光电倍增管是什么

日盲紫外光电倍增管对日盲紫外区以外的可见光、近紫外等光谱辐射不灵敏,具有噪声低(暗电流小于1nA)、响应快、接收面积大等特点。过程当光照射到光阴极时,光阴极向真空中激发出光电子。这些光电子按聚焦极电场进入倍增系统,并通过进一步的二次发射得到的倍增放大。然后把放大后的电子用阳极收集作为信号输出。因为采用...

西安邮电大学陈海峰等 | 具有无限大光暗电流比的β-氧化镓日盲...

对于氧化镓日盲紫外光电探测器而言,极大的光暗电流比(PDCR)是令人着迷的指标,其可作为器件具备高探测性能的评估条件之一。PDCR由探测器的暗电流和光电流比值决定,目前大的PDCR都主要依赖于小的暗电流,因此控制器件获得极小暗电流是实现极大PDCR的一个有效途径。这激发出了一个有趣的问题:暗电流最小值是否有极限以及...

一文读懂图像传感器的选型

11、暗电流(DarkCurrent,DC)暗电流为像素在单位时间内受热激发产生的电子的均值,单位为e-/s/pix。暗电流噪声为在一定曝光时间内产生的暗电流的平方根,例一个图像传感器的暗电流为36e-/s/pix,曝光时间为100秒,则暗电流为3600e-,暗电流噪声为60e-。因此,随着曝光时间的增加,暗电流噪声会超越暗噪声,对图像...

这种芯片开启大涨价,国产能替代吗?

CMOS图像传感器是高度集成的图像系统芯片,当外界光线照射到CMOS图像传感器上的时候,传感器拥有的感光单元阵列会发生光电效应,光电效应使得阵列上的每个感光单元产生对应外界色彩和亮度的电荷信号,之后信号会被模拟-数字转换电路转换成数字图像信号,从而还原出现实的影像。提到CMOS图像传感器,就不得不提到CCD(Charge-Coupled...

【倒计时6天】碳基光电时代与产业变革!金刚石光电器件与芯片!11月...

光芯片,一般是由化合物半导体材料(InP和GaAs等)所制造,通过内部能级跃迁过程伴随的光子的产生和吸收,进而实现光电信号的相互转换。微电子芯片采用电流信号来作为信息的载体,而光子芯片则采用频率更高的光波来作为信息载体。相比于电子集成电路或电互联技术,光芯片展现出了更低的传输损耗、更宽的传输带宽、更小的时间...

AM系列:29篇!2021年钙钛矿前沿研究集锦|合金|太阳能电池|阳离子|...

由于CPGE,在圆偏振光的照射下,在没有外部偏置电压的情况下,可以产生依赖于光螺旋性的稳定光电流(www.e993.com)2024年11月24日。此外,观察到CPGE光电流的符号反转取决于所设计的2D-OIHP碘化铅的手性。该结果表明,由于自旋动量锁定,在手性系统的k空间中形成了理论上预测的径向自旋极化纹理。因此,手性2D-OIHP卤化铅可以成为工程光电自旋电子功能的...

【干货梳理】全国首届“低温电子学与光电子学研讨会”顺利举办!

首先,与半导体相关的各位老师在报告中或多或少都涉及到控制暗电流的方法,例如优化材料的制备工艺,采用合适的器件结构,优化电路设计等。其中,优化材料制备工艺可以通过控制材料的晶格缺陷、杂质等方式来降低暗电流的水平;采用合适的器件结构可以通过减少材料界面和表面缺陷来降低暗电流的水平;优化电路设计可以通过减小器件的...

立创商城:元器件科普之光电二极管

这样的机制也被称作是内光电效应。如果光子的吸收发生在结的耗尽层,则该区域的内电场将会消除其间的屏障,使得空穴能够向着阳极的方向运动,电子向着阴极的方向运动,于是光电流就产生了。实际的光电流是暗电流和光照产生电流的综合,因此暗电流必须被最小化来提高器件对光的灵敏度。