【解密】艾科瑞思微组装设备领先全球;东南大学学者突破高选择性...
2、东南大学学者突破高选择性湿法刻蚀关键技术国家自然科学基金委网站日前透露,在该基金支持下,东南大学孙立涛教授团队及合作者在新原理湿法刻蚀及工艺方面取得突破。目前,湿法刻蚀在半导体制造等领域有广泛应用,但与干法相比,在方向选择性上存在不足,难以得到形貌精确可控的微纳结构,由于在微纳尺度上追踪固-液-气反...
准分子紫外灯辅助单层石墨烯选择性刻蚀及其在边缘接触器件中应用
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一万八干字详解半导体刻蚀工艺_腾讯新闻
选择性:化学刻蚀的选择性通常较高,意味着不同的材料可以被同一化学溶液以不同的速率刻蚀,而物理刻蚀的选择性较低,因为它不依赖于材料的化学性质。应用场景:不同的刻蚀技术适用于不同的材料和工艺要求。例如,干法刻蚀在需要高深宽比和精细图案的半导体工艺中更为常用,而湿法刻蚀可能用于金属刻蚀艺术或某些宏观尺度的...
【复材资讯】聚合物真空绝缘子表面二级微结构
首先将SiO2/CLPS复合材料加工成型,而后利用激光刻蚀的方式在绝缘子表面制备出微槽结构,接着利用选择性化学腐蚀的方式去除微槽内壁与微槽之间台阶上的SiO2微球,制备出表面微孔结构,结合第一步制备出的微槽结构,最终形成聚合物绝缘子表面的二级微结构。
等离子体刻蚀在半导体图案化中工艺流程
首先,对于栅极层,应利用带有多晶硅刻蚀选择性的氯基等离子体(硅+氯气)去除硅。对于底部绝缘层,应使用具有刻蚀选择性和效力更强的碳氟基等离子体源气(二氧化硅+四氟化碳)分两步对二氧化硅膜进行刻蚀。2.纵横比(A/R)在半导体技术的微观世界里,纵横比(AspectRatio),即结构垂直高度与水平宽度的比例(高度除以宽度)...
3.11亿元!清华大学公布仪器设备采购意向
导读:近日,清华大学发布多批政府采购意向,仪器信息网特对其中的仪器设备品目进行梳理,统计出67项仪器设备采购意向,预算总额达3.11亿元(www.e993.com)2024年10月19日。近日,清华大学围绕大科学装置发布多批政府采购意向,仪器信息网特对其进行梳理,统计出67项仪器设备采购意向,预算总额达3.11亿元,涉及三重串联四极杆液质联用系统、离子淌度-高分辨飞行...
JACS:开放多孔MOF的选择性刻蚀,显著增强氧还原反应活性
近日,名古屋大学YusukeYamauchi、华东师范大学韩布兴、XiaWei和南京航空航天大学何建平等报道了一种通过螯合剂辅助选择性刻蚀来构建金属有机骨架开孔结构的方法。具体而言,研究人员选用同时含有S和O元素的二甲酚橙(XO)作为螯合剂,通过与酸性刻蚀剂中的质子结合,在初始阶段保持较低的初始质子浓度,从而实现对极性...
半导体刻蚀机行业专题报告:国产替代空间充裕
ALE是一种新的刻蚀工艺技术,能够将刻蚀精确到一个原子层(0.4nm),要求刻蚀过程均匀地、逐个原子层地进行,并停止在适当的时间或位置。其优点在于刻蚀选择性极高,且可以将对晶圆表面的损伤控制到最小。ALE可能的应用范围非常广泛,包括要求对硅表面零损坏的界面氧化物刻蚀及鳍状栅(FinFET)相关刻蚀,要求...
超快激光诱导分解:GaAs半导体材料的选择性激活
最近,北京理工大学的徐可米教授团队和吉林大学的王磊副教授团队发现超快激光加工中除了形貌变化之外,激光光场还会诱导材料的化学键发生变化,使化合物材料分解并导致元素单质的空间定向分离,通过实验和第一性原理理论分析,共同提出了一种超快激光表面活化技术,可用于空间选择性银纳米结构还原形成Ag-GaAs金属半导体复合表面。
Semicon半导体工艺:干法刻蚀与湿法刻蚀的区别和特点
Semicon半导体工艺:干法刻蚀与湿法刻蚀的区别和特点半导体制造工艺中的刻蚀是利用物理和(/或)化学方法有选择性地从晶圆表面去除不必要材料的过程。刻蚀工艺通常位于光刻工艺之后,利用刻蚀工艺对定义图形的光阻层侵蚀少而对目标材料侵蚀大的特点,从而完成图形转移的工艺步骤。刻蚀工艺主要分为干法和湿法两种。