量子材料中的自旋—动量锁定新效应

对称均为二重简并,总自旋极化为零,但投影至每个原子层的局域自旋极化不为零,即隐藏自旋极化;(c,d)导带与价带的三维能带示意图,其中箭头标出了能带的局域自旋极化;(e,f)分别进一步展示了导带和价带的局域自旋极化二维投影图,可以看到,导带为Dresselhaus型,而价带为Rashba型隐藏自旋极化[9]进一步研究发现,隐藏自旋...

光伏设备一级市场系列研究:降本增效目标下的技术迭代

科学家通过实验观测不同材料的能带结构及导带和价带在k空间的相对位置来发现直接带隙半导体和间接带隙半导体。常见的间接带隙半导体多为单质晶体,例如晶硅电池中使用的多晶硅(Si)和锗晶体(Ge);而现在发现的直接带隙半导体多为化合物,且已在薄膜电池中得到应用,例如:GaAs(砷化镓)、CdTe(碲化镉)。

我国氧化镓新进展!从硅到氧化镓,半导体是如何“进化”的?

想要更深层次地了解半导体,就需要先了解一下能带的概念(如下图所示)(www.e993.com)2024年11月9日。能带是根据电子能量高低及状态划分的区域,通常包括导带、禁带、价带三部分。电子在能带中的位置越高,其能量就越大。就像一个物体离地面越高,其重力势能就越大。晶体硅的能带及原子结构示意图(图片来源:作者绘制)...

光伏电池的技术之争,谁将在万亿市场中脱颖而出?

对于晶硅光伏电池,发电的核心结构是PN结。硅作为一种半导体材料,导电能力来自于可自由移动的电子和空穴两种载流子。由于空穴本质上是电子跃迁到导带自由移动后在价带留下的空位,因此二者是成对同时形成的。首先,如果是一块完全纯净的硅材料,两种载流子数量浓度相同,被称为本征半导体,这种状态下并不具备发电能力。

PECVD工艺制备背面氮化硅薄膜对双面 单晶硅太阳电池EL发黑的影响

分析造成此现象的原因,可能在于单纯增加上层膜边缘位置的折射率时,导致氮化硅薄膜上层膜边缘位置的致密性过高,因此在相同的开槽激光功率下,与硅片的中间位置相比,硅片边缘位置的激光刻槽深度变浅,影响了激光对硅片边缘位置背面氮化硅薄膜中底层膜、中层膜的开槽效果,从而影响了背面铝浆与硅基底的充分接触,使双面单晶硅...

看好了,世界地图是这么展开的 | No.340

当费米能级位于导带和价带之间时,因为费米面处在能隙中,可以参与导电的电子态密度为0,因此无法导电,被称为绝缘体。而对于拓扑绝缘体,其内部体态的能带结构与普通绝缘体相似,而其表面存在着一条可以导电的边界态,因此可以通过表面态进行导电,如下图所示。这条可以导电的表面导电通道,通常是由于导带-价带能带反转...

黑磷基异质结构光催化剂丨Engineering

应变调控的BP导带底(CBM)位置比H+/H2电势更负,而价带顶(VBM)位置比O2/H2O电势更正。BP具有合适的带隙宽度和导带价带位置,因此可以作为可见光驱动分解水的光催化剂。图2(a)采用Heyd-Scuseria-Ernzerhof(HSE06,杂化泛函计算)方法得出的引入单轴应变的BP导带底(CBM)和价带顶(VBM)位置;(b)通常条件或单轴...