铌酸锂集成光电子技术:进展与未来展望

薄膜铌酸锂还可以与其他光电子平台集成:·将薄膜铌酸锂薄膜与硅、氮化硅或其他基底结合·在薄膜铌酸锂上沉积非晶硅等材料这使混合器件能够结合不同材料系统的优点。关键光电子器件电光调制器薄膜铌酸锂中的大普克尔效应可实现高速、低电压的电光调制。薄膜薄膜铌酸锂调制器已证明:·带宽>100GHz·半波...

8寸硅光薄膜铌酸锂晶圆在中国诞生 国研政情·经济信息智库

九峰山实验室的科研团队经过不懈的努力和创新,成功开发出与8寸薄膜铌酸锂晶圆相匹配的深紫外(DUV)光刻、微纳干法刻蚀及薄膜金属工艺。这不仅实现了低损耗铌酸锂波导、高带宽电光调制器芯片、高带宽发射器芯片的高度集成,更为薄膜铌酸锂光电芯片的研制与超大规模光子集成提供了一条极具前景的产业化技术路线。此项成果的...

上海微系统所在八英寸SOI/铌酸锂异质集成技术方面取得重要进展

团队成员利用上海微技术工业研究院标准180nm硅光工艺在八英寸SOI上制备了硅光芯片,然后基于“离子刀”异质集成技术(图1),通过直接键合的方式将铌酸锂与SOI晶圆实现异质集成,并通过干法刻蚀技术实现了硅光芯片波导与LN电光调制器的单片式混合集成,制备出通讯波段MZI型硅基铌酸锂高速电光调制器。得益于优良的材料质量...

全球首片8寸硅光薄膜铌酸锂光电集成晶圆在武汉下线

九峰山实验室工艺中心基于8寸薄膜铌酸锂晶圆，开发与之匹配的深紫外(DUV)光刻、微纳干法刻蚀及薄膜金属工艺，成功研发出首款8寸硅光薄膜铌酸锂晶圆，实现低损耗铌酸锂波导、高带宽电光调制器芯片、高带宽发射器芯片集成。此项成果为薄膜铌酸锂光电芯片的研制与超大规模光子集成提供了一条极具前景的产业化技术路线，为...

八英寸SOI/铌酸锂异质集成技术取得进展

本报讯(见习记者江庆龄)近日,中国科学院上海微系统与信息技术研究所研究员蔡艳、欧欣合作,利用上海微技术工业研究院标准180纳米硅光工艺在八英寸绝缘体上硅(SOI)上制备了硅光芯片,再基于“离子刀”异质集成技术,通过直接键合的方式实现铌酸锂(LN)与SOI晶圆的异质集成,并通过干法刻蚀技术实现了硅光芯片波导与铌酸锂电光...

八英寸SOI/铌酸锂异质集成技术新进展—新闻—科学网

硅基材料与集成器件实验室研究员蔡艳、欧欣合作,利用上海微技术工业研究院标准180nm硅光工艺在八英寸SOI上制备了硅光芯片,再基于“离子刀”异质集成技术,通过直接键合的方式将铌酸锂与SOI晶圆实现异质集成,并通过干法刻蚀技术实现了硅光芯片波导与LN电光调制器的单片式混合集成,制备出通讯波段MZI型硅基铌酸锂高速...

上海市科学技术委员会

研究内容:针对干法刻蚀薄膜铌酸锂微观机理和铁电薄膜畴工程动力学过程中的难题,开展铌酸锂刻蚀微观损伤机理及晶格恢复机制,微纳尺度下光与物质相互作用原理,弱光高效非线性增强方法等研究,研究铌酸锂光折变效应及直流漂移问题抑制方法,薄膜铌酸锂畴工程动力学过程以及微纳畴结构制备技术等,开展微纳尺度下光与物质...

16家!2023年国产半导体设备商IPO情况盘点

盾源聚芯主要从事硅部件和石英坩埚的研发、生产和销售。主要产品包括:半导体芯片加工设备用的硅环、硅喷淋头、硅舟、硅喷射管等硅部件产品、单晶/多晶硅部件材料产品以及生产半导体单晶硅和太阳能单晶硅用的石英坩埚产品。盾源聚芯硅部件产品在芯片加工流程里主要用于热氧化、刻蚀(干法)、退火、扩散、化学气相沉积。

...郑远林教授课题组在Optica发文:高性能微米级铌酸锂薄膜波导...

新兴的基于电子束曝光与干法刻蚀加工可在纳米级铌酸锂薄膜基础上实现铌酸锂纳米波导,有效地减小了波导横截面并极大地增强光与物质相互作用,归一化效率极其优异,但由于其与单模光纤的模式失配严重,器件纤到纤的性能表现往往差强人意,难以在实际链路中进行应用。需要进一步通过模式耦合器来降低插损以及纳米加工精度来保证批量...

铌酸锂集成光路:孕育自主产业链的前沿基础研究

一旦能够在铌酸锂单晶薄膜衬底上制备出类似于硅纳米线那样的平面波导,将能够同时满足集成光路领域一直所渴望的低损耗、小弯曲半径以及高调控效率等一系列苛刻的关键要求。但是长期以来,由于铌酸锂晶体具有稳定的物理与化学特性,无法采用类似半导体光刻的技术对其进行精密刻蚀。因此,实现低损耗铌酸锂光波导的制备技术直至最近才...