麦光刻机霸主地位解析:台积电豪掷38亿美金只为1nm芯片技术

引入High-NAEUV光刻机，将使台积电在未来几年的芯片制造中保持领先。该机型不仅支持2nm的量产，到2029年更可支持1nm的生产，这对台积电在技术领域的竞争力具有深远的意义。然而，光刻机的生产周期长且复杂，涉及许多高精度的零部件，这使得它的产量较低，往往需要排队等待。台积电能够率先获得这台全球第三台High-N...

34亿一台!台积电购买最先进光刻机,剑指1nm芯片!

据了解，这台光刻机目前支持2nm量产，到2029年可以支持1nm的量产。如果采用多重曝光，未来5埃米（也就是0.5nm）制程的量产，也是没问题的。虽然有许多人预测摩尔定律即将终结，但High-NAEUV的推出再次延续了这一规律，为芯片行业提供了更长远的创新动力。这么好的东西，对于全球晶圆代工龙头的台积电来说，当然想...

台积电:2025年量产2nm工艺,ASML光刻机出货量将增30%

具体来看,ASML计划在2023年交付53台光刻机,而在2024年这一数字将增至72台。

国产65nm光刻机正式发布引发广泛讨论:它到底能实现多少nm?

其实，更多业内专家认为，这款65nm光刻机最合适的目标并不是8nm或者14nm，而是28nm。这也是为什么网络上很多人把它称为“28nm光刻机”。28nm工艺虽然已经不算最先进，但它的技术相对成熟，良品率高，生产成本也比较低。更重要的是，28nm芯片是目前我国半导体厂商的主力产品。比如中芯国际在南京、深圳等地已经建...

台积电掀桌子,用旧光刻机也能生产2nm芯片,不花冤枉钱

直到第二代7nm芯片,台积电才切换为EUV光刻机。而近日传出,2nm工艺以及之后的1.6nm工艺下,台积电也没打算换成High-NAEUV,台积电要继续使用旧的EUV光刻机,也就是NA=0.33的那一批。这一批在台积电手中非常多,如果能够利用这些旧的,那么台积电可以节省一大笔EUV光刻机的升级费用,至少是上百亿美元。

台积电被放弃,ASML向英特尔运送首台2nm光刻机,工艺之争重来?

从台积电赴美建厂,英特尔拿走6台2nm光刻机,可以看出台积电正在被抛弃(www.e993.com)2024年11月11日。进入10nm工艺后,台积电率先迭代至7nm、5nm、3nm,而英特尔则进展缓慢,导致消费者抱怨,称其是“牙膏厂”。英特尔却直指台积电的7nm工艺造假,其性能、晶体管数量和自己的10nm工艺相当,是同一代产品。

台积电或2030年才采用High-NA EUV光刻机,用于制造1nm芯片

据DigiTimes报道,来自于晶圆厂工具制造商的消息证实,台积电要等到1nm制程节点才会使用High-NAEUV光刻机,可能是出于对成本的考虑。根据台积电之前公布的路线图,1.4nm级A14工艺的推出时间大概在2027年至2028年之间,而1nm级A10工艺的开发预计会在2030年前完成。

突破!俄罗斯制造出了第一台可以生产350nm芯片的光刻机

第一台俄罗斯国产光刻机问世,2024年,350纳米!多……多少?我以为我多看了一个0,俄罗斯和世界差距25年。虽然落后25年,但是还是可以追一追嘛!总归比F22A强,F22A用的500纳米芯片,可见俄罗斯军用90纳米芯片全是进口生产线量产的。350nm属于什么水平呢?中国落后美国两代,俄罗斯落后美国20代!因为美国制裁,现在俄罗斯进口...

全新国产DUV光刻机曝光:“套刻≤8nm”是个什么水平?

根据某光刻大厂的一位内部专家向芯智讯透露，65nm分辨率的ArF光刻机，配合好的OPC（光学邻近效应校正）算法，可以推进到55nm制程。“单次曝光的overlay（套刻精度）的控制窗口是1/4至1/5的线宽，所以55nm线宽的芯片需要至少11nm的overlay才能够制造。虽然该光刻机的套刻精度为≤8nm，但这只是出厂标准，在晶圆...

2nm制程:四强争霸,谁是炮灰?

据韩媒报道,台积电总裁魏哲家没有出席23日在台北举行的台积电2024年技术论坛,是因为他前往欧洲秘密访问ASML荷兰总部和德国工业激光大厂TRUMPF。为了冲刺先进制程晶圆代工,英特尔已成为ASML首台最新型High-NAEUV(高数值孔径EUV光刻机)的买家。台积电高层原本表示,其2nm和A16制程节点并不需要High-NAEUV,因为它太贵了...