七彩虹战斧C.A75 X5 V14的芯片厂商是什么

支持双路Crossfire以及DualGraphics双显卡加速。七彩虹战斧C.A75X5V14处理器供电使用4+1相方案,每相供电使用1上2下MOS管搭配,可以支持TDP超过125W处理器,并支持智能主板3.0技术中的S.P.E智能节能引擎,最高可以带来50%的节能效果。内存方面提供完整4根DDR3内存插槽,支持双通道DDR31333/1600/1866Mhz规格。七...

全日系双金牌|三百块的安耐美金竞蝠GM650电源拆解评测-聚超值

NTC热敏电阻具有常温下高电阻、高温下阻值迅速减小的性质,可以限制大电容充电产生的冲击电流。但NTC热敏电阻的损耗会降低电源转换效率,而且对于关机后在短时间内再次开机的情况,处于高温下的NTC热敏电阻无法挥发其正常作用,所以这里使用继电器来将其短路。LLC全桥谐振方案,开关管一般由4个MOS管组成(上下桥各自两枚),...

当开关电源输入过压,如何防护?

因此为了应对输入电压存在较大波动情况下,电容还留有一定的电压裕量,大电解电容的额定电压值应该选用450VDC规格的电解电容(如果选择更高的耐压值,成本和体积都会大大增加)。2.6MOS管Q1额定电压选择在反激拓扑原理中,MOS管的电压应力计算如下所示:因此考虑到输入电压在305VAC基础上存在一定的波动而输入电压过压,...

boost电路中二极管的作用

如果在电路中添加二极管D4,由于二极管具有单向导电性,当MOS管导通时,二极管反向截止,输出电容C7就不会向地进行放电,此时电流经过电感,MOS管回到地,电感在这个过程中储存磁场,为升压做好准备。所以在BOOST电路中二极管的存在避免了形成输出电容放电通路,而导致不必要的损耗。boost电路中二极管的选择1、二极管反向电压...

MOS管烧了,可能是这些原因

这种高电压上升率通过米勒电容电容耦合到MOS管的栅极,会导致底部MOS管的栅极电压上升,从而导致MOS管也开启,就会存在击穿情况,即使不是立即发生,也可以肯定MOS管故障。米勒效应可以通过使用低阻抗栅极驱动器来最小化,该驱动器在关闭状态时将栅极电压钳位到0伏,这减少了从漏极耦合的任何尖峰的影响。在关断状态下向...

如何让MOS管快速开启和关闭

因为驱动线路走线会有寄生电感,而寄生电感和MOS管的结电容会组成一个LC振荡电路,如果直接把驱动芯片的输出端接到MOS管栅极的话,在PWM波的上升下降沿会产生很大的震荡,导致MOS管急剧发热甚至爆炸,一般的解决方法是在栅极串联10欧左右的电阻,降低LC振荡电路的Q值,使震荡迅速衰减掉(www.e993.com)2024年11月10日。

吃透MOS管,看这篇就够了

Mos管发热,主要原因之一是寄生电容在频繁开启关闭时,显现交流特性而具有阻抗,形成电流。有电流就有发热,并非电场型的就没有电流。另一个原因是当栅极电压爬升缓慢时,导通状态要“路过”一个由关闭到导通的临界点,这时,导通电阻很大,发热比较厉害。第三个原因是导通后,沟道有电阻,过主电流,形成发热。主要考虑的发热...

MOS管及其外围电路设计

相关要求。若没有相关要求,一般可取绝缘电压为mos电压定额的两倍以上。02外围保护电路R7作用:防静电影响MOS,管子的DG,GS之间分别有结电容,DS之间电压会给电容充电,这样G极积累的静电电压就会抬高直到mos管导通,电压高时可能会损坏管子.同时为结电容提供泄放通道,可以加快MOS开关速度。阻值一般为几千左右。

我常用的分析方法——输入输出阻抗,是怎么玩的?你会不?

举例2:MOS管栅极串联电阻的分析分析方法跟前面说的是一样的,接收模块是MOS管,MOS管的输入电阻可以看成无穷大,但是寄生电容较大,所以它作为接收模块时,寄生电容站输入阻抗的主要部分,其输入阻抗就是电容的阻抗,为1/jwC。我之所以把这个放到这里,其实主要是想说明一点。输入阻抗,输出阻抗,它俩是复阻抗,不仅仅包括...

??基础回顾:电阻、电容、电感、二极管、三极管、mos管

锡拉电容:在电容三点式振荡电路中,与电感振荡线圈两端并联的电容,起到消除晶体管结电容的影响,使振荡器在高频端容易起振。预加重电容:为了避免音频调制信号在处理过程中造成对分频量衰减和丢失,而设置的RC高频分量提升网络电容。移相电容:用于改变交流信号相位的电容。