【新品发布】12月5-7日,宽禁带半导体、金刚石前沿应用、超硬材料...

Carbontech2024半导体与加工主题设置4大论坛,宽禁带半导体及创新应用论坛、金刚石前沿应用及产业发展论坛、超硬材料与超精密加工论坛、培育钻石论坛,邀请国际知名团队、企业、资讯机构等多方资源,从市场应用需求倒推,聚焦于市场化需要的半导体材料、工艺、器件等解决方案,共同打造“材料——器件——应用”产业链,打造半导体...

化合物半导体的特性及应用领域是什么?这些应用领域的发展前景如何?

化合物半导体的特性使其在众多领域展现出卓越的优势。首先,它们具有更高的电子迁移率,这意味着电子在材料中的运动速度更快,能够实现更高的工作频率和更快的响应速度。其次,化合物半导体具有更好的光电转换性能,这对于光电器件如发光二极管(LED)和激光二极管(LD)至关重要。此外,它们还具备更高的击穿电场强度,能够承受...

化合物半导体的特性及应用领域是什么?其在这些领域的发展前景如何?

化合物半导体的特性使其在性能上相较于传统的硅半导体具有显著优势。例如,化合物半导体具有更高的电子迁移率,这意味着电子在材料中能够更快速地移动,从而实现更高的工作频率和更快的信号处理速度。同时,它们还具有更好的耐高温、耐高压和抗辐射性能,能够在恶劣的工作环境中保持稳定的性能。在应用领域方面,化合物半导...

...检测和分析半导体材料、晶圆以及芯片在不同制造阶段的结构和特性

显微镜在半导体加工工艺中的应用广泛且重要,主要用于观察、检测和分析半导体材料、晶圆以及芯片在不同制造阶段的结构和特性。谢谢!

半导体新材料(忆阻器、第三代半导体等)电学特性研究方案及资料

第三代半导体材料主要包括SiC、GaN、金刚石等,具有高热导率、高击穿场强、高饱和电子漂移速率和高键合能等优点,可满足现代电子技术对高温、高功率、高压、高频以及抗辐射等恶劣条件的新要求。未来高频控制、低损耗的高性能全控型器件MOSFET、IGBT以及第三代半导体功率器件将成为市场发展的重心。

详解第三代半导体材料:碳化硅和氮化镓

第三代半导体材料是指具有宽带隙(Eg≥2.3eV)的材料,代表包括碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)、氧化锌(ZnO)、金刚石和氮化铝(AlN)(www.e993.com)2024年11月27日。这些材料在半导体照明、电力电子、激光器和探测器等领域有着广泛的应用,每个领域都有不同的产业成熟度。第三代半导体材料以其宽带隙特性,在高温、高频、高效率和高功率电子器件中展现出巨...

...成功解码“材料基因组”,有助开发下一代航空航天合金和半导体|...

此次研究的重点是钴-铬-镍高熵合金,这类合金在高级工程应用中非常有前途。团队利用复杂的APT成像数据,并结合先进的数据科学技术,实现了以3D形式可视化原子,从而观察和测量SRO,并比较在不同加工条件下合金的变化。该研究为SRO如何控制关键材料特性研究提供了模板,也为科学家提供了一双新“眼睛”,从而可以看到原子级...

...是技术成熟和应用广泛的制冷型探测器之一,所用的半导体材料为...

答:InSb探测器目前在制冷红外领域是技术成熟和应用广泛的制冷型探测器之一,所用的半导体材料为InSb(锑化铟)。锑化铟属于V-III族半导体,具有稳定性高、材料缺陷率低等优点,有利于通过标准化流程进行批量化生产,但受材料特性影响无法响应长波波段,主要用于中波制冷红外探测器。由于中波制冷红外具有抗雾霾、抗烟尘、抗高温...

中国科大在新型拓扑材料外尔半导体的实验发现中取得原创性进展

中国科大在新型拓扑材料外尔半导体的实验发现中取得原创性进展在新型量子材料中,具有特殊能带结构的拓扑材料也兼具新奇电子输运特性。相关研究不仅可以加深对于拓扑物态的理解,更有望推动新型高性能电子学器件的发展。一个典型的代表是目前引起广泛关注的外尔半金属体系,其输运研究往往表现出超大非饱和磁阻、平行磁场下的负...

重塑半导体未来:金刚石衬底材料的崛起与无限可能

金刚石半导体衬底材料的种类与特性金刚石作为人造材料,以其独特的物理化学性质,被认为是制备下一代高功率、高频、高温及低功率损耗电子器件的理想材料。全球人造金刚石行业主要有高温高压法(HTHP)和化学气相沉积法(CVD)两种制备方法。其中,CVD法因其耐高压、大射频、低成本、耐高温等优势,成为制备金刚石半导体衬底的...