Nexperia推出DFN2020D-3封装的热门功率双极结型晶体管
基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia(安世半导体)近日宣布其广受欢迎的功率双极结型晶体管(BJT)产品组合再次扩展,推出采用DFN2020D-3封装的十款标准产品和十款汽车级产品。这些新器件的额定电压为50V和80V,支持NPN和PNP极性的1A至3A电流范围,进一步巩固了Nexperia作为市场领先供应商的地位。通过此次...
双极性结型晶体管的开关损耗
双极性结型晶体管(BJT)既可以用作小信号放大器,也可以用作开关。尽管现在你在电路板上看不到很多分立的BJT放大器——使用运算放大器要方便有效得多——但作为开关连接的BJT仍然很常见。BJT开关通常用于阻断或向有刷直流电机、灯或螺线管等负载输送电流。它们有时也出现在更高频率的开关应用中,如开关模式调节器或...
瞭望| “聪明的车”产业链逐步自主可控|智能驾驶|智能汽车|自动...
如寒武纪等的主控芯片实现了小批量装车,比亚迪、中车时代实现了功率类芯片IGBT(绝缘栅双极型晶体管)量产应用,华为、大唐等企业的通信芯片形成了一定优势地位。随着汽车控制集中化成为发展趋势,更高算力的SoC(系统级芯片)成为未来汽车芯片竞争的“制高点”,一些企业的SoC芯片已经开始量产搭载。此外,决策系统硬件层的智能...
整理分类:晶体管的类型分析
双极晶体管是指音频电路中非常常用的一种晶体管。双极源自两种半导体材料中电流之间的关系。双极晶体管根据其工作电压的极性分为PNP型或NPN型。双极结型晶体管双极结型晶体管也称为半导体晶体管。这是一种通过特定程序连接两个PN结的仪器,具有PNP和NPN两种组合结构。从外部引出三个极:集电极、发射极和基极。
三星申请场效应晶体管结构专利,实现顺序连接的无源器件
金融界2024年3月2日消息,据国家知识产权局公告,三星电子株式会社申请一项名为“包括无源器件或双极结型晶体管的场效应晶体管结构“,公开号CN117637742A,申请日期为2023年8月。专利摘要显
这是我模电生涯中,学三极管最爽的一次
晶体三极管(以下简称三极管)按材料分有两种:锗管和硅管(www.e993.com)2024年9月17日。而每一种又有NPN和PNP两种结构形式,但使用最多的是硅NPN和锗PNP两种三极管,(其中,N是负极的意思(代表英文中Negative),N型半导体在高纯度硅中加入磷取代一些硅原子,在电压刺激下产生自由电子导电,而P是正极的意思(Positive)是加入硼取代硅,产生大量空穴利于...
半导体专题篇十五:功率半导体
MOSFET是一种基于金属氧化物半导体结构的场效应晶体管。它具有高输入电阻、低开关损耗、高开关速度等优点,因此在高频率、低功率应用中得到了广泛应用。在功率电子领域,MOSFET通常用于低电压、高频率的应用,例如电源适配器、直流-直流变换器等。(2)绝缘栅双极型晶体管(IGBT)...
MOS管基础及选型指南
MOS管,即金属(Metal)—氧化物(Oxide)—半导体(Semiconductor)场效应晶体管,是一种应用场效应原理工作的半导体器件。本文引用地址:httpseepw/article/202403/456567.htm和普通双极型晶体管相比,MOS管具有输入阻抗高、噪声低、动态范围大、功耗小、易于集成等优势,在开关电源、镇流器、高频感应加热、...
公司前线|立昂微题材要点调整更新
铟镓磷异质结双极型晶体管2023年3月15日公司在互动平台上披露:公司化合物半导体射频芯片产品铟镓磷异质结双极型晶体管(InGaPHBT)应用于2G/3G/4G/5G高频,高线性的无线射频通讯市场。子公司拟获国晶半导体58.69%股权2022年2月份,公司的控股子公司金瑞泓微电子(衢州)有限公司与上海康峰投资管理有限公司,上海...
半导体芯片,到底是如何工作的?
今天这篇,我们继续往下讲,说说芯片的诞生过程——从真空管、晶体管到集成电路,从BJT、MOSFET到CMOS,芯片究竟是如何发展起来的,又是如何工作的。█真空管(电子管)爱迪生效应1883年,著名发明家托马斯??爱迪生(ThomasEdison)在一次实验中,观察到一种奇怪现象。