集成电路技术与产业发展

一、集成电路的发明与技术进步1.1集成电路与集成电路产业,IntegratedCircuit(IC)1.1.1集成电路的概念集成电路(IntegratedCircuit,IC)是指通过一系列特定的加工工艺,将晶体管、二极管等有源器件和电阻器、电容器等无源元件,按照一定的电路互连,“集成”在半导体(如硅或砷化镓等化合物)晶片上,封装在一个外壳内,...

盛美上海2024年半年度董事会经营评述

4、湿法刻蚀设备公司的湿法刻蚀设备使用化学药液进行晶圆球下金属层(UBM)的刻蚀工艺。该设备具备领先的喷嘴扫描系统,可提供行业领先的化学温度控制、刻蚀均匀性。该设备专注安全性,并且拥有药液回收使用功能从而减少成本,刻蚀腔内可兼容至多三种刻蚀药液单独使用及回收,提高使用效率。5、湿法去胶设备公司的UltraCpr...

全球芯片正在破局……

电子科技大学基础与前沿研究院周强教授课题组、清华大学电子工程系孙长征教授课题组联合中国科学院上海微系统与信息技术研究所等机构，通过迭代电子束曝光和干法刻蚀工艺，攻克高质量氮化镓晶体薄膜生长、波导侧壁与表面散射损耗等技术难题，在国际上首次将氮化镓材料运用于量子光源芯片。

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刻蚀可以分为湿法刻蚀和干法刻蚀。湿法刻蚀各向异性较差,侧壁容易产生横向刻蚀造成刻蚀偏差,通常用于工艺尺寸较大的应用,或用于干法刻蚀后清洗残留物等。等离子体干法刻蚀是目前主流的刻蚀技术。等离子体刻蚀设备是一种大型真空的全自动的加工设备,一般由多个真空等离子体反应腔和主机传递系统构成。等离子体刻蚀设备的分类...

中微半导体设备(上海)股份有限公司 2023年年度报告摘要

刻蚀可以分为湿法刻蚀和干法刻蚀。湿法刻蚀各向异性较差,侧壁容易产生横向刻蚀造成刻蚀偏差,通常用于工艺尺寸较大的应用,或用于干法刻蚀后清洗残留物等。等离子体干法刻蚀是目前主流的刻蚀技术。等离子体刻蚀设备是一种大型真空的全自动的加工设备,一般由多个真空等离子体反应腔和主机传递系统构成。等离子体刻蚀设备的分类...

填补空白!西安新增8/6英寸半导体制造产线|光刻|电子材料|西安咸阳...

此外,清洗与抛光、湿法刻蚀及光刻显影、去胶等步骤需要湿法制程设备(www.e993.com)2024年11月19日。以半导体清洗设备为例,根据亚化咨询预测,2025年全球市场将达近41亿美元,此外,清洗设备的国产化率仅在20%左右。未来国内湿制程设备将迎来广阔机遇。由瑞士万通黄金赞助的第四届半导体湿电子化学品与电子气体论坛2023将于4月26日在杭州召开。会议由...

南通华林科纳---ZnO上 ZnCdO 的选择性湿法刻蚀

南通华林科纳---ZnO上ZnCdO的选择性湿法刻蚀1.5:1保持不变,仅使用Cd细胞温度来控制生长过程中的组成。生长后,对样品进行室温CL测量,以确定ZnCdO的近班德奇发射峰的光谱位置。通过后向散射和校准的x射线光电子光谱XPS测量结果验证了Cd的组成,确定为4.8±0.3%。我们的ZnCdO的实验带隙是在25°C下阴极发光CL的...

《炬丰科技-半导体工艺》ICP刻蚀氮化镓基LED结构的研究

氮化镓作为一种宽带隙半导体，已被用于制造发光二极管和激光二极管等光电器件。在光电子器件的制造过程中，蚀刻是图案化所需的技术。由于氮化镓的化学惰性和高热稳定性，没有辅助的湿法刻蚀方法是不合适的。最近已经开发了几种不同的GaN基材料干法刻蚀技术，包括反应离子刻蚀(RIE)、电子回旋共振(ECR)刻蚀和电感耦合等离子...

半导体风向标中微公司“小步快跑”:晶圆扩产潮下的刻蚀机国产化之路

其中刻蚀是将晶圆表面不需要的材料逐渐去除,常用设备有刻蚀机等。按工艺刻蚀分为湿法刻蚀和干法刻蚀,集成电路中需要多种类型的干法刻蚀工艺,应用硅片上各种材料。根据刻蚀的材料,干法刻蚀又分为介质刻蚀、硅刻蚀和金属刻蚀三大类。从下游半导体行业刻蚀的应用来看,业内认为介质刻蚀、硅刻蚀都是市场主要需求点,拥有47%...

朱刚毅:悬空车轮形氮化镓发光二极管

朱刚毅：悬空车轮形氮化镓发光二极管原创长光所Light中心中国光学编者按近日，南京邮电大学的朱刚毅副教授在《发光学报》发表了题为"FloatingenhancedGaNMicroWheelLEDsfor3dBcommunication"的论文。该工作采用标准半导体工艺在硅衬底上制备了氮化镓（GaN）基车轮形发光器件。采用各向同性湿法刻蚀工艺将器件悬空...