2024半导体设备系列报告之刻蚀设备:制程微缩叠加3D趋势,刻蚀设备...

-刻蚀设备选择:Bosch刻蚀是TSV的关键工艺,通常选择ICP刻蚀设备。3.技术特点与设备分类-技术分类-干法刻蚀:是目前主流的刻蚀技术,占比超90%,包括电容性等离子体刻蚀(CCP)和电感性等离子体刻蚀(ICP)两大类。-其他技术:如原子层刻蚀(ALE)技术,可实现原子层尺寸和精度的器件加工,满足先进芯片对刻蚀工艺的...

半导体刻蚀设备行业报告:制程微缩叠加3D趋势,市场空间持续拓宽

金属硬掩膜一体化刻蚀（AIO-ET，AllInOneEtch）需在干法刻蚀机的同一个工艺腔体内一次完成，包括：①一次光刻完成沟槽形貌定义；②金属刻蚀腔完成金属掩膜刻蚀、去光刻胶，停在TEOS上，完成沟槽形貌刻蚀；③二次光刻完成通孔形貌定义；④干法刻蚀形成半通孔形貌+去光刻胶+沟槽&通孔一步刻蚀+盖帽层刻蚀。金属...

总编辑看无锡|国内首条高端光子芯片中试线在无锡滨湖正式启用

“在光子芯片工艺研发上，从DUV光刻工艺到干法刻蚀工艺，再到光波导的设计与制造，团队已自主研发多项关键技术，成功实现薄膜铌酸锂光子芯片的规模集成。这些技术突破为我们未来基于6/8寸薄膜铌酸锂晶圆的光子芯片量产工艺奠定了坚实的基础，也为光子芯片的产业化提供了切实可行的路径。”光子芯片中试线以高端光子芯片的研...

Semicon半导体工艺:干法刻蚀与湿法刻蚀的区别和特点

干法刻蚀的优点是能够实现100纳米以下的精细图形转移,缺点是成本高、产能低、材料选择性不如湿法、等离子体可能对芯片造成电磁辐射损坏。刻蚀方向是各向异性。图:干法刻蚀与湿法刻蚀的区别,来自kingsemi2、湿法刻蚀①定义湿法刻蚀是在大气环境下,利用化学品溶液去除品圆表面的材料的工艺过程。湿法刻蚀主要利用溶液中...

干法刻蚀不可或缺的一环,刻蚀清洗液——上海新阳

干法刻蚀之后,紧接着就需要用清洗液对刻蚀后残留物进行完全去除,保护产品,保证质量,是不可或缺的一环。300236上海新阳公司开发的芯片铝制程无羟胺干法蚀刻后清洗液技术,突破了几十年来严重依赖羟胺这样一种全球只有一家生产供应商的困局,在全球铝制程干法刻蚀后清洗液率先实现了突破。同时,该技术也具有清洗效果优异...

科学家成功改进等离子体深硅刻蚀技术,将晶圆微纳技术提至10nm级别...

基于干法刻蚀的微纳加工技术,能够以精确图案化的方式,制造特征尺寸更小的半导体器件(www.e993.com)2024年11月17日。进而能在量子信息、人工智能、集成电路、微机电系统和微电子器件制造中发挥举足轻重的作用。随着微细加工技术的不断进步,以及电信、汽车、生物医疗等行业对于微型设备需求的推动之下,在开发更小、更高效、更高性能的设备上,等离子体...

一万八干字详解半导体刻蚀工艺_腾讯新闻

干法刻蚀(DryEtching):在干法刻蚀中,使用等离子体产生的活性离子和自由基与材料发生反应,生成挥发性产物,常用于精确的图案转移。湿法刻蚀(WetEtching):使用液态化学试剂与材料发生反应,形成可溶解的产物,然后通过溶液移除,这种方法适用于大面积材料的均匀去除。

一万八干字详解半导体刻蚀工艺_腾讯新闻

干法刻蚀(DryEtching):在干法刻蚀中,使用等离子体产生的活性离子和自由基与材料发生反应,生成挥发性产物,常用于精确的图案转移。湿法刻蚀(WetEtching):使用液态化学试剂与材料发生反应,形成可溶解的产物,然后通过溶液移除,这种方法适用于大面积材料的均匀去除。

国内首条12英寸智能传感器晶圆制造产线项目投产启动仪式举行芯片...

芯片有了“增城造”走进增芯项目主厂房参观通道,可直观了解芯片制造生产过程。芯片制造对洁净环境要求非常高,记者在现场看到,包括光刻机、干法刻蚀机等在内的晶圆加工设备以及各种检测和测试设备有序摆放,整个操作车间一尘不染,工作人员身穿洁净服进行操作。目前项目一期洁净间的面积达1.6万平方米,预计2025年底能达到...

全球芯片关键技术研究最新进展

观察各方研发动态,据全球半导体观察不完全统计,今年来共有超30项关键技术取得重要进展,涉足类脑芯片、光子芯片、人工智能芯片、第三/四代半导体(碳化硅/氮化镓/氧化钾/金刚石等),以及光刻胶材料、存储器、晶体管器件等方面。破局第一篇:前沿芯片出世