吃透MOS管,看这篇就够了

做镜像电流源、运放、反馈控制等,都是利用mos管工作在放大区,由于mos管的特性,当沟道处于似通非通时,栅极电压直接影响沟道的导电能力,呈现一定的线性关系。由于栅极与源漏隔离,因此其输入阻抗可视为无穷大,当然,随频率增加阻抗就越来越小,一定频率时,就变得不可忽视。这个高阻抗特点被广泛用于运放,运放分析的虚连、...

MOS管的导通条件和MOS驱动电流计算

即mos管的导通沟道没有完全形成,这时的mos管是极其脆弱的。如果此时我们在mos管DS间设计大的电压,就可能会导致mos管的损坏,具体的原因是mos管没有完全导通,而此时DS压差又很大,又因为mos管自身有电阻的影响,所以导致此时通过mos管的电流也是比较大的。这里就需要说明mos管的另外两个概念,即:**预夹断&夹断**。

??基础回顾:电阻、电容、电感、二极管、三极管、mos管

电感器的Q值越高,其损耗越小,效率越高。3储能电感例如,在单片机系统中最常使用的开关电源LM2576电源电路中,所有的开关调节器都有两种基本的工作方式:即连续型和非连续型,两者之间的区别主要在于流过电感的电流不同,即电感电流若是连续的则称为连续型;若电感电流在一个开关周期内降到零则为非连续型。每一种...

从内部结构到电路应用,这篇文章把MOS管讲透了。

Mos管也能工作在放大区,而且很常见,做镜像电流源、运放、反馈控制等,都是利用mos管工作在放大区,由于mos管的特性,当沟道处于似通非通时,栅极电压直接影响沟道的导电能力,呈现一定的线性关系。由于栅极与源漏隔离,因此其输入阻抗可视为无穷大,当然,随频率增加阻抗就越来越小,一定频率时,就变得不可忽视。这个高...

如何让MOS管快速开启和关闭

如果不考虑纹波、EMI和冲击电流等要求的话,MOS管开关速度越快越好。因为开关时间越短,开关损耗越小,而在开关电源中开关损耗占总损耗的很大一部分,因此MOS管驱动电路的好坏直接决定了电源的效率。怎么做到MOS管的快速开启和关闭呢?对于一个MOS管,如果把GS之间的电压从0拉到管子的开启电压所用的时间越短,那么MOS...

干货| MOS管防护电路解析

虽然漏源击穿电压VDS一般都很大,但如果漏源极不加保护电路,同样有可能因为器件开关瞬间电流的突变而产生漏极尖峰电压,进而损坏MOS管,功率管开关速度越快,产生的过电压也就越高(www.e993.com)2024年11月11日。为了防止器件损坏,通常采用齐纳二极管钳位(图中D901)和RC缓冲电路(图中C916,R926)等保护措施,实测加上稳压管(D901)的效果要比加上RC...

分享几个常用的电平转换电路

阻值越小,可以提供更大的电流驱动能力,速率越高,但功耗也越高。在满足电路性能的前提下,用阻值更大的电阻,功耗更低。②MOS选型Vgs(th)阈值电压。MOS管Vgs电压过高会导致MOS管烧坏,过低也会导致MOS管打不开。实际使用时为保证完全导通,设计上要多预留余量。

开关电源电路设计的10个经验

在小功率设计中,一般很少用到整流桥的并联,但在某些大功率输出的情况下,不想增添新的器件单个整流桥电流又不满足输入功率要求,就需要用到整流桥的并联了,整流桥的并联不能采用两个整流桥各自整流后直流并联的方式,也就是不能采用图1的方式,因为整流桥没有配对,单纯靠自身的V-I特性,一般是无法均流的,这样就会造...

一文搞懂IGBT

8、具有高电流密度,使其能够具有更小的芯片尺寸。9、具有比BJT和MOS管更高的功率增益。10、具有比BJT更高的开关速度。11、可以使用低控制电压切换高电流电平。12、双极性质,增强了传导性。13、安全可靠。缺点:1、开关速度低于MOS管。

MOSFET基本原理、参数及米勒效应全解

为了解决这个问题,垂直导电结构应运而生。目前电力MOSFET大都采用了垂直导电结构,所以又称之为VMOSFET(VerticalMOSFET),大大提高了MOSFET器件的耐压和耐电流能力。电力MOSFET结构图如下图所示。图5N沟道增强型电力MOSFE结构示意图及符号电力MOSFET的工作原理与小功率MOSFET相同,这里不再赘述,当时相对应的夹断区、...