吃透MOS管,看这篇就够了
Mos管用于控制大电流通断,经常被要求数十K乃至数M的开关频率,在这种用途中,栅极信号具有交流特征,频率越高,交流成分越大,寄生电容就能通过交流电流的形式通过电流,形成栅极电流。消耗的电能、产生的热量不可忽视,甚至成为主要问题。为了追求高速,需要强大的栅极驱动,也是这个道理。试想,弱驱动信号瞬间变为高电平,但是...
MOS管烧了,可能是这些原因
持续时间短、大电流过载会导致MOS管器件逐渐损坏,但是在故障发生前MOS管的温度几乎没有明显升高,不太能察觉出来。(也可以看下面分析的直通和反向恢复部分)击穿(交叉传导)如果两个相对MOS管的控制信号重叠,则可能会出现两个MOS管同时导通的情况,这会使电源短路,也就是击穿条件。如果发生这种情况,每次发生开关转换...
从内部结构到电路应用,这篇文章把MOS管讲透了。
上图的栅极通过金属氧化物与衬底形成一个电容,越是高品质的mos,膜越薄,寄生电容越大,经常mos管的寄生电容达到nF级,这个参数是mos管选择时至关重要的参数之一,必须考虑清楚。Mos管用于控制大电流通断,经常被要求数十K乃至数M的开关频率,在这种用途中,栅极信号具有交流特征,频率越高交流成分越大,寄生电容就能通过...
拆解报告:AITO问界新能源汽车前装50W无线充电模块
另一颗用于供电控制的MOS管来自DIODES,型号DMP32M6SPS,PMOS,耐压-30V,导阻2.6mΩ,采用PowerDI5060-8封装。五颗滤波电容规格为100μF25V。同步升降压控制器来自MPS芯源半导体,丝印MP4284。四颗同步升降压开关管特写。同步升降压开关管来自DIODES,丝印HK8,型号为DMTH43M8LFGQ,NMOS,耐压40V,导阻3mΩ,工作温...
MOS管的导通条件和MOS驱动电流计算
下面我们根据此MOS计算mos管栅极打开时,所需的电流值,公式如下:**此处的FSW代表的为mos管开关频率,QG则代表的是mos管寄生电容值(一般我们取最大值)。以该mos管的QG=170nc,FSW=500K为例计算:IG=500*170=85000uA=85mA(所以从此处可以看出,当开关频率越高时,栅极所需要的驱动电流越大),显然这样的电流不...
速看!大厂联想都在用的ACDC快充芯片你不来看看吗?
其利用MOS管极低的导通压降,消除肖特基二极管的压降损耗,降低温升提高效率(www.e993.com)2024年9月9日。芯片支持系统工作在电流断续模式DCM,电流连续模式CCM,准谐振谷底导通模式QRM,临界导通模式CRM等多种工作模式。ETA8003x支持10-150KHz开关频率。ETA8003x的智能多重开通判定条件有效地防止了误开通,不开通的不良情况;3A大电流下拉和25ns关断...
如果把开关电源的频率无限提升,会发生什么?
那么对于这个mos管来说,它的极限开关频率(在这种极限情况下,mos管刚开通就关断)fs=1/(16+12+83+5)ns=8.6MHz,当然,在实际应用中,由于要调节占空比,不可能让开关管一开通就关断,所以实际的极限频率是远低于8.6MHz的,所以器件本身的开关速度是限制开关频率的一个因素。
2024年计算机软考中级【硬件工程师】面试题目汇总(附答案)
11、单片机可以直接驱动MOS管吗?解题思路以stm32单片机为例,其io的输出电流一般在十几毫安到几十毫安之间,驱动器件的时候多采用单片机低电平驱动能力强的特点。但是单片机的io口不能直接驱动MOS管,因为无法提供足够的输出电流,因此想要驱动MOS管,需要在使用低电流驱动的同时再接一个三极管,达到扩充io口输出电流的作...
高效电源管理,杰华特推出JW3655E多串升降压锂电池充电芯片
杰华特推出的JW3655E多串升降压锂电池充电芯片,支持4.2-21V输入电压,开关频率达450KHz,充电电流最大3A,在技术上实现了电池管理的精细化和高效化,可通过H桥MOS管实现升降压转换,支持最多4款锂电池应用,充电电流与电流可由外接电阻设置,内置多种保护机制并采用QFN3*4-15封装,可为数字化时代的电源管理提供了可靠的...
TTL与CMOS,很基础但很多人不知道
由建立时间可以知道,TTL电路的电流较大。由此其功耗较大。而元器件功耗与另一因素有关。开关频率,开关频率越大,消耗的功率越大,表现为热。注意事项:CMOS电路:CMOS电路输入端,需要确定默认状态,不能悬空,因为输入管脚对于干扰信号的很敏感,一旦悬空,很容易引入干扰。