美国委托雷神公司开发人造金刚石和氮化铝,以应对中国镓出口管制

氮化铝（AlN）具有更宽的带隙，约为6.2eV，使其更适合上述应用。雷神公司尚未开发出合适的半导体。在DARPA授予其合同的第一阶段，Raytheon的先进技术团队将专注于开发基于金刚石和氮化铝的半导体薄膜；第二阶段将专注于研发及改进金刚石和氮化铝技术，以用于更大直径的晶圆，特别是针对传感器应用。根据合同条款...

...薄膜沉积设备,由于涉及到高温制程,采用的陶瓷材料主要为氮化铝...

答:根据半导体行业内通常的认识,陶瓷加热器主要应用于薄膜沉积设备,由于涉及到高温制程,采用的陶瓷材料主要为氮化铝;静电卡盘主要应用于刻蚀设备,采用的陶瓷材料主要为氧化铝。随着半导体工艺的发展,陶瓷加热器与静电卡盘的区分开始有些模糊,比如公司生产的应用于薄膜沉积设备的某款陶瓷加热器就带静电卡盘,具备高温加热和静...

炬光科技(688167.SH):新一代预制金锡薄膜氮化铝衬底材料已完成...

格隆汇5月6日丨炬光科技(688167.SH)投资者关系活动记录表显示,公司原有半导体激光原材料业务中预制金锡薄膜氮化铝衬底材料目前仍在销售,但受光纤激光器市场竞争加剧的影响,由于个别客户的价格过低,公司选择性放弃,因此今年第一季度销量较去年同期显著下降。新一代预制金锡薄膜氮化铝衬底材料已完成研发,正处于客户导入阶段。

氮化铝(AlN)模板行业发展动向及市场前景研究报告

历史数据为2019至2023年,预测数据为2024至2030年。根据本项目团队最新调研,预计2030年全球氮化铝(AlN)模板产值达到110百万美元,2024-2030年期间年复合增长率CAGR为33.6%。全球氮化铝模板(AluminumNitrideTemplates)的核心厂商包括KymaTechnologies,DOWAElectronicsMaterials等,前三大厂商约占有全球60%的份额。亚太是...

150+院士专家和龙头企业分享:热管理材料的重点研发方向!

当前半导体器件领域缺乏微纳尺度薄膜热导率和界面热阻检测技术,它们是决定器件散热效果的核心因素,团队开发了泵浦-探测热反射检测技术题目:碳纳米管-石墨烯结对Si/Cu热界面阻的影响倪宇翔,西南交通大学教授本研究全面探讨了碳纳米管-石墨烯杂化结构对硅/铜(Si/Cu)界面热传输的影响,研究还揭示了温度对界面热阻的影...

北京理工大学团队在杂化范德华外延生长研究方向取得重要突破

为揭开这一神秘的生长机制,研究团队以氮化铝薄膜生长在石墨烯上为例,利用多尺度的理论计算和连续介质模型推导,系统研究了氮化铝薄膜在平面内(图2)和垂直于平面方向(图3)生长动力学过程(www.e993.com)2024年11月10日。有趣的是,他们发现氮化铝与石墨烯的界面存在一种新型的成键方式,即杂化范德华相互作用。这样一种独特的成键方式使得薄膜生长呈...

旭光电子:公司氮化铝材料项目已取得显著进展,氮化铝粉体年化产能...

并在下游应用端的三十余家企业进行了验证及实现批量供货;氮化铝结构件一期项目设计产能已达产,产品已通过国内部分客户认证及广泛应用于半导体产业的光刻工艺、刻蚀工艺、薄膜工艺、离子注入等工艺中;同时,为加速半导体用静电吸盘国产化进程,国家重点研发计划“氮化铝陶瓷组分设计及大尺寸辅热型静电吸盘制造和应用”项目正按...

综述:基于压电效应的光电子集成技术研究进展

压电薄膜材料研究进展在集成光电子器件的研究中,常见的压电薄膜材料包括氮化铝(AlN)、锆钛酸铅(PZT)、铌酸锂(LN)、二氧化铪(HfO??)等,表1展示了这些薄膜材料的特性。表1不同压电薄膜材料的物理性质AlN薄膜材料研究进展作为第三代半导体之一,AlN由于其出色的物理、热、机械和光学特性而备受关注。从结构上看...

SiC迎来劲敌?美国出招|带隙|sic|金刚石|晶体管_网易订阅

而从行业发展现状看来,UWBG领域的大部分研究工作集中在铝镓氮合金(AlxGa1–xN)、氮化硼(BN)、金刚石以及一大类二元(以β相氧化镓(β-Ga2O3)为代表)和三元氧化物半导体上。这些材料的可靠掺杂性和高载流子迁移率、可用于薄膜生长的基板以及设备的成功演示促使人们对这些材料进行了广泛的研究。

国产半导体设备实现关键突破!

研究团队通过深入探索多类型陶瓷材料的损伤生成机制，成功突破了硬脆材料加工过程中的力热调控以及大尺寸面型收敛工艺难题。他们创新性地提出了硬脆材料大深径比制孔、旋量可控磨抛等关键技术，不仅实现了对大尺寸复杂结构氮化硅、氮化铝陶瓷的高效加工，还显著降低了加工过程中的材料损伤。该主轴微纳调控超精密制造系统...