中恒电气取得一种快速确定高压条件下IGBT驱动电阻值的方法专利...
专利摘要显示,本发明属于电力技术领域,涉及一种快速确定高压条件下IGBT驱动电阻值的方法,步骤包括:S1、确定充电电量;S2、计算等效寄生电容;S3、计算驱动电阻值。本方法可以利用驱动器固有的寄生电容和使用场合的设计电压的改变量快速地求出最优化的驱动电阻值,功率大部分并不损耗在驱动电阻上,又避免了尖峰电压击穿栅极,...
华为DriveONE三合一电驱动电机控制器拆解
它兼容200V至1700VIGBT/SiC,功率范围超过125kW,工作频率超过40kHz,提供5.0V和3.3V耐受MCU接口,工作温度范围为-40°C至125°C,封装类型为32引脚宽体SOIC。在电机控制器主控板中,预驱动IC(Pre-driverIntegratedCircuit)是一个重要的组件,它位于主控MCU(微控制器单元)和功率器件(如IGBTs或MOSFETs)之间。预驱...
技术向 | 基于功率系统的SiC MOSFET/Si IGBT栅极参数自动测试及计算
t0~t2阶段,驱动从器件栅极电容抽取电荷,此时的若不考虑栅极回路杂散电感的影响,可以看作一阶RC串联放电电路,Vgs从开通电压下降到米勒平台的时间tf1计算公式如下,(1)(2)其中Vcc为驱动的开通电压,Vss为驱动的关断电压,数值为负,Rint为器件内部栅极电阻,Rg为外部栅极电阻,Cgs为栅极电容,Qg为器件对应Vcc和Vss之间...
150W功率放大器电路
选择晶体管:这里我们选择功率晶体管TIP41,以提供高功率、高增益输出。选择发射极电阻:驱动晶体管的发射极电压是Vcc和Vbe的一半之差。由于Vcc为50V,Vbe为0.7V,因此发射极电压为24.3V。由于发射极电流与晶体管静态集电极电流相同,因此电阻Re的值约为50欧姆。不过,这里我们选择的是40欧姆...
功率放大器有哪些功能和作用
驱动负载:功率放大器可以提供足够的功率来驱动电阻负载,例如扬声器、电机和电磁铁。通过放大输入信号,功率放大器可以使负载得到足够的能量以实现所需的动作。图:ATA-3080功率放大器指标参数增加系统范围:功率放大器可以通过提供更大的输出功率来增加系统的工作范围。例如,在通信系统中,功率放大器可以将信号增强以满足长...
详解大功率电源中MOSFET功耗的计算
其中,RDS(ON)SPEC是计算所用的MOSFET导通电阻,TSPEC是规定RDS(ON)SPEC时的温度(www.e993.com)2024年7月27日。利用计算出的RDS(ON)HOT,可以确定同步整流器和开关MOSFET的功率消耗,具体做法如下所述。在下面的章节中,我们将讨论如何计算各个MOSFET在给定的管芯温度下的功率消耗,以及完成迭代过程的后续步骤(整个过程详述于图1)。
MOS管的导通条件和MOS驱动电流计算
以该mos管的QG=170nc,FSW=500K为例计算:IG=500*170=85000uA=85mA(所以从此处可以看出,当开关频率越高时,栅极所需要的驱动电流越大),显然这样的电流不是我们一般IO管脚可以提供的,所以我们一般采用到了推挽电路(推挽电路需考虑三极管器件的0.7V压降)或者专用的驱动芯片进行驱动**。
基于比较器的过压保护电路设计方案(完整版)
7.电阻功率计算:经过分压器的最大电流为36V/(R2+R3)=36/(200+100)=0.12mA,R2功率0.122×200=2.88mW,取Ⅰ级降额系数0.5,于是R2功率为2.88/0.5=5.76mW=0.00576W,这个功耗比0201封装的1/20W=0.05W小了将近10倍,因此任何封装的贴片电阻都能满足功率要求。R3/R2=100/200=1/2,二者是串联关系,因此功率...
YXC扬兴科技 | 技术分享:硬件“攻城狮”晶振选型的苦恼
2、电容CL1、CL2计算CL1和CL2一般是相等的,可以由晶振规格书给的负载电容CL估算出来。通过调整CL1/CL2的容值让CL值达到晶振的标定值。一般通过晶振匹配测试可以比较容易知道CL1/CL2的合适值。估算如下:3、驱动功率DriveLevel描述了晶振的功耗。晶振的功耗必须限制在某一范围内,否则石英晶体可能会由于过度的机械...
栅极驱动 IC 自举电路的设计与应用指南
但是,它也有缺点,一是占空比受到自举电容刷新电荷所需时间的限制,二是当开关器件的源极接负电压时,会发生严重的问题。本文分析了最流行的自举电路解决方案;包括寄生参数,自举电阻和电容对浮动电源充电的影响。2.高速栅极驱动电路2.1自举栅极驱动技术本节重点讲在不同开关模式的功率转换应用中,功率型MOSFET...