...面向超高像素密度TFT基Micro-LED全彩显示应用的激光巨量转移技术

近日,厦门大学、厦门市未来显示技术研究院和天马微电子组成的联合研发团队在SCIENCECHINAInformationSciences杂志发表了题为“SuperretinaTFTbasedfullcolormicroLEDdisplayvialasermasstransfer”的研究论文。论文深入探讨了面向超高像素密度TFT基Micro-LED全彩显示应用的激光巨量转移集成关键技术问题,并对激光...

清华大学发表展望论文!论在范德华层状材料中利用光学可寻址自旋...

11月5日,清华大学、法国图卢兹大学和法兰西大学学院在《Light:Science&Application》期刊上发表题为“QuantumsensingwithopticallyaccessiblespindefectsinvanderWaalslayeredmaterials”(范德华层状材料中具有光学可寻址自旋缺陷的量子传感)的展望论文,方红华副教授(第一作者)、孙洪波教授为论文共同通讯作...

【禁止】中科院在光电集成互连技术领域研究取得新进展

利用光电材料与技术国家重点实验室的微纳加工平台摸索出一整套的器件加工工艺,解决了高折射率对比差波导体系中有源波导与无源波导耦合难题,研制出片上集成的半导体激光器,激光器片上最大输出功率超过2mW,探测器响应度达到0.38A/W。

新质对话|黄凯:有没有包打天下的技术路线?半导体显示如何向价值链...

Micro-LED通常使用的是50微米以下的芯片，一根头发丝直径方向上能够摆放5-6颗芯片，制备难度非常高，此前的机械转移技术已经无法满足要求，需要使用印章式或激光的巨量转移技术。Micro-LED在目前阶段表现出色，以其卓越的稳定性和全面的性能指标，成为综合指标最优秀的一种显示技术。Micro-LED需要高速度、高精度和高良...

填补高性能硅基集成光源芯片技术空白:科学家实现传统掺铒光纤器件...

图丨相关论文(来源:NaturePhotonics)需要了解的是,超低噪声激光器还有一些技术提升空间。例如,掺饵注入的方法会带来损伤,需要用高温技术修复,而温度过高可能与现有的商业硅光产品工艺不兼容。另一方面,虽然温度稳定性高,但其尺寸比半导体激光器大,混合集成封装尚有一定对工程问题,后续是否能进一步降低成本,取决于该...

招聘专栏:深圳大学微系统与半导体技术团队招收助理教授/副教授...

团队研究方向:深圳大学“微系统与半导体器件实验室(Microsystem&SemiconductorTechnologyLab)”,研究涵盖微系统以及电子/光电子器件的基础和应用,着眼于有重大学术影响力的科研成果,并致力于研发行业领先的关键技术(www.e993.com)2024年11月14日。团队人员构成:均来自国内外顶尖院校,具有深厚且广泛的科研背景;研究团队高度国际化、多元化、富有活力...

普渡研发新型半导体纳米线激光器,有望用于光子电路和激光探测

因此，这种新型半导体纳米线激光器有望被用于光子电路和光子计算器、激光探测及测距系统、生物医学探测和成像系统等领域。（来源：Science）日前，相关论文以《层状卤化物钙钛矿纳米线的分子模板》（Moleculartemplatingoflayeredhalideperovskitenanowires）为题发Science[1]。美国普渡大学博士后邵文豪、JeongHuiKim...

面发射半导体激光器实现效率突破

研究人员统计了历年来半导体激光的效率发展图,如图5所示,正如审稿人所提及:这确实是一个长久停滞领域的一个重要的突破。图5半导体激光器电光转换效率总结总结与展望我们模拟了多结VCSEL的缩放特性,并与单结VCSEL进行了比较。数值模拟表明,20结VCSEL在环境温度条件下的电光转换效率可超过88%,实验上15结VCSEL在...

激光精密揭示单原子半导体的秘密主题:成像

物理学家开发了一种突破性技术,利用高分辨率显微镜和超快激光精确识别半导体中的缺陷。这种新方法在纳米级组件中特别有效,使得观察原子缺陷周围电子运动的细节前所未有地清晰,大大推动了半导体物理领域的发展,并为像石墨烯这样的材料带来了新的可能性。先进的半导体分析...

综述:高性能锑化物中红外半导体激光器研究进展

据麦姆斯咨询报道,近期,由中国科学院半导体研究所和中国科学院大学组成的科研团队受邀在《激光技术》期刊上发表了以“高性能锑化物中红外半导体激光器研究进展”为主题的文章。该文章第一作者为曹钧天,通讯作者为杨成奥和牛智川研究员。这项研究综述了锑化物半导体激光器的的发展过程和国内外的研究现状,分析了器件结构...