获多家国内外知名大厂青睐的芯片,你还不来看看?

过放电保护电压为2.08V,精度为50mV。内置高精度取样电阻检流电路,可消除传统保护芯片使用电池保护MOS内阻检测的误差,采用DFN1.9*1.6-6L封装。1、拆解报告:InfinixNote11手机创芯微CM1004-BKD丝印4BK的芯片为创芯微CM1004-BKD,这款芯片具有高精度电压检测功能,过充电保护电压为4.53V,精度为20mV。过放电保护...

想了解创芯微历年拆解案例有哪些,看这篇文章就够了

过放电保护电压为2.08V,精度为50mV。内置高精度取样电阻检流电路,可消除传统保护芯片使用电池保护MOS内阻检测的误差,采用DFN1.9*1.6-6L封装。相关阅读:1、拆解报告:InfinixNote11手机创芯微CM1004-BKD丝印4BK的芯片为创芯微CM1004-BKD,这款芯片具有高精度电压检测功能,过充电保护电压为4.53V,精度为20mV。

集成电路布图设计专有权公告(2022年1月7日)

公告日期:2022年1月7日公告号:51268布图设计名称:PCV004布图设计类别:结构:Bi-MOS技术:CMOS功能:其他布图设计权利人:艾科微电子(深圳)有限公司布图设计权利人国籍:中国布图设计权利人地址:广东省深圳市罗湖区莲塘街道仙湖社区国威路68号国威商务大厦1502布图设计创作人:沈逸伦、杨丰诚代理机构:北...

Xeon E3-1200 v6完全曝光:提频率 降功耗

另一个惊喜来自功耗。v5系列的热设计功耗全部都是80W,而现在,不带核显的E3-1220v6、E3-1230v6、E3-1240v6、E3-1270v6、E3-1280v6都降低到了72W,带核显的E3-1225v6、E3-1245v6、E3-1275v6则降到了73W。说到核显,型号都变成了HDP630,但其实完全没变化,频率还是最高1150MHz。其实早在去...

Intel推18核心服务器U:功耗实在夸张

XeonE7-8895v3是一款18核心型号,36线程,45MB三级缓存,基准频率2.6GHz,最高加速频率3.5GHz,热设计功耗175W。相比于已有的旗舰级18核心E7-8890v3,它的基准、加速频率分别提高了100MHz、200MHz,而代价就是热设计功耗也增加了10W。简单查阅了一下,175W这已经是Xeon家族的功耗历史记录了(Itanium安腾有185W的)...

“Haswell”杀到!至强E3-1270v3性能测试

在7-Zip解压缩测试中,我们发现新一代的至强E3-1270v3要比上一代至强E3-1270v2在性能方面有所提升,比至强E3-1270v1则更是高出不少(www.e993.com)2024年11月15日。尽管这次测试并没有显现出Haswell架构在性能方面很大优势,但结果还算满意。TrueCrypt加密测试英特尔在处理器中增加了AES-NI加密指令,通过TrueCrypt可以较为直观地测试其在加密方面...

新一代桌面王者 13代酷睿i9-13900KS性能解析

所以如果不超频使用的话,还是建议大家调低电压来使用,这样可以让功耗更低,且保证性能没有太大损失。因为我们前面也讲过了,英特尔13代酷睿每瓦性能提升明显,且RaptorCove内核具有非常好的电压和频率曲线,所以功耗低一些并不会影响实际性能表现。如果是追求更好的游戏性能,以i9-13900KS的体质来看,8个性能核超频至6...

光通信行业研究:光芯片与光模块开启高景气周期

LPO方案光模块则是在传统可插拔光模块的基础上,利用线性直驱技术替换传统的DSP,降低成本与功耗的同时也牺牲了性能与传输距离。1)传统可插拔光模块传统高速光模块主要基于EML(单模)、VCSEL(多模)光芯片,EML芯片衬底为磷化铟,VCSEL芯片衬底为砷化镓。VCSEL激光器目前最高速率为单波100G,目前只有II-...

AI大模型行业专题报告:AI大模型企业是如何炼成的

MTIA是一种ASIC,一种将不同电路组合在一块板上的芯片,允许对其进行编程以并行执行一项或多项任务。MTIA采用开源芯片架构RISC-V,它的功耗仅有25瓦,远低于英伟达等主流芯片厂商的产品功耗。框架:PyTorch——深度学习领域最受欢迎的框架之一

台积电:明年3nm试产、2nm研发中心落成,8000名科学家和工程师将入驻

N12e技术是第一个特色工艺放在FinFET制程上。该制程优势是有更低功耗、保有高性能运算能力,且在没有牺牲速度与逻辑密度的前提下,进一步提升电源效率。此外,也支持超低漏电装置,超低VDD设计、可低至0.4V以下,是业界重大突破。台积电特色工艺业务发展资深总监刘信生表示,特色工艺在半导体生态中,是不可或缺...