吃透MOS管,看这篇就够了
Mos管用于控制大电流通断,经常被要求数十K乃至数M的开关频率,在这种用途中,栅极信号具有交流特征,频率越高,交流成分越大,寄生电容就能通过交流电流的形式通过电流,形成栅极电流。消耗的电能、产生的热量不可忽视,甚至成为主要问题。为了追求高速,需要强大的栅极驱动,也是这个道理。试想,弱驱动信号瞬间变为高电平,但是...
MOS管烧了,可能是这些原因
持续时间短、大电流过载会导致MOS管器件逐渐损坏,但是在故障发生前MOS管的温度几乎没有明显升高,不太能察觉出来。(也可以看下面分析的直通和反向恢复部分)击穿(交叉传导)如果两个相对MOS管的控制信号重叠,则可能会出现两个MOS管同时导通的情况,这会使电源短路,也就是击穿条件。如果发生这种情况,每次发生开关转换...
威兆高效MOS管获数百款产品采用_腾讯新闻
开关频率高,更高效,导阻为8.5m??。这款器件同样采用无铅无卤素工艺,符合RoHS规范,常用于输出VBUS开关管和输出电流采样。相关阅读:1、拆解报告:美富达100WUSBPD桌面快充充电器威兆VS3510AE威兆VS3510AE是一款5V逻辑电平控制的增强型PMOS,耐压30V,采用PDFN3333封装,开关频率高,导阻为10m??。这款器件10...
MOS管的导通条件和MOS驱动电流计算
**此处的FSW代表的为mos管开关频率,QG则代表的是mos管寄生电容值(一般我们取最大值)。以该mos管的QG=170nc,FSW=500K为例计算:IG=500*170=85000uA=85mA(所以从此处可以看出,当开关频率越高时,栅极所需要的驱动电流越大),显然这样的电流不是我们一般IO管脚可以提供的,所以我们一般采用到了推挽电路(推挽电路...
从内部结构到电路应用,这篇文章把MOS管讲透了。
上图的栅极通过金属氧化物与衬底形成一个电容,越是高品质的mos,膜越薄,寄生电容越大,经常mos管的寄生电容达到nF级,这个参数是mos管选择时至关重要的参数之一,必须考虑清楚。Mos管用于控制大电流通断,经常被要求数十K乃至数M的开关频率,在这种用途中,栅极信号具有交流特征,频率越高交流成分越大,寄生电容就能通过...
2024年计算机软考中级【硬件工程师】面试题目汇总(附答案)
11、单片机可以直接驱动MOS管吗?解题思路以stm32单片机为例,其io的输出电流一般在十几毫安到几十毫安之间,驱动器件的时候多采用单片机低电平驱动能力强的特点(www.e993.com)2024年9月9日。但是单片机的io口不能直接驱动MOS管,因为无法提供足够的输出电流,因此想要驱动MOS管,需要在使用低电流驱动的同时再接一个三极管,达到扩充io口输出电流的作...
能华推出3款氮化镓适配器,再度完善氮化镓产品生态链
核心开关器件是来自能华的CoreGaN氮化镓器件CE65H270TOEI,耐压650V,瞬态耐压800V,导阻为270mΩ,极低的门极电荷,开关速度快,损耗低,可以大大提高系统能效;另外其驱动电压范围+-20V,大大提高了系统可靠性,并且和传统的SiMOSFET驱动兼容;这颗器件采用TO-252封装,成本低,热容大而且热阻小,这种封装可...
GeForce RTX 4070 Ti SUPER首发评测:加量不加价,2K超高刷
技术介绍了那么多,还要看“疗效”怎么样。在3DMark的DLSS测试里,有DLSS3的加持下,影驰RTX4070TiSUPER大将在2K分辨率下,开关DLSS3的差距接近3倍以上,174FPS的表现也告诉你它确实能够胜任2K高刷游戏这份殊荣,比起之前的RTX4070Ti也要高出近20FPS以上!4K分辨率也不虚,115FPS的表现差点就实现了4K高刷...
充电桩充电模块常见结构、原理以及市场调研
通过调节频率实现输出电压的调节,难以实现输出电压的宽范围调节,谐振电感和变压器设计困难,开关频率不固定,难以实现更大容量。(3)三电平全桥移相ZVS:英飞源、维谛技术(原艾默生)采用的这种三电平全桥移相ZVS。1、采用三电平技术,可以减小开关管的电压应力,从而使用650V的MOS管,提高整机开关频率,减小输出滤波电感的...
专为快充宽压设计,五家快充芯片大厂推出AHB架构主控芯片
DK8715AD是一颗基于不对称半桥架构,集成了两颗氮化镓功率器件的AC-DC功率开关芯片,其能够在较大的负载范围内实现原边功率管ZVS,副边整流管ZCS,从而提高电源系统效率。同时软开关还可以降低功率管应力,从而减小开关损耗并改善电磁干扰。DK8715AD支持最高800KHz开关频率,待机功耗小于50mW,具备自适应死区时间,外围极致...