...减小接触电阻增大薄膜晶体管的开态电流提高存储器的读写速度

通过设置沟道层的导电率可以减小接触电阻增大薄膜晶体管的开态电流提高存储器的读写速度。本文源自:金融界作者:情报员

存储器新技术:FeRAM的高可靠性和无延迟

●高速读写:FeRAM能够实现纳秒级的数据读写速度,这在需要快速存取数据的应用中极为关键。例如,在智能电网或工业自动化控制中,数据存储的延迟可能导致系统反应滞后,而FeRAM的高读写速度确保了数据的及时传输。●高耐久性:FeRAM具有超高的写入耐久性,读写次数达到1013到1014次,几乎可视为无限次写入。这种特性在需要频...

长鑫存储公司获半导体存储器专利,为行业创新注入新动力

根据公开信息,半导体存储器的创新主要体现在其存储密度、读写速度和能效比等几个关键指标上。长鑫存储的研发团队致力于解决传统存储器在这些方面的技术瓶颈。例如,提升存储密度能够使得更少的物理空间容纳更多数据,这对智能手机、平板电脑和服务器等移动设备来说,是至关重要的。除了存储器的物理特性外,长鑫存储还在研发...

意法半导体推出Page EEPROM二合一存储器提升智能边缘设备的性能和...

M95P的读取速度是我们以前用的存储器的50倍,而功耗却只有十分之一,产品可靠性提高了四倍,可擦写次数达到50万次,而我们以前用的产品的耐擦写能力只有10万次,这是一个颠覆性的改变。”意法半导体PageEEPROM系列的容量分为8Mbit、16Mbit和32Mbit,大大高于标准EEPROM产品的存储容量。嵌入式智能页面管理允许进...

Rambus推出HBM4控制器IP,在AI浪潮中重塑内存未来

据悉，HBM4的控制器IP提供了32个独立通道的接口，总数据宽度可达2048位。基于这一数据宽度，当数据速率为6.4Gbps时，HBM4的总内存吞吐量将比HBM3高出两倍以上，达到1.64TB/s。为满足不同客户在多样化应用场景中的特定需求，Rambus公司提供了高度定制化的服务方案，覆盖了内存模块的尺寸、性能以及功能等多个方面。

国产科技之光最大容量新型存储器芯片存10GB高清电影仅需1秒

武汉，光谷讯在科技日新月异的今天，中国半导体产业再次迎来里程碑式的突破(www.e993.com)2024年11月26日。今日，位于武汉市光谷科技创新大走廊的某高科技企业宣布，成功研发出国产最大容量新型存储器芯片，这一创新成果不仅标志着我国在高端存储技术领域的重大进步，更以惊人的速度——存储一部10GB高清电影仅需1秒的卓越性能，震撼了整个科技界...

荣耀公司取得内存优化专利,提升内部存储器的读写速度,避免卡顿

此外,开启内存优化功能后,通过显示包括数据迁移选项的第一界面,从而能够便用户根据显示的数据迁移选项将内部存储器中的不同数据迁移选项对应的数据迁移到外部存储器,降低内部存储器的空间占用,从而提升内部存储器的读写速度,避免卡顿。金融界提醒:本文内容、数据与工具不构成任何投资建议,仅供参考,不具备任何指导作用。

德明利: 深圳市德明利技术股份有限公司向特定对象发行股票并在...

速发展,市场中存储当量的供给和需求都在快速增长,存储晶圆价格可能因上下游技术进步及存储原厂产能扩张计划等变化发生短期的供给过剩或不足。假设其他因素保持不变,当原材料价格每上涨??5%时,将导致公司报告期内主营业务成本分别上升??4.46%、4.01%、4.09%和??4.75%,主营业务毛利率分别下降??3.55、3.32...

MRAM,新兴的黑马

阻变存储器(RRAM/ReRAM)利用阻变材料中导电通道的产生或关闭实现电阻变化。代表公司有美国Crossbar、松下和昕原半导体等。铁电存储器(FRAM/Feram)利用铁电材料的极化特性来存储数据,具有读写速度快、功耗低、非易失性等优点,在一些对读写速度和功耗要求较高的嵌入式系统中有应用。

内存革命 DDR6标准开始研究 更快的读写速度和更高的性能

JEDEC组织开始研究下一代内存标准DDR6,这一标准将带来更快的读写速度和更高的性能。根据初步规划,DDR6内存起步传输速率为8.8Gbps,最高可达21Gbps。其中信号调制技术备受关注,目前讨论倾向于采用NRZ。虽然JEDEC计划在年内完成DDR6内存标准的初步草稿,但正式版本最快也要到2025年第二季度才能推出。这一时间表可能受...