新一代AI应用的存储利器来临?
具体讲,4DS基于区域的ReRAM具有以下主要功能:基于区域、低电流密度编程、高续航能力和可扩展技术节点;响应能力强,单次写入时间极快(4.7ns),能够以DRAM速度提供低能量逐位写入;高带宽持久存储器具有高达109耐用能力,可实现高性能数据保护;动态分区的高耐久性和高保持率扇区可动态分配,数据保持时间从数小时到数天再到...
史上最快大模型诞生,Groq自研芯片参数超英伟达(附股)
其次,在算力上,Groq的芯片提供了高达750TOPs的整型(8位)运算速度和188TFLOPs的浮点(16位)运算速度,让处理大规模数据变得轻而易举。重视SRAM(静态随机存取存储器),下一个HBM探索人工智能的旅程中,两种技术路线的对决就像是速度与效率的较量。英伟达的GPU技术,长久以来被誉为数据处理的高速公路,依靠高带宽存储器(H...
AI时代,半导体存储器HBM技术的未来到了吗?(量伙快速退火炉)
目前,16GB是现有HBM3产品的最大内存容量,数据处理速度为每秒6.4GB,为业界最快。它还提供了12层24GBHBM3样品,这是第四代HBM芯片,也是业界最薄的同类芯片。三星对HBM的布局从HBM2开始,目前,三星已经向客户提供了HBM2和HBM2E产品。目前,三星正在准备批量生产年传输速度可达6.4Gbps的HBM3(16GB和12GB)产品...
全新AI芯片问世,比英伟达快10倍!SRAM概念爆发!这些公司或受益
不过,与RAM的另一种主流产品DRAM相比,SRAM无需刷新电路周期性地更新所存储的数据,通电情况下数据可一直保存,因此SRAM具有访问速度快的优点。作为读写速度最快的内存介质,SRAM方案在现阶段具有三点优势:是所有存储类型中最快的,且没有写次数限制,对于追求快响应的场景几乎是必选;可向先进制程兼容,从而达到更高的能...
存储芯片,中国什么时候能成?
其中,由于读写速度更快,易失性存储器通常被用以辅助CPU工作,即“内存”;非易失性存储器则为“外存”,主要用于存储大量的数据文件。在内存这个类别中,最重要的是DRAM(动态随机存取存储器),因为其常年占据全球存储类芯片市场半壁江山。综合来看,DRAM结构简单,能够拥有非常高的密度,单位体积的容量较高,成本较低。再...
DRAM技术,迎来新进展
标准型DDR,即DDRSDRAM,又称双倍数据率同步动态随机存取存储器,它可以在一个时钟读写两次数据,这样就使得数据传输速度得以加倍(www.e993.com)2024年7月11日。在性能和成本优势下,DDRSDRAM成为了目前电脑和服务器中用的最多的内存。环顾DDR内存技术发展历程,从最初KB到GB的跃进,从单条1GB到单条16GB、32GB的进化,从古老的SIMM到DDR的出现,再...
回顾一下:7月智能网联汽车领域发生了哪些大事?| 智驾热搜
#三星研发业内处理速度最快的显存7月19日,三星电子宣布,其已成功研发出业内首个第七代图形双数据速率(GDDR7)动态随机存取存储器(显存)。今年,三星计划首先将该产品安装到主要客户的下一代系统中进行验证,预计将推动未来图片市场的增长,并进一步巩固该公司在该领域的技术领先地位。
随机存取存储器有哪些特点?寄存器和存储器有什么区别?
正如其他精细的集成电路,随机存取存储器对环境的静电荷非常敏感。静电会干扰存储器内电容器的电荷,引致数据流失,甚至烧坏电路。故此触碰随机存取存储器前,应先用手触摸金属接地。4、访问速度现代的随机存取存储器几乎是所有访问设备中写入和读取速度最快的,存取延迟和其他涉及机械运作的存储设备相比,也显得微不足道。
新型自旋转移矩磁性随机存储器:写入速度达14纳秒!
近日,日本东北大学的科研团队成功开发出存储密度达128Mb的自旋转移矩-磁性随机存储器(STT-MRAM),写入速度达14纳秒,可作为物联网和人工智能中用到的缓存使用。它是目前世界上存储密度超过100Mb的嵌入式存储器中写入速度最快的。背景人类正处于一个“信息大爆炸”的时代。我们平时使用的计算机与电子产品都需要处理大...
ReRAM新型存储器如何影响未来存储格局?
第一类易失性存储器是以动态随机存取存储器(DRAM)和静态随机存取存储器(SRAM)代表的易失性存储器,二者均具备高读写速度。其中SRAM速度高于DRAM,但密度低于DRAM,这是因为一个DRAM存储单元仅需一个晶体管和一个小电容,而每个SRAM单元需要四到六个晶体管。其共同的缺点是容量较低且成本高,一般分别用作主存和缓存。