...的半导体发光元件专利,提升热态下量子阱与 p 型半导体的界面带阶

专利摘要显示,本发明提出了一种具有热态冷态比例调控层的半导体发光元件,包括从下至上依次设置的衬底、n型半导体、有源层和p型半导体,所述n型半导体与有源层之间设置有热态冷态比例调控层,所述热态冷态比例调控层具有峰值速率电场变化趋势和重空穴有效质量变化趋势。本发明能够提升热态下量子阱与p型半...

中国科大在半导体p-n异质结中实现光电流极性反转

然而,该类器件受限于传统p-n结的工作机理,其工作特征须遵照以下原则:(1)入射光子能量大于半导体的带隙;(2)在固定偏压下,产生的光电流朝固定方向单向流动(单向光电流),这大大限制了其在特殊应用场景(例如高分辨多色成像、生物光电检测、便携式小型光谱仪、多通道光通信和光逻辑运算等)中的应用。近年来,脱离于经...

中科院北京纳米能源所张弛研究员团队EES:基于P/N型有机半导体纤维...

研究人员将P型的有机半导体聚(3,4-乙烯二氧噻吩):全氟磺酸(PEDOT:PF)和N型的有机半导体聚(苯二呋喃二酮)(PBFD)集成到棉纺纤维上并进一步编织成三维的螺旋纤维(SF)。通过串/并联组合,SFs被编织成可穿戴的直流纺织电源。研究人员进一步系统研究了直径、机械应力、运动方式(拉伸状态和压缩状态)和串/...

发射型钙钛矿半导体的可控p型和n型行为研究

本研究报道指出,通过在宽带隙钙钛矿半导体中掺入具有强吸电子能力的膦酸分子掺杂剂,可以调整其p型和n型特性。由此得到的p型和n型样品的载流子浓度均超过1013cm-3,霍尔系数范围从0.5m3C-1(n型)到0.6m3C-1(p型)。观察到费米能级在带隙间的移动。重要的是,在保持70–85%的高光致发光量子产率的同时,实现了...

...教授团队利用压力调制Peierls畸变实现NbOI2的n-p导电类型切换...

图1:通过压力抑制Nb原子沿着b轴的偏心,导致NbOI2发生C2到C2/m的半导体-半导体相变,同时,载流子行为发生从n型到p型的显著转变。吉林大学超硬材料国家重点实验室岳磊博士、李宗伦博士(现散裂中子源博士后)为论文共同第一作者,通讯作者为吉林大学超硬材料国家重点实验室的刘冰冰教授、李全军教授。该研究得到国家重点研...

离子束图案化掺杂构建二维横向p-n结

通过精确调控注入离子的剂量,成功实现了对WS2导电类型的调控,使其从n型转变为双极型甚至p型,且论证了该方法的普适性(www.e993.com)2024年11月14日。此外,基于WS2横向p-n同质结的光电探测器表现出良好的自驱动光探测能力。该成果为二维半导体的可控掺杂提供了一种有效的途径。该成果以“SpatiallySelectivep-typeDopingforConstructing...

半导体芯片,到底是如何工作的?

方法当然是有的。这个时候,一种伟大的材料就要登场了,它就是——半导体。半导体的萌芽我们将时间继续往前拨,回到更早的18世纪。1782年,意大利著名物理学家亚历山德罗??伏特(AlessandroVolta),经过实验总结,发现固体物质大致可以分为三种:第一种,像金银铜铁等这样的金属,极易导电,称为导体;...

浙江大学赵保丹&狄大卫Nature全面解读:发光钙钛矿半导体中可控的p...

图1通过分子掺杂,宽禁带钙钛矿的n型向p型转变由于UPS和KPFM都是表面敏感技术,需要进一步的证据来确认掺杂对钙钛矿样品体相的影响。因此,进行了霍尔效应测量,这些是表征半导体中载流子的极性和浓度的最可靠技术之一。不同掺杂水平的钙钛矿样品的霍尔系数(RH)和主要载流子浓度如图1i,j所示。未掺杂的钙钛矿样品表现出n型...

【会议邀请】2024 NET ZERO 光伏产业大会即将召开,诚邀您的参与!

拟邀发言嘉宾:高测股份、岱勒新材、天鉴碳材料异质结对N型硅片的性能需求拟邀发言嘉宾:安徽华晟新能源科技有限公司大咖访谈:内外市场悲观硅料、硅片企业如何穿越周期和回归理性拟邀发言嘉宾:刘松,四川永祥股份有限公司,销售总监(已确认)吴刚,双良硅材料(包头)有限公司,总经理(已确认)...

吃透MOS管,看这篇就够了

在一块掺杂浓度较低的P型半导体硅衬底上,用半导体光刻、扩散工艺制作两个高掺杂浓度的N+区,并用金属铝引出两个电极,分别作为漏极D和源极S。然后在漏极和源极之间的P型半导体表面复盖一层很薄的二氧化硅(Si02)绝缘层膜,在再这个绝缘层膜上装上一个铝电极,作为栅极G。这就构成了一个N沟道(NPN型)增强型MOS...