集成的层次和环节
晶体管的制造过程,主要包括隔离、栅结构、源漏、接触孔等形成工艺,一般称之为前段工艺(FEOL,FrontEndofLine)。单晶硅通过离子注入可形成,N、N+、N-,P、P+、P-等多种不同参杂浓度的半导体,多晶硅则作为栅极或者电阻使用。下图所示为FinFET晶体管在显微镜下的照片,其中较高的白色横梁为栅极G,矮横梁为Fin...
一文看懂电路三个层次的集成
晶体管的制造过程,主要包括隔离、栅结构、源漏、接触孔等形成工艺,一般称之为前段工艺(FEOL,FrontEndofLine)。单晶硅通过离子注入可形成,N、N+、N-,P、P+、P-等多种不同参杂浓度的半导体,多晶硅则作为栅极或者电阻使用。下图所示为FinFET晶体管在显微镜下的照片,其中较高的白色横梁为栅极G,矮横梁为Fin...
深度揭秘硅片产业,巨大潜力成就半导体材料之王【附下载】| 智东西...
比如可以通过在P型硅片上生成一层N型硅外延层,这样就形成了一个低浓度参杂的PN结,为后续芯片制造中起到优化击穿电压,降低闩锁效应等等目的。外延层厚度一般根据使用场景不同而不同,一般逻辑芯片的厚度为0.5微米到5微米左右,功率器件由于需要承受高电压,所以厚度为50微米到100微米左右。▲外延硅...
数学弱则芯片无:数学与芯片工业
对这三个方程式,我们想要寻求三个未知函数(φ,n,p)的解,这里n代表在图三正方形区域ABEF内的电子浓度(单位面积内电子的个数),如果ABEF依摩尔定律一路往下缩小,我们可以想象将来的组件只有一个电子,的确,这即是目前科学界非常重要的研究课题之一「单电子晶体管」,高中化学我们学过原子最外层能...
英特尔45nm新旗舰四核QX9650解析测试
据了解,Penryn双核心版本内建4.1亿个晶体管,四核心则有8.2亿个晶体管,微架构经强化后,在相同频率下较上代Core产品拥有更高性能,同时L2Cache容量提升50%,明显提高数据读取执行的速率。此外,亦加入47条全新IntelSSE4指令,提高媒体性能和实现高性能运算应用。
硅片深度报告:深度揭秘硅片产业,巨大潜力成就半导体材料之王
比如可以通过在P型硅片上生成一层N型硅外延层,这样就形成了一个低浓度参杂的PN结,为后续芯片制造中起到优化击穿电压,降低闩锁效应等等目的(www.e993.com)2024年9月11日。外延层厚度一般根据使用场景不同而不同,一般逻辑芯片的厚度为0.5微米到5微米左右,功率器件由于需要承受高电压,所以厚度为50微米到100微米左右。