SK海力士宣布开始大规模生产321层NAND闪存。

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全球最高级别321层闪存量产读取性能提升13%SK海力士公司近日宣布开始量产全球最高级别的321层1Tb(太字节)TLC(TripleLevelCell)4DNAND闪存。与上一代产品相比,这款新型闪存的数据传输速度和读取性能分别提升了12%和13%,同时数据读取的能效也提高了超过10%。SK海力士表示,他们从2023年6月起开始供应目前市场上...

SK海力士宣布量产全球最高321层1Tb TLC 4D NAND闪存

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SK海力士开始量产全球首个321层NAND闪存芯片

它垂直堆叠存储单元,分为单层、多层、三层和四层存储单元(www.e993.com)2024年11月26日。SK海力士表示,这标志着继去年6月进入量产的238层NAND闪存获得成功后,该公司成为世界上第一家300层以上的NAND闪存供应商。该公司表示,计划从明年上半年开始向客户交付321层的产品。

三星计划2026年实现400层NAND闪存,2030年将超过1000层

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三星宣布量产最牛3D闪存:MLC颗粒好评

在3D闪存领域,三星已经连续推出两代立体堆叠闪存,分别有24层、32层,并已用于850EVO、850Pro等多款固态硬盘产品。不过三星也不是吃素的,今天宣布正式量产首款可应用于固态硬盘(SSD)中的48层3bitMLC256Gb3DV-NAND闪存芯片。没错,这是第三代了。

全球首款、突破300层!SK海力士官宣321层NAND闪存开始量产

SK海力士表示,公司从2023年6月量产上一代238层NAND闪存产品,并供应市场,此次推出的321层NAND闪存,不仅突破了技术界限,也率先实现了超过300层的NAND闪存量产。公司计划从明年上半年起向客户提供321层产品,以满足市场需求。在产品开发过程中,SK海力士采用了与238层产品相同的开发平台,从而最大限度地减少工艺切换的任何...

三星宣布量产1TB四层单元闪存,QLC第九代技术功不可没

三星电子宣布,其首款1TB四层单元(QLC)第九代V-NAND闪存已经正式开始量产。同时,1TBTLC产品也在今年4月开始量产。这款QLC第九代V-NAND采用了多项技术突破。首先是通道孔蚀刻技术(ChannelHoleEtching),它能够基于双堆栈架构实现当前业内最高的单元层数。通过在TLC第九代V-NAND中应用这一技术,三星优化了存储单...