EUV光刻新方案,大幅降低成本!
光子能量的计算公式为在这两种情况下:EUV光子的能量是ArF的14倍,因此在吸收能量相同的情况下,光刻胶的光子电离事件要少14倍。由于随机泊松分布,这导致更差的LER(线边缘粗糙度)。随机现象造成的缺陷限制了光刻工艺稳定性。我们必须记住,大规模生产逻辑电路所需的接触故障率必须小于3x10e-11。目...
揭秘光刻技术:一束光的旅程究竟有多复杂?
4)Low-NAEUV光刻机:用于3nm-7nm制程节点,EUV为极紫外光,该光源的波长较此前光源明显减小,显著提升光刻机的分辨率。5)High-NAEUV光刻机:用于3nm以下制程节点,High-NA是指高数值孔径(0.33→0.55),是下一代光刻机技术,将在已有EUV基础上进一步提高分辨率与成像能力,从而实现更先进制程的生产。当前该技术还在研发...
EUV光刻,新里程碑|掩模|孔径|euv|光刻胶_网易订阅
我们的团队将从最终分辨率(最终目标是线/空间的金属间距为18nm,接触孔的间距为28nm)、稳定性(例如,曝光后结构临界尺寸(CD)和缺陷密度的稳定性)和有效焦深(DOF)方面评估集群。由于数值孔径较大,DOF预计比0.33NAEUV小2-3倍——这是在0.55NAEUV中使用更薄光刻胶膜的原因之一。此外,我们与...
EUV光刻机,大结局?
DUV光刻机投影透镜的数值孔径NA也从0.4增大到0.93,在193nm浸没式光刻机中,由于晶圆和透镜之间填充了水,数值孔径NA可以高达1.35。对于EUV光刻机,数值孔径NA则从0.33提高到了0.55。第三种提高光刻分辨率途径,光刻系统分辨率的提高还可以通过优化工艺参数来实现。例如,离轴照明、计算光刻和光刻胶工艺,等等,用于减小工艺...
【科普】芯片制造工艺:光刻(上)
光刻就是将掩膜上的几何图形转移到涂在半导体晶圆表面的光敏薄层材料(光刻胶)上的工艺过程。为了产生电路图形,还需要再一次把光刻胶上的图形转移到光刻胶下面的组成集成电路器件的各层上去(刻蚀)。本文内容:光学光刻-掩膜、光刻胶光学光刻-曝光(设备、原理)...
一线工程师眼中的国产光刻胶
不均匀的影响较小(www.e993.com)2024年9月20日。一般是在满足DOF的前提下保证EL达标,比如Krf光刻胶一般要满足DOF大于150nm时,同时要让EL达到10%),CDuniformity(保证晶圆不同shot里的相同位置的CD的均一性,主要是看CDU的3simga值是否inspec);CDLWR(LineWidthRoughness,光刻胶的线宽粗糙度,指由于边缘粗糙导致的光刻胶线宽相对于目标值...
林本坚亲自揭秘:加入台积电研发浸润式光刻的幕后故事
这样辛苦耕耘了一年多,在2003年的10月,我们到荷兰作技术讨论时,ASML给我们看刚刚赶出来的第一片用浸润式光刻机在光阻(光刻胶)上的成像。当然皆大欢喜。接着台积电和ASML两个公司用很多年的苦功,把机台和制程研发到可以把浸润式微影驾轻就熟地用在量产上。
下一代光刻机,万事俱备?
计算光刻能力;掩膜制造和计量基础设施;大芯片解决方案;High-NAEUV光刻成本。图源:日本应用物理学杂志1.分辨率的要求长期以来,光刻胶一直限制着EUV光刻能力,并随着技术的发展,不断减薄,这也使得线条边缘粗糙度(LER)不断增加。早在ArF光刻的时候,人们就已经意识到LER的问题,但那时候它对芯片制造影响不...
关于黄光及其100个疑问,这篇文章已全面解答……
58、为什幺说光刻技术最象日常生活中的照相技术答:Track把光刻胶涂附到芯片上就等同于底片,而曝光机就是一台最高级的照相机.光罩上的电路图形就是"人物".通过对准,对焦,打开快门,让一定量的光照过光罩,其图像呈现在芯片的光刻胶上,曝光后的芯片被送回Track的显影槽,被显影液浸泡,曝光的光...
摩尔定律全靠它 CPU光刻技术分析与展望
光刻胶(常伴随着光刻机的发展而前进,在一定程度上其也制约着光刻工艺的发展)ASML-XT1950i-EUV光刻机光刻技术主要指标:分辨率W(resolution)->光刻系统所能分辨和加工的最小线条尺寸焦深(DOF-DepthOfFocus)->投影光学系统可清晰成像的尺度范围...