RTX 4090Ti参数怎么样 40系显卡有什么新技术新特性?

该卡还具有144个光线追踪加速核心。NVIDIA已将24GBGDDR6X内存与GeForceRTX4090Ti配对,它们使用384位存储器接口连接。GPU运行频率为2355MHz,可提升至2625MHz,内存运行频率为1325MHz(21.2Gbps有效)。作为三插槽显卡,NVIDIAGeForceRTX4090Ti从2个16针电源连接器获取电力,最大额定功耗为500W。显示输出...

存储器新技术:FeRAM的高可靠性和无延迟

●低功耗:FeRAM的能耗远低于传统存储器,在需要节能的场合尤其适合。相比EEPROM和NORFlash等存储器,FeRAM的功耗优势在助听器等低功耗设备中得到了良好体现。●覆盖写入:传统的存储器在写入数据之前通常需要进行擦除操作,而FeRAM则可直接覆盖写入数据,减少了数据处理步骤,并进一步提升了效率。FeRAM在多种领域的应用...

RTX 4080是什么架构 40系显卡有什么新技术新特性?

此外NVIDIADLSS3是AI驱动图形的革命性突破,可大幅提升性能。DLSS3由GeForceRTX40系列GPU上的全新第四代张量核心和光流加速器提供支持,使用AI创建额外的高质量帧。RTX4090,RTX408040系显卡有什么新技术新特性?有以下特色1.采用4nm工艺制造。更小的工艺可以将更多的硅片塞入相同的空间,并且...

AI大模型需要新型存储器!北京大学唐克超老师谈FeRAM铁电存储器...

MRAM是一种非易失性的磁性随机存储器,它利用磁电阻效应来存储数据,核心原理是利用材料的磁阻效应,即材料的电阻会随着外部磁场的变化而变化,从而通过改变电流方向和大小,可以改变其中一个磁性层的磁化方向,由此实现数据的写入和读取。其实这也不是什么新兴技术。早在上世纪五十年代就已经被提出,并在军用方面得到广泛应...

...实现模块的特性包含电源管理、现场可编程器件、非易失存储器等

专利摘要显示,所述的一种基于FPGA的1553B模块的实现方法,其特征在于:其中包含电源管理、现场可编程器件、非易失存储器、1553B收发器、1553B模块与外部通信接插件、电阻容,其中1553B收发器包含:发送模块、接收模块和内置隔离变压器。金融界提醒:本文内容、数据与工具不构成任何投资建议,仅供参考,不具备任何指导作用。股市...

中科院微电子所在三维铁电存储器噪声特性应用方面取得进展

通过16层3D集成Fe-Diode实现了极高的存储密度(0.26F2/bit);此外,通过对Fe-Diode器件的噪声行为的系统研究,发现了与频率无关的高噪声密度的散粒噪声(shotnoise),并利用该噪声作为随机源,生成了自相关性接近零的随机比特数流;进一步通过将存储器和随机源统一在16层3DFe-Diode阵列中实现了该贝叶斯机(www.e993.com)2024年11月19日。

这篇文章,把新型存储说清楚了

新型存储主要指相变、磁变、阻变存储目前,受到广泛关注的新型存储器主要有3种:相变存储器(PCM),以英特尔与美光联合研发的3DXpoint为代表;磁变存储器(MRAM),以美国Everspin公司推出的STT-MRAM为代表;阻变存储器(ReRAM),目前暂无商用产品,代表公司有美国Crossbar。

液态金属存储器:在溶液中如大脑般读写信息

与之矛盾的是,为实现高性能存储器,需要采用高稳定性材料,但这些材料一般较硬,难以实现柔性特性。当前大多数发展柔性存储设备的思路与策略是将刚性存储单元沉积在柔性衬底材料上,但这在灵活性上较为有限,且刚性存储功能层与柔性基板间存在弹性模量不匹配,在动态变形过程中会引发机械不稳定,继而使得存储功能失效。

HBM(高带宽存储器)简介

更低功耗:采用微凸块和TSV技术,存储和算力芯片信号传输路径短,单引脚I/O速率较低,使HBM具备更好的内存功耗能效特性。以DDR3存储器单引脚I/O带宽功耗为基准,HBM2的I/O功耗比明显低于DDR3/DDR4和GDDR5,相比于GDDR5存储器,HBM2的单引脚I/O带宽功耗比数值降低42%。

RAMXEED以全新一代FeRAM迎接边缘智能高可靠性无延迟数据存储需求

FeRAM依赖铁电材料的独特性质进行数据存储。该类存储器以其超快的读写速度、出色的写入耐久性以及较低的功耗特性而著称。FeRAM的读写速度是纳秒级,这远超过NORflash、EEPROM;读写次数达到1014、1013之多,在某种意义上相当于无限次,而EEPROM、NORFlash一般都有次数的限制。基于这两个特点,在实时写入、掉电保护等...