美国警报拉响!65nm国产光刻机成功量产,推动8nm芯片多重曝光!

而这次中国的65nm光刻机量产，标志着芯片制造上迈出了关键的一步。更令人兴奋的是，多重曝光技术的应用，让8nm芯片的生产也变得可行。这一进展不仅满足了国内市场的需求，还在国际竞争中为中国争取了一席之地。特别是在如今国际形势下，芯片的自主生产能力已经成为国家安全和发展的重要保障。光刻机的国产化，绝对是...

国产光刻机突破8nm制程?工信部正式宣布,外媒:简直可笑!

此次公开的氟化氩光刻机属于干式ArF光刻机，其在指标上与ASML9年前发售的TWINSCANNXT：1470、1460k类似，远不如TWINSCANNXT：1980i设备先进，而1980i光刻机主要用于生产14nm及以上成熟芯片，其套刻精度为2.5nm，远超国产氟化氩光刻机的8nm，试问后者又如何能生产8nm芯片。综上所述，国产光刻机任重道远，...

国产套刻8nm光刻机引争议,我们追赶对象真的是ASML吗?

此次国产套刻指标≤8nm的氟化氩光刻机,实际制程约为55nm,技术水平仅相当于ASML于2015年二季度出货的TWINSCANXT1460K,甚至部分关键指标不如ASML2006年推出的干式DUV光刻机XT1450,所以总体差距在15—20年。对标有失偏颇,曝出尼康NSR-S636E狠角色曾几何时,我们在光刻机领域,始终将ASML作为主要的追赶对象,包...

工信部公开推广两款国产DUV光刻机!最小套刻≤8nm!多只光刻机概念...

东海证券认为,目前光刻机国产化率仅为2.5%,整机技术与海外差距较大,短期5~10年内一方面重点发展90nm、28nm光刻机的研发量产较为关键,一方面重点布局国内半导体零组件发展。光刻机产业链亟须发展东海证券称,根据中国国际招标网信息,半导体设备招标中,刻蚀、沉积等核心设备的国产化率获得了较大的提升,核心在于技术...

国产光刻机“套刻≤8nm”意味着什么

综合来看，这种规格的国产ArF光刻机性能与ASML于2015年二季度出货的ArF光刻机TWINSCANXT：1460K（分辨率为≤65nm，套刻精度＜5nm）较为接近。而按套刻精度与量产工艺1∶3的关系，这个光刻机理论上可量产28nm工艺的芯片。不过，业内人士认为，考虑到套刻精度误差更大等原因，该国产ArF光刻机可能还到不了“28nm...

俄罗斯首台光刻机,真的制造成功了

据塔斯社报道,俄罗斯第一台能够生产最大350nm(行业一般说0.35μm)尺寸芯片的光刻机已经创建并正在测试中(www.e993.com)2024年11月1日。俄罗斯联邦工业和贸易部副部长瓦西里·什帕克(VasilyShpak)在CIPR期间向塔斯社报告了这一点。他表示,“我们组装并制造了第一台国产光刻机。作为泽廖诺格勒技术生产线的一部分,目前正在对其进行测试。”俄罗斯...

国产光刻机“套刻≤8nm”意味着什么?接近ASML 2015年的水平

综合来看,这种规格的国产ArF光刻机性能与ASML于2015年二季度出货的ArF光刻机TWINSCANXT:1460K(分辨率为≤65nm,套刻精度<5nm)较为接近。而按套刻精度与量产工艺1∶3的关系,这个光刻机理论上可量产28nm工艺的芯片。不过,业内人士认为,考虑到套刻精度误差更大等原因,该国产ArF光刻机可能还到不了“28nm光刻机...

国产光刻机“套刻≤8nm”意味着什么?接近ASML 2015年的水平

综合来看,这种规格的国产ArF光刻机性能与ASML于2015年二季度出货的ArF光刻机TWINSCANXT:1460K(分辨率为≤65nm,套刻精度<5nm)较为接近。而按套刻精度与量产工艺1∶3的关系,这个光刻机理论上可量产28nm工艺的芯片。不过,业内人士认为,考虑到套刻精度误差更大等原因,该国产ArF光刻机可能还到不了“28nm光刻机...

工信部公开推广两款国产DUV光刻机!最小套刻≤8nm!多只光刻机概念...

东海证券认为,目前光刻机国产化率仅为2.5%,整机技术与海外差距较大,短期5~10年内一方面重点发展90nm、28nm光刻机的研发量产较为关键,一方面重点布局国内半导体零组件发展。光刻机产业链亟须发展东海证券称,根据中国国际招标网信息,半导体设备招标中,刻蚀、沉积等核心设备的国产化率获得了较大的提升,核心在于技术...

关于国家工信部突然官宣的“国产光刻机”,你需要知道的10件事

“此次官宣的国产光刻机,是一个套刻≤8nm,分辨率65nm,干式,波长193nm,DUV光刻机。”句子不算长,没有一个生僻字。但,如果不是对这行有了解的专业人士,有多少人能看懂?又能看懂多少个词?或许,要真的对这件事有概念,不被轻易带节奏,至少得先了解10件事。