功率器件热设计基础(一)——功率半导体的热阻

而DCB中的陶瓷导热系数25W/(m·K),与焊料差得不多,但厚度有0.38mm,几乎是焊接层的4倍,所以热阻占比高达28%。我们在定义模块壳到散热器的热阻时,假设导热硅脂的导热系数是1W/(m·K),厚度为30-100um,在芯片的散热通路中,其占比高达37%,是最大的部分。所以用更好的导热材料缓解散热瓶颈,提高功率密度的...

全澜脑科学专题丨神经细胞外的电流与电场的起源——关于EEG、ECoG...

动作电位(“spike”)的胞外影响在锥体形状神经元附近已被规范化,图中显示的颜色表示spike的峰-峰电压范围。需要注意的是,随着距细胞体的距离增加,spike幅值迅速减小而无极性变化,这与沿树体轴线所形成的四极子形成的信号(在锥体层的上下极性反转)形成对比。图左下角面板中展示了锥体层内的spike幅值与距离的依赖性,...

正弦交流电的表示方法

e=100√2sin(314t+45°)V对应的复数形式是:Em=100√2∠45°V或E=100∠45°V用复数表示的正弦电动势、正弦电压和正弦电流Em、Um、Im分别称为复电动势、复电压、复电流。需注意的是正弦量(e、u、i)与相量(Em、Um、Im)之间,仅是相当,而不是相等的关系。

内置广芯微UM3506-BPQH协议芯片,绿联新款145W移动电源拆解

芯片内置高性能32位RISC-V内核,主频最高为33MHz,内置8KBSRAM和256KBFLASH,内置16通道12位ADC用以电压和电流采样,支持3.3-24V工作电压范围,使用QFN24封装。广芯微UM3506-BPQH资料信息。USB-C1接口的同步升降压控制器同样采用南芯SC8815,用于直流输入升降压电压转换,为内置电池充电及USB-C接口输出。四颗...

内置广芯微UM3506快充SOC芯片,斯莫格迷你V口电池VB99 Pro拆解

自控制保险丝特写,用于电池组过流和过电压保护功能。电池组内置USB-C接口采用广芯微UM3506-BPQHSOC芯片,是一颗支持PD3.1规格的快充控制器,具备全功能的SRC/SNK/DRP支持能力,全面满足PD3.0,PD3.1规格,支持SPR,EPR(PD3.1)模式,以及PD报文的chunk模式和260bytes长包。

2.5亿元!浙江大学大批采购仪器

近日,浙江大学发布64项仪器设备采购意向,预算总额达2.50亿元,涉及扫描探针变温原位测量系统、聚焦离子束电子束双束显微镜、多离子源-多检测器飞行时间二次离子质谱、微量吸附量热仪、散射近场原子力显微镜等,预计采购时间为2024年10月~2025年6月(www.e993.com)2024年11月11日。浙江大学2024年10月~2025年6月仪器设备采购意向汇总表...

用于电池储能系统 (BESS) 的DC-DC功率转换拓扑结构

双有源桥(DAB)是最常见的隔离型双向拓扑之一。如图7所示,其在初级侧和次级侧均采用了全桥配置。每个桥通过移相控制,即控制相对于彼此相位偏移的方波,来控制功率流方向。此拓扑的一些优点包括:每个开关上的电压应力限于母线电压、两侧所有开关上的电流应力大致相等,以及无需额外元件(如谐振电路)即可实现软开关。一些...

影响本质安全性能的可靠元件—隔离电容器

注:C为最大容值(考虑容差),Um为最大连接非本安电压。4、确保防止在以下电流时所有可靠元件的瞬态效应:I=Um/Xc。注:Um为最大连接非本安电压,Xc为最大公称频率下的最小容抗(Xc=1/2πfC)。5、电路中应采用两个电容器串联,电容采用封装比较大一些的固体介质型,并且不能使用钽电容和电解电容。

大功率充电适配器如何支持240W超级快充?一文告诉你!

芯片内置高性能32位RISC-V内核，主频最高为33MHz，内置8KBSRAM和256KBFLASH，内置16通道12位ADC用以电压和电流采样，支持3.3-24V工作电压范围，使用QFN24封装。相关阅读：1、支持140W快充及灵活的动态功率分配，广芯微UM3506一拖二快充线方案解析2、真快充看的见，广芯微UM3506数显线方案，功能性与实用性兼备...

为何V口电池也支持百瓦PD快充?这些协议芯片给你答案

USB-A口协议芯片来自天德钰,型号FP6601Q,支持QC2.0/3.0等快充协议,在检测到连接的设备支持快充后,通过反馈引脚控制电压输出。UNICMICRO广芯微UM3506-BPQH打开网易新闻查看精彩图片电池组内置USB-C接口采用广芯微UM3506-BPQHSOC芯片,是一颗支持PD3.1规格的快充控制器,具备全功能的SRC/SNK/DRP支持能力,全面满...