如何在设计中轻松搭载GaN器件?答案内详~~

具体来讲,在GaN分立器件单品方面,ROHM将不断扩展现有的两大主力产品,推出第二/三代150V耐压产品、采用新型封装的650V耐压产品等;而在集成化的创新解决方案上,ROHM计划2024年量产搭载伪谐振AC-DC电路或功率因数改善电路,以及搭载半桥电路的产品;并计划在2026年前,陆续量产将GaNHEMT、栅极驱动IC、控制IC集成在同一封...

台积电低功耗芯片路线图|栅极|阵列|元件|晶体管_网易订阅

在当今的CMOS晶体管中,每次逻辑运算所消耗的能量大约为50-100pJ/逻辑运算(注意,这个实际数字可能会有争议,但消耗的能量仍然大约为pJ/运算)。为了便于讨论,我们假设这一数字不会很快发生变化,但与此同时,物联网和人工智能/移动终端对微电子元件的需求和消耗将呈指数级增长。因此,可以想象,到2030年,所有...

理解D类放大器的非理想性:无功负载和寄生电容

Ls和Cs共同为我们提供了一个调谐到开关频率的理想谐振电路。然而,假设由于元件的非理想性,电感实际上是(Ls+La)。如图2所示,我们现在有一个与理想调谐电路串联的额外电感。一种D类放大器,由于元件非理想性,LC电路失调。图2:一种D类放大器,由于元件非理想性,LC电路失调。橙色盒子中的理想调谐电路在开关频率...

详解开关电源 8 大损耗

由于开关损耗是由开关的非理想状态引起的,很难估算MOSFET和二极管的开关损耗,器件从完全导通到完全关闭或从完全关闭到完全导通需要一定时间,在这个过程中会产生功率损耗。图4所示MOSFET的漏源电压(VDS)和漏源电流(IDS)的关系图可以很好地解释MOSFET在过渡过程中的开关损耗,从上半部分波形可以看出,tSW(ON)和tSW(...

收藏!汽车48V方案指南完整版

NCV68261理想二极管和高侧开关NMOS控制器NCV68261是一款极性反接保护和理想二极管NMOS控制器,具有可选高侧开关功能,其损耗和正向电压均低于功??整流二极管????和机械功率开关,可替代后二者。该器件设计用于调节和保护汽车电池,工作电压VIN最高可达32V,并且可以抵御高达60V抛负载(负载...

??了解磁耦合RF变压器的非理想性输电线变压器和分支线圈介绍

传统的变压器需要一次线圈和二次线圈之间的磁耦合(www.e993.com)2024年11月19日。这就是为什么在这种类型的变压器中,能量传输依赖于线圈之间的互感和磁通量的联系。由于传输线变压器是通过传输线的作用而不是通过磁通链传递能量的,所以能量的传递取决于传输线的特性阻抗和传播常数。这代表了两种变压器运行的根本差异。

干货| 工程师手把手教你硬件电路设计

硬件电路设计的大环节必不可少,主要都要经过以下这几个流程:1)原理图设计2)PCB设计3)制作BOM表设计步骤现在再谈一下具体的设计步骤。1.原理图库建立。要将一个新元件摆放在原理图上,我们必须得建立改元件的库。库中主要定义了该新元件的管脚定义及其属性,并且以具体的图形形式来代表(我们常常看到的...

芯片内部为什么能这么小?电路城市的打造和精进

芯片的主要元件是晶体管,一块大型芯片能有上百亿个晶体管,当我们能制造越小的晶体管,芯片能容纳的元件数越多,晶体管的功耗也会越低。在芯片制造中,我们希望利用光在小尺度范围中创造电路图案,那么为什么光能实现这个效果呢?光的雕刻极限又在哪呢?

芯片,到底是如何工作的?-虎嗅网

一方面,电子管容易破损,故障率高;另一方面,电子管需要加热使用,很多能量都浪费在发热上,也带来了极高的功耗。所以,人们开始思考——是否有更好的方式,可以实现电路的检波、整流和信号放大呢?方法当然是有的。这个时候,一种伟大的材料就要登场了,它就是——半导体。

光刻技术的过去、现在与未来

随着半导体工艺的不断进步,芯片的尺寸和结构正朝着更小、更精细的方向发展。光刻技术以其高精度、高分辨率的特性,成为制造微小器件和电路的关键工艺之一。在过去数十年中,光刻技术在芯片制造中经历了许多重大的进展和创新。第一个显著的进展是分辨率的提升。随着半导体制造的需求不断增加,光刻技术在分辨率和图案精度...