华芯微电子首条6寸砷化镓晶圆生产线正式调通

据悉,该晶圆具备高增益、高效能的特性,可应用于先进5GPhase7/8手机功率放大器模组以及Wi-Fi6/7等设备。这一产品的成功推出,不仅进一步丰富了华芯微电子的产品线,也为其在射频芯片国产化制造领域树立了新的里程碑。华芯微电子于2023年在珠海高新区成立,系华芯(珠海)半导体有限公司旗下子公司,专注于化合物...

跨学科制备具有忆阻特性的半导体二维材料!

然而,合成具有忆阻特性的半导体二维材料面临着许多挑战,特别是如何在保持其半导体属性的同时,实现忆阻特性,尤其是对于III–V族化合物,以其强健的共价键和特定的结构偏好如锌闪烁体或纤锌矿结构,合成自由立的III–V范德华晶体,尤其是具有忆阻特性的晶体,仍然是一个重大科学难题。有鉴于此,韩国首尔延世大学Aloys...

半导体新材料(忆阻器、第三代半导体等)电学特性研究方案及资料

第三代半导体材料主要包括SiC、GaN、金刚石等,具有高热导率、高击穿场强、高饱和电子漂移速率和高键合能等优点,可满足现代电子技术对高温、高功率、高压、高频以及抗辐射等恶劣条件的新要求。未来高频控制、低损耗的高性能全控型器件MOSFET、IGBT以及第三代半导体功率器件将成为市场发展的重心。以碳化硅(SiC)和...

"世界首创"的低温电路!富士通:挑战“金刚石自旋量子”世界

富士通与QuTech:克服布线问题,成功驱动金刚石自旋比特为解决这一问题,富士通与QuTech的研究人员和工程师合作,利用金刚石自旋量子在4K(约负269摄氏度)下移动的特性,通过一种名为“低温互补金属氧化物半导体(CMOS)”的半导体技术来克服布线问题。利用安装在低温装置中的cryo-CMOS电路成功驱动了金刚石自旋比特。这...

...是技术成熟和应用广泛的制冷型探测器之一,所用的半导体材料为...

锑化铟属于V-III族半导体,具有稳定性高、材料缺陷率低等优点,有利于通过标准化流程进行批量化生产,但受材料特性影响无法响应长波波段,主要用于中波制冷红外探测器。由于中波制冷红外具有抗雾霾、抗烟尘、抗高温、抗潮湿环境等特点,在远距离探测高温目标时具有较强优势,能够满足多数应用场景特别是军用场景的需求,公司及同...

详解第三代半导体材料:碳化硅和氮化镓

第三代半导体材料是指具有宽带隙(Eg≥2.3eV)的材料,代表包括碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)、氧化锌(ZnO)、金刚石和氮化铝(AlN)(www.e993.com)2024年11月27日。这些材料在半导体照明、电力电子、激光器和探测器等领域有着广泛的应用,每个领域都有不同的产业成熟度。第三代半导体材料以其宽带隙特性,在高温、高频、高效率和高功率电子器件中展现出巨...

重塑半导体未来:金刚石衬底材料的崛起与无限可能

金刚石半导体衬底材料的种类与特性金刚石作为人造材料,以其独特的物理化学性质,被认为是制备下一代高功率、高频、高温及低功率损耗电子器件的理想材料。全球人造金刚石行业主要有高温高压法(HTHP)和化学气相沉积法(CVD)两种制备方法。其中,CVD法因其耐高压、大射频、低成本、耐高温等优势,成为制备金刚石半导体衬底的...

十大变革科技 | 第四代半导体材料:新一轮科技竞赛

其中,代表性的超宽禁带半导体包括氮化铝(AIN)、氧化镓(Ga2O3)、金刚石(Diamond)和氮化硼(BN),这些材料也被国内产业界称为“第四代半导体”。第四代半导体具有卓越的理化特性,包括远超第三代半导体的带隙、超高的击穿电场、优秀的热稳定性和化学惰性等,在特高压功率转换、射频信号处理、深紫外光电子学、极端...

【复材资讯】Nature: 半导体/金属超晶格和间隙型嵌入机制的首次发现

氮化镓(GaN)作为第三代半导体材料和Ⅲ族氮化物的代表,其宽禁带、直接带隙等特性在LED照明、半导体激光器中得到广泛应用,在电力电子器件(包括电动汽车和快速充电器中的关键组件)领域亦优于传统硅基半导体,已逐渐获得商业化。GaN基电子器件的性能提高对于实现节能社会和碳中和的目标具有重要意义。

双向赋能,共筑新质生产力|首届新材料与科学仪器产业融合创新发展...

二维瞬态吸收(TA)显微镜是二维材料表征和质量控制的强大工具,可以表征缺陷密度,成像速度快(可达每秒1000帧),精度高(亚微米级分辨率),并且能够解析材料的电子动力学。TA显微镜也可以应用于其他半导体材料,以研究它们的电子动力学。北京普瑞赛司仪器有限公司技术总监张鹏...