投资33.87亿元!广东首条砷化镓晶圆产线调通!

据介绍,该砷化镓晶圆具备高增益、高效能的特性,可应用于先进5GPhase7/8手机功率放大器模组以及Wi-Fi6/7等设备。资料显示,华芯微电子于2023年在珠海高新区成立,专注于化合物半导体晶圆代工业务,面向手机、Wi-Fi路由器、基站、卫星通讯、雷达等高中低频射频应用终端市场。其格创·华芯砷化镓晶圆生产基地项目是广...

华芯微电子首条6寸砷化镓晶圆生产线正式调通

据珠海高新区官微消息,近日,珠海华芯微电子有限公司首条6寸砷化镓晶圆生产线正式调通,并生产出第一片6寸2um砷化镓HBT晶圆,将于2025年上半年实现大规模量产。本文引用地址:据悉,该晶圆具备高增益、高效能的特性,可应用于先进5GPhase7/8手机功率放大器模组以及Wi-Fi6/7等设备。这一产品的成功推出,不仅进一...

清远高新区企业先导科技:引领砷化镓技术革新,走出半导体领域新赛道

砷化镓具有高频率、高电子迁移率、高输出功率、低噪音以及线性度良好等优越特性,是目前光电及手机网通高频通信不可或缺的元件,近几年随着物联网、车联网及Al应用激增,各国加速布建5G基础建设,加上手机导入脸部辨识功能,带动砷化镓的需求大增。“砷化镓可以直接发光,我们常见的LED类显示屏,红光、黄光都是砷化镓材料制...

珠海!华芯微电子6寸砷化镓晶圆调通,第一片晶圆成功下线!

近日，珠海华芯微电子有限公司迎来了历史性的一刻——其首条6寸砷化镓晶圆生产线正式调通，并成功生产出第一片6寸2um砷化镓HBT晶圆。这一里程碑式的成就，标志着华芯微电子在化合物半导体领域迈出了坚实的一步，也为即将到来的大规模量产奠定了坚实基础。据悉，该晶圆以其高增益、高效能的特性，将广泛应用于先进5G...

投资33.87亿元!广东首条砷化镓晶圆产线调通:首片晶圆正式下线

据介绍,该砷化镓晶圆具备高增益、高效能的特性,可应用于先进5GPhase7/8手机功率放大器模组以及Wi-Fi6/7等设备。资料显示,华芯微电子于2023年在珠海高新区成立,专注于化合物半导体晶圆代工业务,面向手机、Wi-Fi路由器、基站、卫星通讯、雷达等高中低频射频应用终端市场。其格创·华芯砷化镓晶圆生产基地项目是广...

氮化镓的未来:IDM还是Fabless

1993年，随着第1个具有微波特性的氮化镓高电子迁移率晶体管（HEMT）器件被公开报道，第三代半导体迅速进入微波射频的研发和应用领域，尤其是氮化镓射频器件，以其特有的高功率、高效率、高线性、高工作电压、抗辐照等优异特性，成为硅（Si）、砷化镓（GaAs）等器件的理想替代者，在军事装备、航空航天、第五代移动...

【成电协 · 会员行】优秀的第三代半导体氮化镓芯片公司——氮矽...

氮化镓(GaN)属于第三代半导体,又被称为宽禁带半导体,和第一代的硅(Si)以及第二代的砷化镓(GaAs)等前辈相比,其在特性上有突出的优势:由于禁带宽度大、导热率高,氮化镓器件可在200°C以上的高温下工作,能够承载更高的能量密度,可靠性更高;较大的禁带宽度和绝缘破坏电场,使得器件导通电阻减少,有利与提升器件整体的...

半导体贵族砷化镓,蠢蠢欲动

砷化镓,大有可为资料显示,砷化镓(GaAs)是第二代半导体的代表性化合物,属于IIIA族、VA族化合物半导体材料,因其价格昂贵而素有“半导体贵族”之称。砷化镓具备工作温度高、耐热、抗辐射、发光效率等优秀特性,用于制造微波频率集成电路,单片微波集成电路,红外发光极管,激光二极管,太阳能电池和光学窗口等设备。

为什么80%的芯片采用硅晶圆制造?

砷化镓(GaAs):电子迁移率高,但材料脆性大,制造成本高,且不易制备大尺寸单晶。碳化硅(SiC):带隙宽,适合高温高压应用,但晶体生长困难,成本高。氮化镓(GaN):具有优良的电子特性和热稳定性,但材料合成复杂,成本高。其实,硅作为半导体材料具有多方面的优势,包括良好的半导体特性、高质量的晶体结构、低廉的成本、成熟...

二极管(2)二极管的分类

表面特征:键型二极管的金属-半导体接触通常具有一些表面特征,如微观凹陷或起伏,这些特征可以增加接触区域的有效表面积,从而降低接触电阻。键型二极管由于其金属-半导体接触的特殊性质,具有许多优点,包括快速开关速度、低正向电压降、高温特性良好等。它们在高频电路、功率电子器件、混频器、检波器等领域中有着广泛的应用。