中国的7nm光刻机是不是造出来了?

总体来说，这次曝光的国产DUV光刻机，应该是之前90nm分辨率的国产光刻机的改良版，能用于55—65nm的成熟制程芯片制造需求。（目前国内量产的还是干式）需要指出的是，通知文件所披露的这款ArF光刻机依然是干式DUV光刻机，而非更先进的浸没式DUV光刻机（也被称为ArFi光刻机）。---那么聊到最后，聪明的小伙伴会...

中国光刻机再创辉煌:从436纳米到7纳米,国产技术直逼阿斯麦

中国光刻机的重大突破：从436纳米到7纳米，国产光刻技术力追阿斯麦尔近日，工信部发布的相关文件提到了氟化氩和氟化氪两款光刻机的精度能够达到8纳米以下。为了更直观地理解这一进展，可以将其与荷兰ASML公司推出的DUV光刻机——NXE:1980Di进行对比，其官方称其套刻精度为3.5纳米。由此可见，虽然我国新推出的DUV...

关于国家工信部突然官宣的“国产光刻机”,你需要知道的10件事

中国终于有了自己的7nm光刻机,可以造出自己的7nm芯片,不怕再被卡脖子了。可是,还有人说:别激动。只是误会。那个“8nm”不是重点,它上面那个“65nm”才是。国产芯片还只在65nm的水平,努努力最多也就能够到28nm,离7nm还远得很。两种声音,两种节奏。不知道,你听完是什么感觉?“造出7nm芯片”,到底是个什...

中国造不出光刻机?中科大副院长:美国造不出,中国永远都不可能

从28纳米到14纳米,再到更先进的工艺,中国的光刻机技术正在一步步追赶世界先进水平。这个过程可能需要时间,但只要坚持不懈,突破终将到来。

美卖力施压,中国造出来了,德媒:中国突破7纳米芯片光刻机技术

在9月14日，工信部公布了一个重大技术装备推广应用目录，公布了国产氟化氩光刻机，光源193纳米，能实现分辨率≤65nm，套刻精度≤8nm，主要应用于制造7纳米及以上工艺节点的芯片；另外哈工大公布“高速超精密激光干涉仪”研发成果，被认为是解决7nm以下光刻机难题的关键技术之一，还有长春光机所也在EUV光源系统上取得...

台积电用旧光刻机生产1.6纳米,中国成ASML先进光刻机的救命稻草

EUV光刻机难卖,ASML就寄望于刚刚研发成功的2纳米EUV光刻机,2纳米EUV光刻机售价高达3.8亿美元,第一代EUV光刻机售价1.2亿美元,ASML期待着台积电、三星和Intel争抢2纳米EUV光刻机,如此将确保它的业绩增长(www.e993.com)2024年11月10日。然而如今台积电却宣布采用原有的EUV光刻机生产1.6纳米,这就让ASML难受了,台积电为全球最大的芯片代工厂,如...

正式确认,国内的光刻机完全可以生产5纳米,先进工艺不再是桎梏

一直以来,国产芯片研发先进工艺都存在不小的争议,因为ASML没有将先进的EUV光刻机卖给中国芯片企业,中国芯片企业之前买下的最先进光刻机也是2000i,台积电曾以这款光刻机生产7纳米。为了打破芯片工艺对国产芯片的限制,国内芯片制造企业一直在尝试以现有的浸润式DUV光刻机开发7纳米乃至5纳米工艺,其中的一项重要技术是多...

重大突破!俄罗斯研造出首台光刻机,350纳米到底啥水平?

那就是他们国内第一台光刻机已经成功制造了出来,这一台光刻机能够生产的芯片,是350纳米工艺的,现在已经对其进行测试了,当这台光刻机出来后没多久,俄罗斯又把自己接下来的举动给公布了出来,那就是想要把130纳米工艺的光刻机给制造出来,现在很多国家都已经研究五纳米的光刻机了,为何俄罗斯研究的光刻机和其他国家...

俄罗斯成功造出光刻机:落后西方25年,吃光了老本,只能拥抱东方

中国的光刻机技术,远远领先于俄罗斯“百业凋零”的俄罗斯,对中国越来越依赖俄罗斯造出光刻机,可量产350纳米芯片5月22日,根据媒体报道,俄罗斯企业终于能成功造出,可以生产350纳米级芯片的光刻机。盲目相信西方、依赖所谓的全球化产业链有什么后果?俄罗斯就是最好的反面教材。

项立刚:下一代光刻机一定由中国先制造,光刻机或将实现弯道超车

也就是我们所说的X射线,这种光刻机使用的波长小于10纳米,甚至可以达到0.01纳米,有望实现更精细的图案转移。这无不在表示,一场“新革命”或将发生。中国光刻机即将实现自给自足?国产芯片“造不如买”早已是过去式了,现如今是“买不如造”。与其购买其他国家的产品,还不如自己造出来更实用、更放心、更安全...