3位获诺贝尔奖提名的微电子器件华裔科学家
2019年10月25日 - 网易
萨支唐,1932年出生于北京,美国物理学家、微电子学家,美国佛罗里达大学教授,美国国家工程院院士(1986年)、中国台湾“中央研究院”院士(1998年)、中国科学院外籍院士(2000年)。1949年,萨支唐赴美国就读于伊利诺伊大学,1953年获得学士学位后到斯坦福大学学习。1956年,在斯坦福大学获得博士学位。之后,他与William...
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萨支唐,1932年出生于北京,美国物理学家、微电子学家,美国佛罗里达大学教授,美国国家工程院院士(1986年)、中国台湾“中央研究院”院士(1998年)、中国科学院外籍院士(2000年)。1949年,萨支唐赴美国就读于伊利诺伊大学,1953年获得学士学位后到斯坦福大学学习。1956年,在斯坦福大学获得博士学位。之后,他与William...