爱思开海力士申请制造半导体设备的方法专利,提升半导体设备制造水平

金融界2024年11月15日消息,国家知识产权局信息显示,爱思开海力士有限公司申请一项名为“制造半导体设备的方法”的专利,公开号CN118946140A,申请日期为2024年3月。专利摘要显示,在一种制造半导体设备的方法中,制备具有单元区域和外围区域的衬底。在衬底的表面上方形成包括导电层的第一单元??外围结...

布局泛半导体设备洗净服务 雅克科技完成收购海力士配套服务商...

公开资料显示，无锡爱思开希成立于2020年2月，主要从事半导体清洗业务，专注于为半导体生产厂商提供一站式设备精密洗净服务，主要客户及未来潜在客户包括：无锡SK-海力士、无锡SK-海力士M8项目、无锡华虹半导体、上海华虹半导体、上海中芯国际（SMIC）、上海台积电（TSMC）、上海宏力半导体（GSMC）、苏州联华电子（UMC）等全...

爱思开海力士申请半导体装置和制造半导体装置的方法专利,提高...

金融界2024年11月15日消息,国家知识产权局信息显示,爱思开海力士有限公司申请一项名为“半导体装置和制造半导体装置的方法”的专利,公开号CN118946139A,申请日期为2023年9月。专利摘要显示,本申请涉及半导体装置和制造半导体装置的方法。一种半导体装置可包括:第一半导体结构,其包括栅极结构和层叠物,栅极结构包括沟道结...

爱思开海力士申请半导体装置以及半导体装置的制造方法专利,包括多...

该半导体装置可以包括:第一半导体结构,该第一半导体结构包括包含倒置阶梯结构的层叠物、位于层叠物下方的源极结构、位于层叠物上方的位线以及延伸穿过层叠物的沟道结构;第二半导体结构,该第二半导体结构接合到第一半导体结构并且包括定位成面向倒置阶梯结构的通过晶体管以及定位成面向源极结构的第一外围电路;以及第三半导体...

爱思开海力士申请半导体器件和制造方法专利,提高半导体器件性能

半导体器件可以包括：包括与多个第一绝缘层交替堆叠的多个第一导电层的第一栅极结构；包括与多个第二绝缘层交替堆叠的多个第二导电层的第二栅极结构；包括与多个第三绝缘层交替堆叠的第三导电层的第三栅极结构；以及穿过第三栅极结构和第二栅极结构延伸到第一栅极结构中的第一接触插塞，第一接触插塞连接到多个第一...

太极实业---国资HBM半导体---猛干_太极实业(SH600667)_股吧_新浪...

公司半导体业务主要是为海力士的DRAM产品提供后工序服务(www.e993.com)2024年11月22日。海力士是以生产DRAM、NANDFlash和CIS非存储器产品为主的半导体厂商,目前在韩国有一条8英寸晶圆生产线和两条12英寸晶圆生产线,在中国无锡有一条12英寸晶圆生产线。SK海力士是世界前三大DRAM制造商之一。国资---公司的最终控制人为无锡市国有资产管理委员会全部...

爱思开海力士申请半导体器件的专利,有利于制造存储单元

金融界2024年10月19日消息,国家知识产权局信息显示,爱思开海力士有限公司申请一项名为“半导体器件和用于制造其的方法”的专利,公开号CN118785722A,申请日期为2023年12月。专利摘要显示,公开了半导体器件和半导体器件的制造方法。在实施例中,一种半导体器件可以包括多个存储单元,多个存储单元中的每一...

爱思开海力士申请半导体存储器装置及制造方法专利,提高半导体存储...

金融界2024年11月6日消息，国家知识产权局信息显示，爱思开海力士有限公司申请一项名为“半导体存储器装置及该半导体存储器装置的制造方法”的专利，公开号CN118900566A，申请日期为2023年11月。专利摘要显示，本文提供了半导体存储器装置及该半导体存储器装置的制造方法。该半导体存储器装置包括：第一栅极层叠体，其...

SK海力士揭秘半导体全球生产基地及应用领域

龙仁半导体集群计划于2027年竣工,新工厂将帮助SK海力士提高面向AI的存储器产品产量。该项目集群占地415万平方米,相当于约580个足球场,将涵盖四个最先进的半导体制造厂和一个半导体合作综合体。此外,公司还计划在清州投资约5.3万亿韩元(合40亿美元)用于建设M15X工厂,以提高包括旗舰产品HBM7在内的下一代DRAM的生产力。

爱思开海力士申请半导体器件及制造方法专利,提供半导体器件及制造...

金融界2024年10月19日消息,国家知识产权局信息显示,爱思开海力士有限公司申请一项名为“半导体器件以及制造半导体器件的方法”的专利,公开号CN118785719A,申请日期为2023年9月。专利摘要显示,提供一种半导体器件以及制造半导体器件的方法,所述半导体器件可以包括:第一接触插塞;字线,所述字线电连接到第一...