测试液体/固体介质损耗、介质损耗因数、介质损耗角正切值的机器
极性液体介质(如蓖麻油、氯化联苯等)除了电导损耗外,还存在极化损耗。它们的tanδ与温度的关系要复杂一些,如图3-13所示。图中的曲线变化可以这样来解释:在低温时,极化损耗和电导损耗都较小;随着温度的升高,液体的黏度减小,偶极子转向极化增强,电导损耗也在增大,所以总的tanδ亦上升,并在t1=t2时达到极大值;在t1...
用西林电桥测量绝缘的tanδ试验
在电压的作用下,电介质中产生的损耗称为介质损耗。如果介质损耗很多,会使电介质温度升高,促使绝缘材料老化。如果电介质温度不断上升,将会把电介质熔化、烧焦,使其丧失绝缘能力,最终被击穿。因此,介质损耗是反映绝缘介质电性能优质程度的一项重要指标。介质损耗与外加电压、电源频率、介质电容C和介质损耗因数tanδ成正...
制备高品质微波介质陶瓷的关键指标是什么
高Q有利于获得良好的滤波特性及通讯质量,品质因数Q主要受介质损耗(tanδd)、欧姆损耗(tanδc)和辐射损耗(tanδλ)等三个因素影响。Q-1=tanδd+tanδc+tanδλ对于微波介质材料,tanδc与tanδλ可忽略,Q约与tanδd成反比关系。由于微波介质谐振腔要求tanδd小于10-4量级才有实用价值,所以材料研究中如何...
南昌大学采购选购我司介电常数ε、介质损耗角正切tanδ测量仪器
ZJD-C介电常数ε、介质损耗角正切tanδ测量仪器(中航时代仪器)固体介质被广泛用作电气设备的内绝缘,常见的有绝缘纸、纸板、云母、塑料等,而用与制造绝缘子的固体介质有电瓷、玻璃、硅橡胶等。电介质的电气特性,主要表现为它们在电场作用下的导电性能、介电性能和电气强度,它们分别以4个主要参数:电导率γ(或绝缘...
小小的电容,也能写出一篇干货?
D.F.=tanδ(损耗角)=ESR/XC=(2πfC)(ESR)8)品质因素Q=cotanδ=1/DF9)等效串联电阻ESR(欧姆)ESR=(DF)XC=DF/2πfC10)功率消耗PowerLoss=(2πfCV2)(DF)11)功率因数PF=sinδ(lossangle)–cosФ(相位角)...
电力试验设备_绝缘_电流_泄漏
如测量电力试验设备绝缘电阻、吸收比、介质损耗因数tanδ、直流泄漏电流等,对各项试验结果进行综合分析,以决定该设备是否受潮或含有(www.e993.com)2024年10月2日。若发现已存在问题,需预先处理,待消除后,方可进行交流耐压试验,以免在交流耐压试验过程中,发生绝缘击穿,扩大绝缘,延长检修时间,增加检修工作量。中试控股试验用来验证线端和中性点端子及它...
电容器介质损耗角值tanδ测量
介质损耗角值tanδ测量要求中试控股对耦合电容器的tanδ测量测量在预防性试验、交接性试验范围内有相应的要求,采用的设备是全自动抗干扰介质损耗测试仪,要求仪器有异频测量功能,且稳定性好,试验是在电容器的一次做引线测量,爬高时系好安全带,做好有效的防范措施。耦合电容器极间电容测量耦合电容器极间电容的测量...
一起220kV线路CVT二次接地缺陷的发现及原理分析
在对高压电容及中压电容进行电容量及介质损耗因数测试时,所采用的仪器为上海思创电器产HV9003B型介质损耗测试仪,对位于第一节瓷套内的高压电容C11进行测量时,C11顶端经一次引线接地,仪器采用低压屏蔽反接线法,测量电压10kV,屏蔽掉测量过程中流经C12的电流,测得高压电容C11的电容量及介质损耗因数tanδ11如表2所示。
技术文章—关于 PCB 的阻抗控制
介质损耗因数:电介质材料在交变电场作用下,由于发热而消耗的能量称之谓介质损耗,通常以介质损耗因数tanδ表示。S1141A的典型值为0.015。能确保加工的最小线宽和线距:4mil/4mil。阻抗计算的工具简介:当我们了解了多层板的结构并掌握了所需要的参数后,就可以通过EDA软件来计算阻抗。可以使用Allegro来计算,但这里...
申万宏源电子 | 深南电路(002916)深度报告
阻抗稳定性是对PCB制造企业的基本要求,其主要影响因素包括介质层厚度、铜厚、线宽等,图2显示,一些材料的Dk(介电常数er)和Df(介质损耗因数tanδ)参数会发生非线性变化,成为影响电路阻抗及传输损失的新变量;如图3所示,当工作频率高于1GHz时,普通PCB基板中的传输损失通常会变得显著。