27亿一台!台积电大手笔购买最先进光刻机,目标直指1nm芯片!

首先啊，咱们得搞清楚，这光刻机到底是个啥玩意儿？为啥大家都这么关注它？简单来说，光刻机就是制造芯片的关键设备，它能把设计好的电路图案“刻”到硅片上，从而制造出芯片。这光刻机的精度和性能，直接决定了芯片的性能和品质。咱们平时用手机、电脑、家电等电子设备，里面都有芯片。这些芯片啊，就像设备的“大...

荷兰宣布:向中国出售60台光刻机,荷兰态度大变的原因是什么?

让我们先来聊聊这光刻机到底是个啥——简单来说，光刻机是芯片制造的核心设备，全球市场上可没几家公司能制造，荷兰的ASML公司就是其中的霸主。而中国作为全球芯片市场的最大需求国之一，这一台台光刻机显然对我们来说至关重要。但事情没那么简单。别忘了，过去几年里，美国几乎对中国的半导体发展使出了“封锁...

国产光刻机,虽落后ASML有20年,但离浸润式仅一步之遥了

而分辨率≤65nm的光刻机,是浸润式光刻机前的最后一代了,也就是第4代了,再前进一点,就是浸润式了。而和浸润式相比,这种光刻机,其实光源相同,工作台相同,唯一不同的是有一套浸润式系统,这个是指在晶圆上方,会有一层水来做介质,使193nm波长的光线,经过水之后,变成等效134nm的波长。可见,这个是第二点最...

全新国产DUV光刻机曝光:“套刻≤8nm”是个什么水平?

氟化氪光刻机其实就是老式的248nm光源的KrF光刻机，分辨率为≤110nm，套刻精度≤25nm；氟化氩光刻机则是193nm光源的ArF光刻机（也被成为DUV光刻机），但披露的这款依然是干式的DUV光刻机，而非更先进的浸没式DUV光刻机（也被称为ArFi光刻机）。从官方披露的参数来看，该DUV光刻机分辨率为≤65nm，套刻精...

土豪三星,都嫌贵了,1nm级的EUV光刻机,要卖50亿元

ASML认为,这种HyperNAEUV光刻机,可以支持1nm以下,甚至达到0.2nm或更高工艺,这种光刻机也可以称之为埃米级光刻机,也就是1nm以下的光刻机。不过这种HyperNAEUV光刻机,又贵了一大截,预计价格将达到7.24亿美元(约50亿元人民币)。ASML这种割韭菜,一茬又一茬的,不仅让台积电受不了了,甚至连土豪三星都受...

国产套刻8nm光刻机引争议,我们追赶对象真的是ASML吗?

日前,工信部印发的《首台(套)重大技术装备推广应用指导目录(2024年版)》(以下简称“目录”)中显示,中国已攻克氟化氩光刻机,其中该目录中,公开可见的与光刻机代际水平和性能等密切相关的光源193纳米,分辨率≤65nm,套刻≤8nm指标引发了业内的关注(www.e993.com)2024年11月28日。几乎是与此同时,上海微电子披露了一项名为“极紫外辐射发生装置及...

没有EUV光刻机,怎么做5nm芯片?

另一种解决方案是在镜头组中加入反射镜(下图黄色部分),这样的镜头组合称为反射折射式光学系统。不管什么波长的光,遇到镜面的入射角和反射角都相等,以反射镜取代透镜,就可以增加对光波带宽的容忍度。图5:193nm的ArF光刻机所使用的镜头系统,从图中可看到在透镜组合之间加入了反射镜。

台积电计划在2030年采用High-NA EUV光刻机完成1nm制程芯片

而台积电和三星也表示会采购High-NAEUV光刻机,但并未明确时间表。消息称,台积电可能会等到1nm制程节点才采用High-NAEUV光刻机,可能是出于成本考虑。台积电之前公布的路线图显示,1.4nm级A14工艺预计在2027年至2028年之间推出,而1nm级A10工艺的开发预计将在2030年前完成。

国产光刻机“套刻≤8nm”意味着什么

除了以上方法外,多重曝光也是提升光刻机制造工艺的一种技术。比如ASML浸润式DUV光刻机NXT:1980的分辨率≤38nm,却可以支撑台积电第一代7nm工艺的生产,靠的就是多重曝光技术。作为光刻机的一个重要技术指标,套刻精度通常指的是“多重曝光能达到的最高精度”,它决定了每次曝光之间物理位移的最小误差,直接影响着多...

关于国家工信部突然官宣的“国产光刻机”,你需要知道的10件事

这两行,是什么意思?是连一个形容词都没有,就突然静悄悄地官宣了中国自己的新光刻机吗?下面那款光刻机的介绍里,怎么还有一个“≤8nm”?天哪,那不就是突破了卡脖子的“7nm”?很快,有人说:太好了。轻舟已过万重山,实锤了。中国终于有了自己的7nm光刻机,可以造出自己的7nm芯片,不怕再被卡脖子了。