爱思开海力士申请半导体装置专利,实现相关装置的结构创新

金融界2024年11月22日消息,国家知识产权局信息显示,爱思开海力士有限公司申请一项名为“半导体装置”的专利,公开号CN118984593A,申请日期为2020年9月。专利摘要显示,本发明涉及半导体装置。一种半导体装置包括:层叠结构,其包括栅极图案和绝缘图案;沟道层,其穿透层叠结构;存储器层,其穿透层叠结构,并且围绕沟道层;以...

中国半导体行业协会副理事长、江苏省半导体行业协会常务副理事长...

SK海力士半导体(中国)有限公司在致力于打造世界第一的半导体生产基地的同时,认真履行企业社会责任,力求创造更多的社会价值,与所在地区携手发展,这必将使SK海力士在“芯的飞跃、芯的未来”征程上迈出更加稳健、快捷的发展步伐。SK海力士对于社会问题的重视值得我们学习,这些举措真正做到了利民惠民,对无锡市的民众和SK海力士...

爱思开海力士申请半导体器件和制造方法专利,提高半导体器件性能

金融界2024年11月6日消息，国家知识产权局信息显示，爱思开海力士有限公司申请一项名为“半导体器件和半导体器件的制造方法”的专利，公开号CN118900567A，申请日期为2024年4月。专利摘要显示，本公开涉及半导体器件和半导体器件的制造方法。半导体器件可以包括：包括与多个第一绝缘层交替堆叠的多个第一导电层的第一栅极...

爱思开海力士申请半导体器件的专利,有利于制造存储单元

金融界2024年10月19日消息,国家知识产权局信息显示,爱思开海力士有限公司申请一项名为“半导体器件和用于制造其的方法”的专利,公开号CN118785722A,申请日期为2023年12月。专利摘要显示,公开了半导体器件和半导体器件的制造方法。在实施例中,一种半导体器件可以包括多个存储单元,多个存储单元中的每一...

爱思开海力士申请半导体存储器装置及制造方法专利,提高半导体存储...

金融界2024年11月6日消息，国家知识产权局信息显示，爱思开海力士有限公司申请一项名为“半导体存储器装置及该半导体存储器装置的制造方法”的专利，公开号CN118900566A，申请日期为2023年11月。专利摘要显示，本文提供了半导体存储器装置及该半导体存储器装置的制造方法。该半导体存储器装置包括：第一栅极层叠体，其...

SK海力士揭秘半导体全球生产基地及应用领域

??存储器:韩国拥有包括SK海力士在内的领先的半导体存储器公司,在存储器领域产能方面处于领先地位(www.e993.com)2024年11月25日。在DRAM生产能力方面,韩国也占据主导地位,并远超于最接近其的竞争对手。此外,韩国与日本同为NAND闪存5的生产大国,其中铠侠(Kioxia)等日本公司是该领域的重要参与者。

为什么半导体人不愿意进晶圆厂?

2012年2月,韩国职业安全的调查研究院一份历时三年的调查显示,三星、海力士半导体公司以及仙童半导体公司的工厂生产线被检测出含有一定数量的苯、砷、甲醛等致癌物质。当时,该研究院的负责人朴正善表示,「尽管它们的含量还不足以致癌,但已经足够令人担忧,这些工厂必须尽最大努力将这些含量降到最低」。

消息称 SK 海力士半导体(中国)已被移出市场监管局经营异常名录

IT之家7月15日消息,《科创板日报》援引消息人士消息称,SK海力士半导体(中国)有限公司已于7月15日被当地市场监管局移出经营异常名录。报道称,SK海力士于今年7月5日被列入异常经营名录,经核查,该公司已履行相关义务,在7月15日提出信用修复申请后,无锡国家高新技术产业开发区市场监管局当日...

SK海力士将投资68亿美元建设龙仁半导体集群首座工厂

C114讯北京时间7月28日晚间消息(蒋均牧)韩国SK海力士透露,经董事会批准,该公司将投资9.4万亿韩元(C114注:约合68亿美元)以建设龙仁半导体集群的首座制造工厂。项目将于2025年3月开工,预计2027年5月完工。龙仁半导体集群位于韩国京畿道龙仁市远三面,占地面积达415万平米。

三星和SK海力士,杀入功率半导体市场

韩国的化合物功率半导体依赖进口,主要市场为欧洲(54%)、美国(28%)和日本(13%),韩国的市场份额仅为1%至2%左右。近日消息人士透露三星电子和SK海力士正力推化合物功率半导体市场,为了应对这一发展,韩国工业技术规划评估院决定到2028年投资1385亿韩元(约7.2亿人民币)来????开发化合物功率半导体的先进技术...