【放弃】和硕放弃昆山厂优先认购权,立讯21亿元拿下;金刚石半导体...

因此过去20多年来,N型掺杂技术一直被认为是一个难点。近期相关报道显示,N型掺杂金刚石材料取得突破性进展,掺杂浓度达1020cm-3。金刚石器件方面的研究也有诸多进展。资料显示,金刚石二极管已有初步的实验应用,金刚石MOSFET和氢终端射频FET的研究明显加快,4英寸多晶金刚石上的GaNHEMT获得突破性进展。从材料...

浙江大学赵保丹&狄大卫Nature全面解读:发光钙钛矿半导体中可控的p...

结果表明,p型和n型样品的载流子浓度均超过了1013??cm??3,霍尔系数在??0.5??m3C??1(n型)到0.6??m3C??1(p型)范围内。我们观察到了费米能级在带隙中的移动。重要的是,实现了从n型到p型导电性的转换,同时保持了70%到85%的高光致发光量子产率。在发光钙钛矿半导体中,可控的掺杂使得我们展示...

新型n型可掺杂ABXZintl锌热电材料的发现,对半导体有何重大意义

事实上,供体BiSn缺陷的低形成能保证了KSnBi是简并掺杂的n型,即使没有引入外部掺杂剂。因此,KSnBi是一种不错的候选Zintl相,在富碱生长条件下,由于n型自掺杂,预计具有高TE性能和高自由电子浓度,RbSnBi的固有缺陷能量学与KSnBi相似。最低能量的天然受体缺陷是SnBi;SnBi高形成能创造了一个较大的n型可掺杂性窗...

半导体可控掺杂:浙大实现116万尼特超亮钙钛矿LED登《自然》

例如,在硅中掺入硼,可以使其成为主要传导正电荷(空穴)的p型半导体,而掺入磷则可以使其成为主要传导负电荷(电子)的n型半导体。p型和n型半导体之间形成的p-n结,是现代电子技术的基础。在p-n结界面处,电子和空穴会发生复合,产生随电压急剧变化的电流,从而实现整流、放大、开关等基本功能,再应用在各种电子器件中。

多团队联合攻关设计量子效应掺杂范式,研发p型场效应晶体管,突破...

对于硅基半导体前道工艺来说,它通常借助在单晶硅表面进行离子注入以获得p或n型掺杂。这种掺杂工艺在很大程度上限制了硅基半导体逻辑单元的垂直向上发展的空间。多层堆叠的逻辑电路原则上可以缓解尺寸危机和延续摩尔定律。从基础研究角度来说,三维垂直架构逻辑电路方向的探索能够为三维多层互连电路的热管理、工艺...

离子束图案化掺杂构建二维横向p-n结

近日,武汉大学肖湘衡教授团队提出了一种基于超低能离子注入选区掺杂构建二维横向p-n同质结的方法(www.e993.com)2024年11月13日。通过精确调控注入离子的剂量,成功实现了对WS2导电类型的调控,使其从n型转变为双极型甚至p型,且论证了该方法的普适性。此外,基于WS2横向p-n同质结的光电探测器表现出良好的自驱动光探测能力。该成果为二维半导体的可控...

他,一口气读了2个博士学位,被评为“35岁以下科技创新35人”,最新...

结果所得p型和n型样品的载流子浓度都超过了1013cm-3,霍尔系数从-0.5m3C-1(n型)到0.6m3C-1(p型)不等。观察到费米级在带隙上发生了移动。重要的是,在实现从n型到p型导电性转变的同时,还保持了70%至85%的高光致发光量子产率。通过在发射型钙钛矿半导体中进行可控掺杂,实现了...

宽禁带半导体,演进的方向

研究中,采用金属有机气相外延生长(MOVPE,在高质量AlN(0001)衬底上形成未掺杂的AlN层和高浓度n型Al0.7Ga0.3N层后方法)然后,在顶部高浓度p型GaN层和底部高浓度n型Al0.7Ga0.3N层上形成电极,制造pn结二极管。由此制造的AlN基p-n结由于电流注入而表现出理想的电流-电压特性、电压-电容特性和发光特性...

吃透MOS管,看这篇就够了

在一块掺杂浓度较低的P型半导体硅衬底上,用半导体光刻、扩散工艺制作两个高掺杂浓度的N+区,并用金属铝引出两个电极,分别作为漏极D和源极S。然后在漏极和源极之间的P型半导体表面复盖一层很薄的二氧化硅(Si02)绝缘层膜,在再这个绝缘层膜上装上一个铝电极,作为栅极G。这就构成了一个N沟道(NPN型)增强型MOS...

二极管(1)定义和原理

杂质半导体的掺杂通过掺杂,半导体材料的导电性能可以大幅提升。掺杂分为两种主要类型:N型半导体(负性半导体):掺入5价杂质元素:如磷(P)、砷(As)。这些杂质原子与硅原子形成共价键,多余的电子成为自由电子,从而增加了导电性。多数载流子是自由电子,少数载流子是空穴。