朱永法教授团队Chem:可见光诱导价带内强氧化空穴产生
Side-CB和Side-VB分别表示导带最低点和价带最高点,分别对应LUCO和HOCO。Intra-VB指的是内部价带,本研究特别关注HOCO-1轨道。基于实验测定了PTCDA光催化剂的side-CB为-0.32V,side-VB的氧化电位为1.65V,HOCO-1的位置为2.98V。考虑到从HOCO-1到LUCO的电子跃迁需要高能激发(E≥3.30eV,λ≤376nm)以及HO...
可见光下从价带内产生空穴以增强氧化电位
Side-CB和Side-VB分别表示导带最低点和价带最高点,分别对应LUCO和HOCO。Intra-VB指的是内部价带,本研究特别关注HOCO-1轨道。基于实验测定了PTCDA光催化剂的side-CB为-0.32V,side-VB的氧化电位为1.65V,HOCO-1的位置为2.98V。考虑到从HOCO-1到LUCO的电子跃迁需要高能激发(E≥3.30eV,λ≤376nm)以及HOCO...
FCSE 前沿研究:一种用于晶体硅异质结太阳能电池的新型掺银氧化镍...
p型氧化镍(NiOx)具有小的价带带阶(ΔEV)和大的导带带阶(ΔEC),是晶体硅异质结太阳能电池空穴传输层的优良候选材料之一。本文针对化学计量氧化镍由于载流子浓度低以及电导率低而导致的空穴选择性差的问题,采用高纯银片和纯氧化镍靶材共溅射的方法制备了载流子浓度高的掺银氧化镍(NiOx:Ag)空穴传输层。Ag+的引入...
硅波导宽带近红外光源助力片上光谱传感
硅导带(价带)中的热电子(空穴)通过带内黑体作用发射红外光子。图3反向偏置发射过程亚微米硅波导中的宽带热载流子发射为纳瓦级,可用于集成光子元件的片上表征,而无需片外可调谐激光器或宽带光源。为了证明这一点,研究人员将来自硅发射器的光耦合到保偏(PM)光纤,该光纤连接至另一个PIC芯片(如图4a),该PIC芯片...
钙钛矿电池能在太空中自我修复?是时候好好盘盘它啦!
当把具有PN结的太阳能电池置于阳光下时,P侧吸收的光子导致价带中的电子跃迁到导带,也就是从受缚电子成为自由电子。这个过程称为光激发。当为电池上施加负载时,这些电子将从P型侧流入N型侧。穿过外部电路后再返回到P侧与它们留下的空穴重新结合。
双能级增强宽间隙半导体中的非辐射载流子重组
传统的单缺陷介导的Shockley–Read–Hall模型表明,宽带隙(WBG)半导体中的非辐射载流子复合率可以忽略不计,因为单缺陷水平预计远离价带最大值(VBM)或导带最小值(CBM),或两者兼而有之(www.e993.com)2024年9月19日。然而,该模型未能阐明在各种WBG半导体中经常通过实验观察到的实质性非辐射复合现象。由于WBG半导体固有缺陷状态的更局部化性质,当缺陷电...
Nat. Mater.:高迁移率有机半导体的导带结构和部分修饰的极化子形成
能带结构提供了有关有机半导体中电荷传输行为的关键信息,例如有效质量、转移积分和电子-声子耦合。尽管在1990年代就发现了价带(最高占据分子轨道(HOMO))带结构,但尚未通过实验观察到导带(最低未占据分子轨道(LUMO))。近日,日本千叶大学HiroyukiYoshida,筑波大学HiroyukiIshii等采用角分辨低能逆光电子能谱来揭...
...器如何工作的?光敏电阻基础知识介绍|元件|光子|半导体|导带|...
这种分类取决于导带和价带之间的能隙,即电子从价带跃迁到导带所需的能量。对于半导体(假设为LDR),可以通过使用合适的光强度(即光子或光子能量)来克服这种能隙。打开网易新闻查看精彩图片LDR或光敏电阻的半导体材料具有高电阻。LDR的半导体具有高电阻,因为只有很少的电子可用于传导。
浙江师范胡勇&南洋理工楼雄文Angew.:CO2光催化还原最新进展!
(d)各种条件下的对照实验。(e)UV-visDRS,(f)瞬态光电流,(g)各种样品的稳定光致发光。(h)可能的电荷流动路径示意图。其中CB、VB和Ef分别代表导带、价带和费米能级。图3.不同温度下ROH-NiCo2O3样品(a)XRD,(b)FTIR,(c)TGA曲线和(d)光活性。(e)羟基化相关CO2PR示意图。
黑磷基异质结构光催化剂丨Engineering
BP具有合适的带隙宽度和导带价带位置,因此可以作为可见光驱动分解水的光催化剂。图2(a)采用Heyd-Scuseria-Ernzerhof(HSE06,杂化泛函计算)方法得出的引入单轴应变的BP导带底(CBM)和价带顶(VBM)位置;(b)通常条件或单轴应变调控下的BP能带位置。NHE:一般氢电极。转载自参考文献,经AmericanChemicalSociety许可,...