吃透MOS管,看这篇就够了
MOSFET只靠多子导电,不存在少子储存效应,因而关断过程非常迅速,开关时间在10—100ns之间,工作频率可达100kHz以上,普通的晶体三极管由于少数载流子的存储效应,使开关总有滞后现象,影响开关速度的提高(目前采用MOS管的开关电源其工作频率可以轻易的做到100K/S~150K/S,这对于普通的大功率晶体三极管来说是难以想象的)。3...
为什么MOS管需要提升关断速度?如何解决这个问题?
当mos管关断时,R4电阻上的电压被限制在0.7V,一旦超过0.7V,电流就会通过二极管,然后与R1串联进行放电,这样驱动电阻就能减小,从而可以让mos管快速关断,进而减少关断损失。这儿有个问题:要是芯片驱动能力不够咋弄?答案就是:我们可以通过增加PNP三极管来实现。当mos管开通时,还是让芯片直接驱动,但关断时可以通过三极...
R课堂|SiCMOSFET:通过波形的线性近似分割来计算损耗的方法
在图1中,会因MOSFET的导通电阻和ID而产生电压VDS2(on),但如果该电压远低于VDS的High电压,就可以视其为零。图1.开关损耗波形示例综上所述,可以使用下面的公式(1)来近似计算开通时的功率损耗。同样,将关断时的波形也分为两部分,前半部分(toff1)使用表1的例1中的公式VDS1??0,后半部分使用(toff2)例...
功率半导体中超结MOS管基础知识
简单来说,平面MOSFET在高电压下需要更厚的漂移区来承受高电压,但这也会导致更高的导通电阻,从而增加功率损耗。图:平面MOS结构3.超结MOSFET的出现为了克服平面MOSFET的局限性,超结MOSFET应运而生。超结MOSFET利用了一种创新的结构设计,显著降低了导通电阻,同时维持了高击穿电压。4.超结MOSFET的结构超结MO...
MOS管驱动电流估算
关断电流带入数据得于是乎得出这样的结论,驱动电流只需250mA左右即可。仔细想想这样计算对吗?这里必须要注意这样一个条件细节,RG=25Ω。所以这个指标没有什么意义。应该怎么计算才对呢?其实应该是这样的,根据产品的开关速度来决定开关电流。根据I=Q/t,获得了具体MOS管Qg数据,和我们线路的电流能力,就可以获得...
特朗普同款充电宝,安克新款MagGo磁吸无线充移动电源拆解_腾讯新闻
清理掉PCBA模块表面的导热胶,首先介绍底层的移动电源模块(www.e993.com)2024年9月9日。PCBA模块正面一览,在左侧焊接微动按键,屏幕连接器,MCU。合金电感下方为电池保护电路,电感右侧为同步升降压MOS管和滤波固态电容。下方为同步升降压控制器,右侧设有协议芯片,VBUS开关管,USB-C母座。
超400款产品的共同选择,南芯科技历年拆解案例汇总_腾讯新闻
南芯科技SC3501是一颗自适应开通检测和快速关断同步整流控制器,无需辅助线圈供电,输出电压最高可达22V,最低可低至0V,满足PD快充应用。南芯科技专利的自适应开通检测电路避免同步整流管误开通,兼容多种MOS,具有超低的静态电流,支持多种工作模式,支持高侧和低侧同步整流,外围元件非常精简。相关阅读:1、拆解报告:...
基于比较器的过压保护电路设计方案(完整版)
值得一提的的是,MOS管饱和导通后,漏源极(DS)之间的压降及损耗很小,保证电源电压几乎无损失地供给负载。下面开始逐步构造电路:1.以MOS管为受控开关P沟道MOS管的阻尼二极管正极端连漏极(D),二极管负极连源极(S),要使MOS不至于无控导通,源极(S)必须接电源Us的正极。
解析开关电源的冲击电流的几种控制方法
D1用来限制MOS管Q1的栅源电压。元器件R1,C1和D2用来保证MOS管Q1在刚上电时保持关断状态。上电后,MOS管的栅极电压要慢慢上升,当栅源电压Vgs高到一定程度后,二极管D2导通,这样所有的电荷都给电容C1以时间常数R1×C1充电,栅源电压Vgs以相同的速度上升,直到MOS管Q1导通产生冲击电流。
专为快充宽压设计,五家快充芯片大厂推出AHB架构主控芯片
相比传统反激将变压器漏感能量作为发热消耗,AHB控制器不仅实现了漏感能量的回收利用,还实现了主开关管零电压开通以及同步整流管零电流关断,减小了开关损耗,同时也减小发热。AHB拓扑的特点及优势AHB拓扑不对称半桥里面的变压器励磁电感和谐振电容器均参与存储能量,与反激式转换器相比,会缩小部分体积;AHB结合了反激变换...