...瑞思微组装设备领先全球;东南大学学者突破高选择性湿法刻蚀...

第三焊头转动180度后,其上芯片移动至第四焊头下方,第四焊头吸取芯片并下行,使得芯片与工作台上晶圆键合。简而言之,艾科瑞思的微组装机专利,通过双向视觉识别焊头上芯片的位置和工作台上晶圆的位置,提高芯片和晶圆的键合精度,同时提高芯片组装效率以及加工质量。艾科瑞思专注于高性能半导体装片机的研发、设计,产品已经...

国内首条光子芯片中试线在无锡启用

据悉，该中试平台总面积17000平方米，集科研、生产、服务于一体，配套设施完善且配备超100台国际顶级CMOS工艺设备，覆盖了薄膜铌酸锂光子芯片从光刻、薄膜沉积、刻蚀、湿法、切割、量测到封装的全闭环工艺。平台还兼顾硅、氮化硅等其他材料体系，搭建N个特色工艺平台，形成领先的“1+N”先进光子器件创新平台，不仅可为高...

国内首条光子芯片中试线启用,覆盖从光刻到封装全闭环工艺

为此，上海交大无锡光子芯片研究院率先在无锡布局国内首条高端光子芯片中试线。中试平台总面积17000平方米，集科研、生产、服务于一体，配备超100台“国际顶级CMOS工艺设备”，覆盖了薄膜铌酸锂光子芯片从光刻、薄膜沉积、刻蚀、湿法、切割、量测到封装的全闭环工艺。该平台还兼顾硅、氮化硅等其他材料体系，搭建...

华林科纳新一代槽式一体机——湿法刻蚀清洗一体机

以下为华林科纳湿法刻蚀清洗一体机的详细信息:一、工作原理湿法刻蚀:在将产品放入槽内后,槽盖密封关上,体内开始进行抽真空模式同时超声波开启,此方式利用超声波清洗在一定真空度下优质的空穴效应,增强化学蚀刻溶液与被蚀刻物体表面发生化学反应,排除工件表面和孔隙中的空气,从而有效的剥离或去除部分杂质或材料。DIW...

晶合集成申请一种失效芯片的分析方法专利,能够提高分析的速度和...

所述铜金属层之间通过导电插塞连接,且所述目标区上的所述导电插塞的密度小于所述衬垫区上的所述导电插塞的密度;通过刻蚀将失效芯片减薄至顶层铜金属层;将减薄后的所述失效芯片湿法刻蚀预设时间后,所述衬垫区上的所述铜金属层的层数小于所述目标区上的所述铜金属层的层数;以及对浸泡后的所述失效芯片进行研磨,...

Semicon半导体工艺:干法刻蚀与湿法刻蚀的区别和特点

干法刻蚀的优点是能够实现100纳米以下的精细图形转移,缺点是成本高、产能低、材料选择性不如湿法、等离子体可能对芯片造成电磁辐射损坏(www.e993.com)2024年11月17日。刻蚀方向是各向异性。图:干法刻蚀与湿法刻蚀的区别,来自kingsemi2、湿法刻蚀①定义湿法刻蚀是在大气环境下,利用化学品溶液去除品圆表面的材料的工艺过程。湿法刻蚀主要利用溶液中...

一万八干字详解半导体刻蚀工艺_腾讯新闻

干法刻蚀(DryEtching):在干法刻蚀中,使用等离子体产生的活性离子和自由基与材料发生反应,生成挥发性产物,常用于精确的图案转移。湿法刻蚀(WetEtching):使用液态化学试剂与材料发生反应,形成可溶解的产物,然后通过溶液移除,这种方法适用于大面积材料的均匀去除。

一万八干字详解半导体刻蚀工艺_腾讯新闻

干法刻蚀(DryEtching):在干法刻蚀中,使用等离子体产生的活性离子和自由基与材料发生反应,生成挥发性产物,常用于精确的图案转移。湿法刻蚀(WetEtching):使用液态化学试剂与材料发生反应,形成可溶解的产物,然后通过溶液移除,这种方法适用于大面积材料的均匀去除。

专家访谈精华:全球刻蚀设备龙头

逻辑芯片、DRAM、NAND等下游产品向更高容量和更先进制程发展的需求将持续,推动光刻、刻蚀和薄膜沉积设备需求的增长。■凭借在高端设备市场的主导地位和对先进制程需求的把握,TEL将在全球半导体设备市场中继续保持领先地位。■芯源微等国产企业的快速发展显示出中国半导体设备行业的巨大潜力,未来可能在全球市场上进一步...

捷佳伟创:子公司中标半导体碳化硅整线湿法设备订单

e公司讯,据捷佳伟创消息,近日公司子公司创微微电子(常州)有限公司(简称:创微微电子)在竞标中技术与商务综合评估领先,中标半导体碳化硅整线湿法设备订单并完成合同签署。此次中标,标志着创微微电子6/8吋槽式及单片全自动湿法刻蚀清洗设备已经覆盖了碳化硅器件刻蚀清洗全段工艺,具备替代进口设备的能力。