...申请用于控制存储器的存储控制器和方法专利,提高存储器访问速度
所述第一层级存储器(106、206)具有比所述第二层级存储器(108、208)更快的访问速度。所述存储器(102、202)被布置成将数据存储在内存块(112AA至112AN、112BA至112BN、112CA至112CN、112DA至112DN、112EA至112EN、112FA至112FN)中。每个内存块与一个内存块组相关联。所述存储控制器(100)用于确定内存块从...
存算一体芯片,带来了哪些惊喜?
Flash属于非易失性存储器件,具有低成本优势,一般适合小算力场景;DRAM成本低,容量大,但是可用的eDRAMIP核工艺节点不先进,读取延迟也大,且需要定期刷新数据;SRAM在速度方面具有极大优势,有几乎最高的能效比,容量密度略小,在精度增强后可以保证较高精度,一般适用于云计算等大算力场景。在制程工艺方面,SRAM可以在先进...
全新AI芯片问世,比英伟达快10倍!SRAM概念爆发!这些公司或受益
不过,与RAM的另一种主流产品DRAM相比,SRAM无需刷新电路周期性地更新所存储的数据,通电情况下数据可一直保存,因此SRAM具有访问速度快的优点。作为读写速度最快的内存介质,SRAM方案在现阶段具有三点优势:是所有存储类型中最快的,且没有写次数限制,对于追求快响应的场景几乎是必选;可向先进制程兼容,从而达到更高的能...
全新AI芯片速度比英伟达GPU快十倍!SRAM龙头连续两个20CM涨停,受益...
财联社2月21日讯(编辑若宇)采用LPU技术路线的全新AI芯片横空出世,推理速度较英伟达GPU提高10倍,其采用目前读写最快的存储设备之一SRAM。A股方面,采用算法图形和APG技术实现对SRAM读写擦除功能自动测试的西测测试收盘20CM涨停两连板,2月6日迄今股价累计最大涨幅达99.43%;主营产品包括SRAM的北京君正继昨日收盘20CM涨停...
全新AI芯片速度比英伟达GPU快十倍!SRAM龙头连续20CM涨停 受益公司...
采用LPU技术路线的全新AI芯片横空出世,推理速度较英伟达GPU提高10倍,其采用目前读写最快的存储设备之一SRAM。A股方面,采用算法图形和APG技术实现对SRAM读写擦除功能自动测试的西测测试收盘20CM涨停两连板,2月6日迄今股价累计最大涨幅达99.43%;主营产品包括SRAM的北京君正继昨日收盘20CM涨停后今日盘中一度涨超17%,2...
木头姐为何抛售、Groq为何轰动?以及想要“弯道超车”英伟达的12家...
Groq闪电般的响应速度迅速引爆互联网讨论,“快”的关键则在于,LPU没有采用HBM,而使用了SRAM,同时这种设计也能够显著提高吞吐量(www.e993.com)2024年9月8日。分析认为,LPU的一个关键特点是它的纯粹确定性,与需要定期刷新的HBM不同,SRAM不需要刷新,能够稳定地存储数据,这意味着Groq芯片可以精确地知道数据在任何给定时刻的位置。
替代昂贵的SRAM
我们发现,与6TSRAM相比,1T1CeDRAM(1个晶体管和1个电容器)的位元密度高4.5倍,静态功耗低5.0倍,甚至包括刷新功耗。这使得芯片尺寸更小、存储器访问速度更快、存储器密度更高,这是在给定功耗限制条件下提高微处理器性能的最有效方法。
AI内存瓶颈(上):3D NAND路线图
主存是相对于高速缓存(Cache)而言的,用于临时存储正在执行的程序和数据。辅存则是相对于主存,用于长期存储,在断电或重启后存储数据依然不会丢失。横向比较三者,缓存容量最小但访问速度最快,其次是主存,最后是辅存,其容量最大但速度也最慢。根据这个层级划分,我们就可以理解众多产品的意义所在了。缓存和主存都采用了...
全球存储战局动荡,国产品牌寒冬已过
90年代,闪存(FLASH)由概念到应用逐渐在半导体领域被铺开,最初NORFlash因其访问速度快得到快速发展。随后进入2000年,数据需求的增加使NANDFlash成为了更吃香的那一个。随着摄影摄像设备的普及,NANDFlash被广泛应用到了U盘、CF卡、SD卡和TF卡,还有手机存储的eMMC和UFS,PC硬盘里的HDD...
ReRAM新型存储器如何影响未来存储格局?
第二类非易失性存储器包括以NORFLASH和NANDFLASH为代表的传统存储器和四种新型存储器。NORFLASH的容量较小且写入速度极低,但读速较快,具备芯片内执行的特点,适合低容量、快速随机读取访问的场景;NANDFLASH的容量大成本较低,但读写速度极低,一般用于大容量的数据存储。