2024半导体设备系列报告之刻蚀设备:制程微缩叠加3D趋势,刻蚀设备...

-干法刻蚀:是目前主流的刻蚀技术,占比超90%,包括电容性等离子体刻蚀(CCP)和电感性等离子体刻蚀(ICP)两大类。-其他技术:如原子层刻蚀(ALE)技术,可实现原子层尺寸和精度的器件加工,满足先进芯片对刻蚀工艺的高要求。-设备特点-CCP刻蚀设备:适用于蚀刻硬介电材料和孔/槽结构,具有较强的深宽比加工能力。

刻蚀设备全线爆发!半导体第一大高价值设备,两大龙头强者恒强

国内市场中微公司和北方华创是国产刻蚀设备两家领军企业，分别在CCP和ICP领域占据领先地位。全球刻蚀设备竞争格局（%）：北方华创作为国内领先的平台型半导体设备企业，已成功实现12英寸硅片、金属及介质刻蚀机的全面覆盖。截至2023年底，其刻蚀产品系列累计出货量已超过3500腔（其中ICP超过3200腔，CCP超过100腔）。2023年公...

81页PPT丨半导体刻蚀设备产业链全景

由于刻蚀工艺复杂、技术壁垒高,全球刻蚀设备市场集中度高;华经产业研究院数据显示,2021年全球刻蚀设备CR3超90%。干法刻蚀是目前主流的刻蚀技术,可分为电容性等离子休刻蚀(CCP)和电感性等离子体刻蚀(ICP)两大类。CCP适用刻蚀硬介电材料以及孔/槽结构,其需求主要来自3DNAND等3D结构发展的推动ICP适用于刻蚀硬度低或...

半导体刻蚀设备行业报告:制程微缩叠加3D趋势,市场空间持续拓宽

根据产生等离子体方法的不同，干法刻蚀可分为电容性等离子体刻蚀（CCP）和电感性等离子体刻蚀（ICP）两大类。CCP受益3D发展趋势，制程微缩推动ICP需求增长。3DNAND：堆叠层数竞赛开启，高深宽比刻蚀/多堆栈堆叠技术齐发展3DNAND简介随着制程持续微缩，平面2DNAND的栅极结构和氧化层逐渐减小与变薄，进而导致...

zycgr21071302等离子体刻蚀机(8寸 ICP+CCP)公开招标公告

等离子体刻蚀机(8寸ICP+CCP)招标项目的潜在投标人应在上海市共和新路1301号D座2楼,上海中招招标有限公司。获取招标文件,并于2024年07月29日09点30分(北京时间)前递交投标文件。一、项目基本情况项目编号:STC24A290项目名称:等离子体刻蚀机(8寸ICP+CCP)...

2024-28年电感耦合等离子体刻蚀机ICP市场行情及发展前景研究报告

根据新思界产业研中心发布的《2024-2028年中国电感耦合等离子体刻蚀机(ICP刻蚀机)市场行情监测及未来发展前景研究报告》显示,ICP刻蚀机可替代或部分替代电容性等离子体(CCP)蚀刻机、反应离子(RIE)刻蚀机等,目前其已成为等离子体刻蚀设备中应用最广泛的刻蚀设备,市场占比达50%以上(www.e993.com)2024年11月19日。2023年,全球ICP刻蚀机市场销售规模约78...

中微公司迎第3000台CCP刻蚀设备反应腔付运里程碑

证券时报e公司讯,近日,中微半导体设备(上海)股份有限公司(以下简称“中微公司”)的电容耦合等离子体(CCP)刻蚀设备第3000台反应腔顺利付运国内一家先进的半导体芯片制造商。“特别声明:以上作品内容(包括在内的视频、图片或音频)为凤凰网旗下自媒体平台“大风号”用户上传并发布,本平台仅提供信息存储空间服务。Notice...

中微公司CCP刻蚀设备迎3000台里程碑:国产半导体再获突破

中微公司(688012)成功交付第3000台CCP刻蚀设备在半导体设备制造领域,中微半导体设备(上海)股份有限公司近日实现了又一重要里程碑,其电容耦合等离子体(CCP)刻蚀设备成功交付第3000台反应腔。这一重要节点标志着中微公司在半导体设备制造领域的影响力和竞争力的进一步提升。

北方华创:ICP刻蚀、CCP刻蚀、TSV刻蚀设备可满足多种技术代的存储...

金融界2月28日消息，有投资者在互动平台向北方华创提问：您好，请问公司的刻蚀设备、TSV设备目前及未来是否可以应用于DRAM、HBM等存储芯片制造中吗？公司回答表示：公司的ICP刻蚀、CCP刻蚀、TSV刻蚀设备可以满足多种技术代的存储芯片制造。本文源自：金融界AI电报作者：公告君...

...持续推荐中微公司】长存加速转向国产设备,刻蚀设备龙头显著受益

公司针对先进逻辑和存储器件制造中关键刻蚀工艺的高端产品新增付运量显著提升,CCP和ICP刻蚀设备的销售增长和在国内主要客户芯片生产线上市占率均大幅提升。目前针对逻辑和存储芯片制造中最关键刻蚀工艺的多款设备已在客户产线展开验证。CCP:截至24H1,公司累计生产付运超过3600个CCP刻蚀反应台,24H1新增付运设备数量创...