源杰科技: 陕西源杰半导体科技股份有限公司2023年年度报告(更新版)
????上述指标变动原因主要系:设节奏放缓的影响,销售额大幅下滑,同时国内市场部分产品价格竞争日益激烈,以及销售的产品结构发生了变化,造成了毛利率水平有所下降;数据中心方面,传统的云数据中心在经过几年较大规模的投资后,2023??年出现较为明显的放缓和下滑;了相应的减值准备。????经营活动产生的现金流...
源杰科技2023年年度董事会经营评述
此外,高速率激光器芯片相较于中低速率产品,在量子阱有源区、光栅层结构区、模斑转化器区域、光波导结构区、电流限制结构区、高频电极结构、谐振腔反射膜等关键结构的设计与开发上,需综合考虑光电特性、产品可靠性、制备工艺可行性等相互制约因素,因此存在极高壁垒。2.公司所处的行业地位分析及其变化情况公司聚焦于...
有了它 选择性发射极SE技术 PERC量产效率轻易突破22%?
发射极掺杂浓度对太阳电池转换效率的影响是双重的,采用高浓度的掺杂,可以减小硅片和电极之间的接触电阻,降低电池的串联电阻,但是高的掺杂浓度会导致载流子复合变大,少子寿命降低,影响电池的开路电压和短路电流。采用低浓度的掺杂,可以降低表面复合,提高少子寿命,但是必然会导致接触电阻的增大,影响电池的串联。选择性发射极...
Meta专利构思实现高量子效率的Micro LED像素
随着电流密度的进一步增加,光发射功率可能以较慢的速率增加,如图8中的曲线830所示,因此外部量子效率可能下降,因为当电荷载流子密度N足够高时,非辐射俄歇复合可能以比辐射复合(∞N2)更高的速率(∞N3)增加。俄歇复合是一个涉及三个载流子的非辐射过程。俄歇复合可能是效率下降的主要原因,并且可能是直接的或间接的。...
光伏行业深度报告:成结、镀膜、金属化,探究电池技术进步的本质
原因在于:常规晶体硅太阳能电池采用均匀高浓度掺杂的发射极。较高浓度的掺杂可以改善硅片与电极之间的欧姆接触,降低串联电阻,但也容易造成较高的表面复合。为此,需要使用选择性发射极(SE)技术,在金属栅线(电极)与硅片接触部位及其附近进行高浓度掺杂深扩散,而在电极以外的区域进行低浓度掺杂浅扩散。
SiC IGBT研究进展与前瞻
采用JFET区注入制备的SiCP沟道IGBT如图5所示,器件元胞大小为29μm,使用高质量的N型衬底,外延生长2μm的P型缓冲层,掺杂浓度为1×1017~2×1017cm-3,之后生长50μm掺杂浓度为2×1014~6×1014cm-3的P型外延层(www.e993.com)2024年7月4日。N阱和P型发射极分别使用氮(N)和铝(Al)离子注入...
超低阈值电驱动—光子晶体激光器|光谱|波长|泵浦|电子束_网易订阅
总的来说,激光腔的Q因子受到p掺杂区吸收的限制。我们应该注意到,尽管Q因子随着p掺杂剖面的偏移呈指数增长,但由于空穴的低迁移率,激光的注入效率将大幅下降。根据我们对LD激光器的测量,一个腔的总Q因子要超过4000才能捕获激光。3.3热特性用于芯片间和芯片内通信的激光器的另一个重要特性是它们在高温下的行为,特...
光伏基础原理|方向|载流子|电阻|电场|二极管_网易订阅
本征载流子:没有注入能改变载流子浓度的杂质的半导体材料叫做本征材料,浓度跟材料本身以及温度有关系,且电子空穴数目相等。N型半导体:掺杂后多子带负电,例如掺磷。P型半导体:掺杂后多子带正电,例如掺硼,掺镓。晶体硅的原子结构,最外层电子由四对共用电子对组成。
光伏设备行业研究:从原理端看光伏电池技术发展
产生复合的主要原因首先跟材料本身的内部缺陷以及杂质等相关,例如单晶硅少子寿命要优于多晶硅,N型要优于P型;其次是由于高浓度的扩散在电池前表面引入大量的复合中心,通过改变光伏电池的结构,退火氢钝化以及引入钝化膜,隧穿膜等方式,可以有效延长半导体内光生载流子寿命,减少复合,从而提高光电转化效率,因此...
帝尔激光研究报告:“帝”造匠心,卓“尔”不凡
激光掺杂工艺的原理在于,通过激光掺杂技术,在金属栅线(电极)与硅片接触部分进行重掺杂,而电极以外位置保持轻掺杂(低浓度掺杂)。这种结构减少发射极表面少子的复合,而金属电极和发射极之间又能形成良好的欧姆接触,从而获得更高的短路电流、开路电压和填充因子,提高太阳电池转化效率。在PERC电池上,SE技术能在与传...