准分子紫外灯辅助单层石墨烯选择性刻蚀及其在边缘接触器件中应用
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一万八干字详解半导体刻蚀工艺_腾讯新闻
例如,FinFET技术的引入提高了晶体管的开关速度和能效,但也对刻蚀工艺提出了新的挑战,需要更高的刻蚀精度和选择性。综上所述,刻蚀工艺在半导体制造过程中占据着至关重要的地位,是实现高性能、复杂结构和新技术的核心工艺之一。通过不断优化和创新刻蚀工艺,半导体制造商能够持续推动技术进步,满足市场对更高性能、更...
第66期“见微知著”培训课程:MEMS制造工艺
在本课程中,老师将为学员分享PZT薄膜制备方法、常见问题和解决方案,并结合典型压电MEMS器件讲解制造工艺流程。课程提纲:1.PZT压电薄膜材料特性分析;2.PZT压电薄膜制备方法:溶胶凝胶法vs.溅射法;3.溅射法压电薄膜工艺设备及参数控制、常见问题和解决方案;4.高可靠性PZT压电薄膜量产技术;5.基于PZT压电薄膜...
晶圆级封装(WLP),五项基本工艺
首先在晶圆上涂覆一层被称为“光刻胶”的光敏聚合物,然后透过刻有所需图案的掩模,选择性地对晶圆进行曝光,对曝光区域进行显影,以绘制所需的图案或图形。该工艺的步骤如图2所示。在晶圆级封装中,光刻工艺主要用于在绝缘层上绘制图案,进而使用绘制图案来创建电镀层,并通过刻蚀扩散层来形成金属线路。为更加清楚地了...
刻蚀工艺面试小结
材料选择性:湿法刻蚀通常具有更高的材料选择性,对某些材料表现出较强的各向同性。干法刻蚀在需要高度各向异性和精确图形定义的应用中更为常用。图形要求:干法刻蚀适用于需要精确侧壁控制的场景,如微纳米结构。湿法刻蚀则更适合大面积和均匀刻蚀。工艺复杂度:干法刻蚀工艺复杂度较高,但适用于多层结构的刻蚀和复杂形貌...
等离子体刻蚀在半导体图案化中工艺流程
同时,选择性(Selectivity,通过刻蚀速率衡量)是刻蚀工艺的关键性能指标(www.e993.com)2024年10月5日。对其的衡量标准是根据掩模层(光刻胶膜、氧化膜、氮化硅膜等)与目标层的刻蚀速率对比而制定的。这意味着选择性越高,目标层刻蚀得越快。小型化水平越高,对于选择性的要求越高,以确保可以完美呈现精细图案。由于刻蚀方向呈直线,阳离子刻蚀的选择性...
RIE反应离子刻蚀机在半导体工艺中的应用
RIE反应离子刻蚀机常用于半导体工艺中去除材料的特定部分。反应离子刻蚀机利用气体放电产生的等离子体对材料表面进行刻蚀。具有高选择性、高速率、各向同性刻蚀等特点。被广泛应用于微纳加工、半导体制造、光学器件制造等领域。可以根据具体的应用要求对刻蚀工艺的参数和条件进行优化和调整,以获得所需的刻蚀效果。它主要由真...
KAUST大学李晓航教授团队研发MicroLED制造新工艺
针对这一痛点,阿卜杜拉国王科技大学(KAUST)李晓航教授团队研发了一种名为选择性热氧化(STO)的Micro-LED像素定义技术,免除了传统像素定义必须的等离子体刻蚀工艺。相关研究成果以“Etching-freepixeldefinitioninInGaNgreenmicro-LEDs”为题发表在Light:Science&Applications。
半导体后端工艺|第七篇:晶圆级封装工艺
首先在晶圆上涂覆一层被称为“光刻胶”的光敏聚合物,然后透过刻有所需图案的掩模,选择性地对晶圆进行曝光,对曝光区域进行显影,以绘制所需的图案或图形。该工艺的步骤如图2所示。图2:光刻工艺步骤在晶圆级封装中,光刻工艺主要用于在绝缘层上绘制图案,进而使用绘制图案来创建电镀层,并通过刻蚀扩散层来形成金属...
半导体刻蚀机行业专题报告:国产替代空间充裕
(4)在等离子刻蚀的基础上,业内新热点原子层刻蚀(AtomicLayerEtching,ALE)在先进制程中应用场景广阔,有望成为未来趋势。ALE是一种新的刻蚀工艺技术,能够将刻蚀精确到一个原子层(0.4nm),要求刻蚀过程均匀地、逐个原子层地进行,并停止在适当的时间或位置。其优点在于刻蚀选择性极高,且可以将对晶圆表面的损伤...