...晶体管制造方法及场效应晶体管专利,有效降低寄生三极管基极压降

不增加场效应晶体管的造成工艺和成本,使得不同区域的第一导电类型半导体源区的掺杂浓度不同,因场效应晶体管的沟道密度降低,有效降低了寄生三极管的基极压降,减少寄生三极管开启的风险,增强了场效应晶体管的抗热不稳定性和安全工作区,与具有虚拟元胞的器件相比,其导通电阻明显减小。

上海超致半导体申请超结开关器件专利,改善体二极管反向恢复特性

第一体区与第一掺杂型柱不邻接;栅极;栅绝缘层;源区;辅助沟道区,邻接于第一掺杂型柱和第一体区之间;辅助沟道区的掺杂浓度低于源区的掺杂浓度;第一体区、辅助沟道区、第一掺杂型柱、栅绝缘层和栅极构成寄生金属氧化

综述:石墨烯和MXene基复合材料及其气体传感应用

石墨烯易于进行功能化改性,可根据不同工业过程需求进行定制,从而提高安全性并实现对气体泄漏的及时检测。MXene基气体传感器凭借其大比表面积和优异导电性,在低浓度气体检测方面展现出卓越的灵敏度和通用性。研究人员通过将各种形态的石墨烯和MXene结构与聚合物、金属氧化物和其它半导体材料巧妙结合,成功开发出了能够检测...

多团队联合攻关设计量子效应掺杂范式,研发p型场效应晶体管,突破...

2022年下半年,他们将过渡金属二硫属化物/CrOClp场效应晶体管,与本征的过渡金属二硫属化物n型场效应晶体管进行面内电路互连组合成“非”门逻辑器件,初步验证了将这种掺杂方式用于CMOS逻辑电路构建的可行性。进一步地,为了充分发挥这种掺杂方式独特的垂直堆叠兼容性,亦为了提高电路的集成度,他们将p型场...

科学家打造碳纳米管晶体管,解决碳纳米管均匀可控掺杂难题

碳纳米管掺杂的好与坏，会直接影响器件性能和可靠性。此前，在纳米管半导体材料的掺杂上，主要存在以下几个挑战：其一，局部掺杂技术的可行性：实现准确的局部掺杂是一项具有挑战性的任务。对碳纳米管进行精确的局部掺杂，可以实现电学性质的调整，期间涉及到选择适当的掺杂剂、掺杂浓度和掺杂位置。同时，确保这些过程...

科学家打造碳纳米管晶体管,兼容已有半导体制程工艺,解决碳纳米管...

低维半导体特别是一维碳纳米管,由于其出色的迁移率和注入速度、以及仅有一纳米厚直径,是高度缩小晶体管和高性能晶体管的理想通道材料,并有望将金氧半场效晶体管的栅长,缩小至硅基晶体管的极限以下(www.e993.com)2024年11月4日。未来,碳纳米管晶体管有望用于制造更小、更快、更节能的半导体器件,推动计算机技术的进步。此外,由于其出色的柔性...

宏微科技2023年年度董事会经营评述

公司的主要产品IGBT(绝缘栅双极晶体管),是新型功率半导体器件的代表性产品,被业界誉为功率变流装置的“CPU”。采用IGBT进行功率变换,能够提高用电效率和改善用电质量,具有高效节能和绿色环保的特点。电力电子是解决能源短缺的关键支撑技术,以IGBT为代表的功率半导体器件是实现双碳目标的核心原件。

中微公司2023年年度董事会经营评述

PrimoSD-RIE具有实时可调电极间距功能,可以在同一刻蚀工艺的不同步骤使用不同的电极间距,能灵活调节等离子体浓度分布和活性自由基浓度分布,有效地应对一体化大马士革刻蚀工艺中要求的在同一刻蚀工艺中达到最优的沟槽和通孔刻蚀均匀性的问题,极大拓宽一体化刻蚀工艺的工艺窗口。

谁能替代铜互连?_腾讯新闻

从历史上看,当尺寸减小时,晶体管性能得到改善,从而带来上述性能优势。相比之下,这并不适用于互连。减小导线的横截面积必然会增加其每单位长度的电阻,从而导致更大的能量耗散和增加的RC延迟。如今,在12nm至15nm量级的互连线尺寸下(参见第1A),互连性能通常是先进微电子电路整体性能的主要限制因素。对于晶体管来说,器...

【胜诉】小米胜诉!德国法院裁定KPN关键专利无效

层、第一栅极、有源层和第二栅极,第一栅极在有源层上的垂直投影面积和第二栅极在有源层上的垂直投影面积不同,且面积较大的栅极完全覆盖面积较小的栅极;以第二栅极为阻挡层对有源层进行离子注入,形成第一掺杂区;以第一栅极为阻挡层对有源层进行离子注入,形成第二掺杂区,第一掺杂区和第二掺杂区的掺杂浓度不...