吃透MOS管,看这篇就够了
上图的栅极通过金属氧化物与衬底形成一个电容,越是高品质的mos,膜越薄,寄生电容越大,经常mos管的寄生电容达到nF级。这个参数是mos管选择时至关重要的参数之一,必须考虑清楚。Mos管用于控制大电流通断,经常被要求数十K乃至数M的开关频率,在这种用途中,栅极信号具有交流特征,频率越高,交流成分越大,寄生电容就能通...
黄仁勋表示,英伟达可以弃用台积电!
9月13日消息,黄仁勋公开表示,英伟达可以弃用台积电。“台积电在芯片代工方面遥遥领先,但是如果必要,英伟达可以把订单转给其他供应商。”黄仁勋说道。英伟达严重依赖台积电为其生产最重要的芯片,这是因为台积电在芯片制造领域遥遥领先。不过黄仁勋话锋一转,英伟达自主开发了大部分公司技术,应该可以将订单转移给其他供应商,...
高效均衡,释放电池组潜力,主动均衡锂电芯片汇总全解
ETA3000芯片支持均衡状态指示,开关频率为1MHz,支持使用小体积电感,芯片支持电池过电压保护,欠压保护和过热保护,适用于2~6串电池系统,如:移动电源,电子烟,无人机电池等便携设备和电池备份系统。ETA3000采用SOT23-6和DFN2*2-8等小封装形式,其中DFN2*2-8封装支持使能控制和均衡状态指示。钰泰ETA3005ETA3005系列芯...
产品方案 I 茂睿芯240W高性能PFC+LLC全套方案详解
开关损耗随着开关频率的增加成比例地上升、功率器件的运行轨迹超出安全工作区(SOA),不利于器件可靠性、过高的di/dt和dv/dt将产生严重的电磁干扰(EMI),而软开关技术的出现,可以有效降低开关损耗、减小功率器件应力以及改善电源效率。二、茂睿芯240W高性能电源板MK2562+MK2189+MK1620的240W电源演示板为使读者更...
SiC MOS与IGBT的优缺点及在新能源车上的应用趋势【SMM电机会】
SiCMOS与IGBT的对比及优缺点分析高开关频率SiC更高的开关频率,开关频率更高,最高100MHz,远高于IGBT的100kHz。带来的优点:减小薄膜电容、磁性元件的容量及体积,可实现电驱动系统小体积、轻量化及优良的NVH指标。高工作电压、高温度、低损耗SiC更高的工作电压,非常适合800V及以上电驱动系统,满足车辆快速充电...
如何选择开关电源的输出滤波电容?
开关电源的工作频率越高,电源的体积就越小(www.e993.com)2024年9月17日。开关电源的工作频率从几十KHz到几MHz不等。在开关电源中,电容的ESR直接影响到电容的效果,它比电容器的容量还重要,事实上我们所说的电容器的容量一般都是在120Hz下测量的值,当工作频率提高时,电容容量会急剧降低,甚至根本不能起到电容的作用。一般而言,应该选择ESR相对...
怎么通过SPICE仿真来预测VDS开关尖峰?
第一种方法是在DrMOS上应用更高电压的双扩散MOSFET(DMOS)工艺。如果在功率MOSFET设计中采用此工艺,由于同一空间内并联DMOS的数量减少,DrMOS的导通电阻(RDS(ON))会更高。第二种方法是使用缓冲电路来抑制电压尖峰。然而,这种方法会导致缓冲电路产生额外的损耗。此外,添加缓冲电路可能无法有效降低MOSFET的VDS尖峰,因为引...
如果把开关电源的频率无限提升,会发生什么?
假设每次开关管每开关一次产生的能量损耗是一定的,记为Esw,那么开关管的开关损耗功率就为Psw=Esw*fs,显然,开关频率越高,开关损耗越大。5M开关频率下开关损耗比500K要大10倍,这对于重视效率的开关电源来说,显然是不可接受的。所以,开关损耗是限制开关频率的第二因素。
常用的MOS做电源开关电路的设计_腾讯新闻
MOS的GS极间的寄生结电容大小,影响了开断速度。越小开断越快,响应越迅速。选型时,应尽量选择小的,可以有更快的开断速度,以降低开关损耗。1.1.3.2、寄生结电容和驱动频率对驱动电流的需求MOS的GS极内阻非常大,对外主要体现为容性,低频时对电流的需求不明显,而随着频率升高,电容充放电频率的加快,电容的容...
士兰微电子成功参展 AUTO TECH 2024 华南展
1.士兰自研超结MOS、SiCMOS2.低导通损耗、开关损耗3.高功率密度低压MOSFETSilan分立器件应用:车身域、EPS、泵类等特点:1.士兰LVMOS工艺制造2.40V-150V不同电压等级及功率等级3.封装覆盖范围广4.较低的导通损耗和优越的开关性能...