单元化架构在字节跳动的落地实践

存储层:通过存储访问中间件和Mesh的开放能力实现流量切面,确保对存储层路由出错/异常单元化流量进行审计和拦截。目前包括抖音、抖音电商、抖音支付、抖音直播、抖音本地生活等业务均启动了异地单元化改造落地,生产环境已接入数千个核心微服务、超过100万实例。单元化架构落地的关键问题如何选择单元的维度...

长江存储发布全球首款128层QLC存储芯片

它拥有3665亿个“细胞”——存储单元。QLC是继TLC后三维闪存新的技术形态,具有大容量、高密度等特点。TLC的每个“存储细胞”可存储3bit数据,QLC的每个“细胞”能存储4bit数据。这些“存储细胞”加起来,能让一颗芯片的存储容量达到惊人的1.33TB,相当于1362GB。得益于“存储细胞”不断扩容以及这些“细胞”之间独特的...

字节跳动,突击ReRAM新型存储

业界指出，ReRAM可以将DRAM的读写速度与SSD的非易失性结合于一身，因此其拥有了擦写速度高、耐久性强、单个存储单元能存储多位数据的优势，并且它的功耗极低。在新兴的存储技术中，ReRAM技术更适合在存储单元中采用多级存储，有利于降低存储器计算的能耗、提高成本效益。近年来，Crossbar、英特尔、富士通、三星、UMC...

SSD从高效存储走到失效边缘 你需知道的几大警示信号

NAND作为一种非易失性闪存技术,能在电源关闭后持续保留数据,这与RAM(随机存取存储器)的易失性特性截然不同,后者在断电后无法保留数据。此外,NAND也是SSD相较于HDD(硬盘驱动器)的关键区别所在,HDD依赖于旋转的磁性盘片来存储数据,导致其在速度上较慢且物理稳定性较低。SSD故障的迹象当SSD面临故障时,其症状往往...

中国科学家开发出新材料,可实现存储芯片无限次擦写

假设设计中需要大约3K字节的SRAM,还要几百个字节用来保存启动代码的E2PROM配置。非易失性的FRAM可以保存启动程序和配置信息。如果应用中所有存储器的最大访问速度是70ns,那么可以使用一片FRAM完成这个系统,使系统结构更加简单。FRAM与DRAM:DRAM适用于那些密度和价格比速度更重要的场合。例如DRAM是图形显示存储器的最佳...

1㎝??芯片包含1024个元件,科学家制备二维半导体内存处理器,可...

目前全球每天都有数十亿个互联设备传感器在不停运转,从而将物理信息转换为数字信息(www.e993.com)2024年11月8日。目前大范围应用的传统数字计算系统仍然依赖于冯·诺依曼(VonNeuman)结构,即使用独立且分离的计算和存储单元,这就意味着处理器需要从内存中检索数据来执行计算。这其中涉及的电荷移动、电容器充放电、以及电流传输等多个过程,导致处理...

字节跳动悄然投资国产芯片

ReRAM是近年来最受市场期待的新型存储技术之一，包括台积电，英特尔、三星、UMC、Crossbar、Adesto、富士通等厂商均已对该技术进行重点布局。谈及RRAM的优势，有业界人士认为，RRAM可以将DRAM的读写速度与SSD的非易失性结合于一身，因此其拥有了擦写速度高、耐久性强、单个存储单元能存储多位数据的优势，并且它的功耗...

国泰君安证券股份有限公司关于苏州 国芯科技股份有限公司2024年半...

芯片的存储空间Flash包含16.5M字节的程序Flash,1M字节的数据Flash,内存空间SRAM达到到2.4M字节。同时包含一个SD/EMMC接口可以外扩存储空间。车载网络接口包含一路100/1000Mbps的TSN以太网接口,12路LIN和12路CANFD总线接口以及2路FlexRay接口。外部Timer接口包含eMIOS和GTM接口。另外含有3个SARADC和14个SDADC模块。封装...

AI内存瓶颈(上):3D NAND路线图

一个存储单元就是一个晶体管,它只能存储1位,也就是一个0或一个1,这种存储方式意味着对于一张3MB大小的照片就需要3145728字节×8=25165824位,也就是两千多万个晶体管。既然可以通过施加电压来表示0和1,那么通过改变充电值来控制电荷俘获层中的电荷量便可以代表更多的位的数据。只代表0或1的被称为SLC(Single...

恒烁股份2023年年度董事会经营评述

1、主要业务情况公司是一家主营业务为存储芯片和MCU芯片研发、设计及销售的集成电路设计企业。公司现有主营产品包括NORFash存储芯片和基于ArmCortex-M0+内核架构的通用32位MCU芯片。同时,同时公司也在进行基于NORFash的模拟存算一体终端推理AI芯片和基于SRAM的数字存算一体AI芯片的研发,并持续推进基于MCU的AI应用部署和...