【芯历史】起了个大早的国产光刻机研发,是如何与行业脱节的?

根据现存最早的国产光刻机的纪录,是1445所在1974年开始研制,到1977年研制成功的GK-3型半自动光刻机(吴先升.φ75毫米圆片半自动光刻机[J].半导体设备,1979(04):24-28.),这是一台接触式光刻机。1978年,1445所在GK-3的基础上开发了GK-4,把加工圆片直径从50毫米提高到75毫米,自动化程度有所提高,但仍然是接...

宇宙中最光滑的人造物体,EUV光刻机镜头,我国造得出来吗?

EUV光刻机，简单说来，就是利用极紫外光来在硅晶片上刻画极其细致的电路图案。每一台先进的光刻机中都包含几十个这样的镜头，它们精准聚焦紫外光束，从而使芯片的生产达到所需的纳米级精度。由此可以看出，镜头的精度几乎直接决定了光刻机的优劣。而这样精密的镜头是一系列高难度、高技术工艺的结晶，材料选择、制造...

国产光刻机官宣后,一个奇怪现象:国外网友沸腾,美荷却沉默了

这只是ArF的DUV光刻机,用来加工12寸晶圆,按套刻精度与量产工艺1:3的关系,这个光刻机大概可以量产28nm工艺的芯片,这说明,这是一款相对初级的DUV光刻机,没法用来加工7nm先进芯片。因此,工信部官宣的这款DUV光刻机,并没有触及ASML的核心利益。ASML的核心利益在7nm以下。在去年,搭载麒麟芯片的Mate60系列的横...

“光刻机之王”荷兰ASML,靠一台机器独步全球,无人能敌

芯片由硅制成,硅是一种在岩石和沙子中发现的丰富元素,经过纯化、熔化,然后切成圆形晶片(简称“晶圆”),芯片就是在这种圆形晶片上用光线蚀刻而成的,而这个蚀刻的过程,就是由光刻机完成的。所以说,没有光刻机,也就造不了芯片。光刻机的光源波长对芯片制造有着关键影响。光源波长越短,就越能制造更小、更复杂...

没有EUV光刻机,怎么做5nm芯片?

做得这样复杂,也是为了尽可能将sinθ逼近理论极值1。目前ArF光刻机的镜头可将sinθ值做到0.93,EUV光刻机目前只能达到0.33,Hyper-NAEUV的目标值是0.75,也是ASML的终极项目。如果未来没有新技术发明出来,这很可能是芯片物理光刻技术的终结。2)缩短波长:材料与镜头的精准搭配...

国产光刻机正式公告后,出现了一个奇特的现象:海外网友热议

目前能够满足这一标准的厂商主要集中在德国(www.e993.com)2024年11月28日。此外，芯片所用的复合材料、光刻胶以及高纯度化学品大部分也采用了日本的专利技术。我国的氟化氩光刻机采用193纳米波长的光源，而荷兰ASML公司的EUV光刻机则使用13.5纳米波长的光源，短于DUV光源超过14倍。提供这一技术的是美国Cymer公司，这也是EUV光刻机的重要技术基础...

关于国家工信部突然官宣的“国产光刻机”,你需要知道的10件事

起因,是9月9日国家工信部发布的一个通知:《首台(套)重大技术装备推广应用指导目录(2024版)》。有人发现,《目录》里有2行,不对劲。很不对劲。看图。这两行,是什么意思?是连一个形容词都没有,就突然静悄悄地官宣了中国自己的新光刻机吗?

当铜板遇见光刻机,本川智能:一个隐形冠军的蝶变

“做芯片有道‘卡脖子’的工艺——来自阿斯麦(ASML)的EUV光刻机,里面这台和它的原理一致”,谢旭文领着记者来到厂区二层,走廊右侧有一间亮着橙黄色灯光的生产车间,这里便是他口中光刻机的所在,“唯一的不同,是我们这台的精度是毫米级(约0.05mm)的,没有达到纳米级。”...

EUV光刻机,大结局?

ASML公司型号为TWINSCANNEX:3400D的EUV光刻机2023年12月,ASML研发的高NAEUV光刻机送达英特尔公司位于美国俄勒冈州的D1X工厂进行安装,该工厂已经成为英特尔公司最前沿研究的基地,也是该公司开发每一代芯片技术的地方。TWINSCANEX:5000的高NAEUV光刻机即将进入芯片生产...

??光刻机之战

连飞利浦都“烧”不起的光刻机光刻机的工作原理,或者说现代芯片制作的基本原理本身并不难懂,这个过程大致包括:(1)画出线路图;(2)把线路图刻到玻璃板上,制成掩膜(也叫光罩);(3)把掩膜上的线路图用强光投射到涂了光刻胶的硅片(晶圆)上,光刻胶被强光照射的部分变得可以溶解,这样就在硅片上曝光出了线路图...